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    고체 원소 플라즈마 이온주입 방법 및 장치
    21.
    发明授权
    고체 원소 플라즈마 이온주입 방법 및 장치 有权

    公开(公告)号：KR101055396B1

    公开(公告)日：2011-08-08

    申请号：KR1020090002986

    申请日：2009-01-14

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 한승희 ,  변지영 ,  석현광 ,  한준현 ,  김유찬 ,  이성배 ,  최진영

    IPC: H01L21/265 ,  C23C14/48

    Abstract: 고체 이온의 플라즈마 이온주입을 가능하게 하는 고체 원소 플라즈마 이온주입 방법 및 장치가 개시된다. 이 장치 및 방법에 따르면, 진공조 내의 시료 장착대 위에 시료를 위치시키고, 진공조의 내부를 진공상태로 유지한다. 그리고, 진공조 내에 플라즈마화 할 가스를 공급하고, 박막증착을 위한 증착원에 제1 전력을 인가하여 고체 원소의 플라즈마 이온들을 발생한다. 증착원으로부터 스퍼터링되는 고체 원소의 플라즈마 이온들은 시료의 표면에 이온주입된다. 여기서 제1 전력은, 낮은 평균 전력을 유지하면서도 펄스가 인가되는 순간 높은 전력을 인가할 수 있는 펄스 직류 전력이다. 또한, 제1 전력을 인가함과 동시에, 시료 장착대에 제2 전력을 제공할 수 있는데, 제2 전력은 고체 원소의 플라즈마 이온들을 시료 측으로 가속시키며 펄스 직류 전력에 동기화된 고전압 펄스이다. 또한, 진공조 내에 유도결합 플라즈마를 발생하여, 고체 원소의 이온화율을 증가시키고 증착원의 작동 압력을 낮출 수 있다.
    이온주입, 플라즈마 이온주입, 고체원소 이온주입, 펄스 직류 마그네트론, 고전압 펄스

    바이폴라 플레이트용 비정질 합금 및 그 제조 방법
    22.
    发明公开
    바이폴라 플레이트용 비정질 합금 및 그 제조 방법 失效
    用于燃料电池的双极板的非晶态合金及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020070029361A

    公开(公告)日：2007-03-14

    申请号：KR1020050084067

    申请日：2005-09-09

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 에릭플러리 ,  자야마니제이자야라지 ,  김기배 ,  석현광 ,  김유찬 ,  김광윤 ,  김도향

    IPC: C22C45/02

    CPC classification number: C22C45/02 ,  C22C1/002 ,  C22C45/04

    Abstract: An amorphous alloy suitably used as a bipolar plate and a manufacturing method of the amorphous alloy are provided. An amorphous alloy for a bipolar plate has a composition of the formula Fe100-a-b-c-d-e-f-gCraMobCcBdYeMfIg, where the M is at least one element selected from Al, Co, N and Ni, I is at least one element selected from Mn, P, S and O as impurities, and the a, b, c, d, e, f and g are respectively 16.0 wt.%

    Abstract translation: 提供适合用作双极板的非晶合金和非晶合金的制造方法。 用于双极板的非晶合金具有式Fe100-abcdef-gCraMobCcBdYeMfIg的组成，其中M是选自Al，Co，N和Ni中的至少一种元素，I是选自Mn，P，S中的至少一种元素 和O作为杂质，a，b，c，d，e，f和g分别为16.0重量％，= 15.0重量％，15.0重量％，b = 27.0重量％ 2.0重量％<= c <= 3.5重量％，1.0重量％<= d <= 1.5重量％，1.0重量％<= e <= 3.5重量％，0.25重量％ = 3.0重量％，和0.01重量％<= g <= 0.5重量％。 用于双极板的非晶合金具有式Ni100-abcde-fNbaZrbTicTadMeIf的组成，其中M是选自Sn和Si中的至少一种元素，I是选自C和O中的至少一种元素作为杂质，并且a ，b，c，d，e和f分别为10.0重量％<= a <= 25.0重量％，5.0重量％<= b <= 25.0重量％，5.0重量％<= c < 重量％，0.0重量％

    구리계 비정질 합금 조성물
    23.
    发明授权
    구리계 비정질 합금 조성물 失效
    Cu基非晶态合金组成

    公开(公告)号：KR100583230B1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：KR1020040021120

    申请日：2004-03-29

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김유찬 ,  에릭플러리 ,  김기배 ,  석현광

    IPC: C22C45/00

    CPC classification number: C22C45/001 ,  C22C30/02 ,  C22C30/04

    Abstract: 본 발명은 비정질 형성능을 향상시켜 벌크 비정질화의 효율을 높이고 구리 합금의 구조용 재료로의 이용 가능성을 제시할 수 있는 구리계 비정질 합금에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 구리계 비정질 합금 조성물은 일반식 Cu
    100-abcd Zr
    a Al
    b (M
    1 )
    c (M
    2 )
    d 로 표시되며, 상기 식 중 a, b, c 및 d는 각 원자%로 각각 36≤a≤49, 1≤b≤10, 0≤c≤10 및 0≤d≤5를 만족하고(다만, c, d가 동시에 0이 되어서는 아니 된다), 또한, M
    1 은 금속 원소로써 Nb, Ti, Be 또는 Ag 이고, M
    2 는 양쪽성 원소 또는 비금속원소로써 Sn 또는 Si인 것을 특징으로 한다.
    비정질, 합금, 형성능, 구리

    고융점 원소를 포함하는 구리계 비정질 기지 복합재 및 그제조 방법
    24.
    发明公开
    고융점 원소를 포함하는 구리계 비정질 기지 복합재 및 그제조 방법 失效
    含有Ta和W的Ta，W或其混合物的高熔点元素的基于Cu的非晶基复合材料及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020040108245A

    公开(公告)日：2004-12-23

    申请号：KR1020030039161

    申请日：2003-06-17

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김유찬 ,  이재철 ,  김도향

    IPC: C22C45/00

    CPC classification number: C22C45/001

    Abstract: PURPOSE: To provide a Cu-based amorphous matrix composite containing high melting point elements to substantially improve elongation as minimizing strength deterioration of bulk amorphous materials by adding high melting point elements, i.e., Ta and/or W to control sudden fracture behaviors of the amorphous materials, and a manufacturing method of the Cu-based amorphous matrix composite. CONSTITUTION: In a Cu-based amorphous alloy to which high melting point elements selected from Ta, W or a mixture thereof are added, the Cu-based amorphous matrix composite containing high melting point elements is characterized in that the high melting point elements are dispersed in a crystalline grain shape in an amorphous Cu-based matrix, wherein the amorphous matrix composite has a composition represented by the following formula 1: CuaZrbTicRd where R is Ta, W or a mixture thereof; a, b, c and d represent atomic weight ratios, a+b+c+d=100, a, b, c and d are in the ranges of 45

    Abstract translation: 目的：提供含有高熔点元素的Cu基无定形基质复合材料，以通过加入高熔点元素即Ta和/或W来控制非晶态的突然断裂行为 材料和Cu基非晶基质复合材料的制造方法。 构成：在添加了选自Ta，W或其混合物的高熔点元素的Cu基非晶合金中，含有高熔点元素的Cu基非晶质基复合材料的特征在于高熔点元素分散 在无定形Cu基基体中呈晶粒形状，其中无定形基质复合物具有由下式1表示的组成：CuaZrbTicRd其中R是Ta，W或它们的混合物; a，b，c和d表示原子重量比，a + b + c + d = 100，a，b，c和d在45 <= a <=65,10≤b≤35的范围内， 5 <= c <= 30，分别为5 <= d <= 10。

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