Abstract:
Disclosed is a light-collecting type solar energy generating device with a powerless sunlight tracing function which includes a solar cell panel unit (200) producing electricity by utilizing sunlight; a solar cell unit which includes a sunlight collecting unit forming a focus of sunlight on the top surface of the solar cell panel unit (200) by collecting incident sunlight which is formed on the top of the solar cell panel unit (200); a sunlight tracing unit (300) which is composed of an expandable member (310) and a fixed member (320) having different thermal expansion indexes and which controls the top surface of the solar cell panel unit (200) to face the sunlight while being bent in one direction by heat transmitted from the solar cell panel unit (200). [Reference numerals] (AA) Sunlight
Abstract:
PURPOSE: A local surface plasmon resonance (LSPR) sensor using a chalcogenide material and a manufacturing method thereof are provided to control a composition ratio of a chalcogenide material forming an LSPR excitation layer, thereby variously changing the carrier concentration of the LSPR excitation layer. CONSTITUTION: An LSPR sensor using a chalcogenide material includes an LSPR excitation layer formed of a chalcogenide material. The chalcogenide material includes a first material and a second material. The first material includes at least one among selenium and tellurium. The second material includes at least one among germanium and antimony.
Abstract:
본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다. 상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물
Abstract:
본 발명은 일반식(Ⅰ)로 표시되는 비옥사졸린 화합물 및 이들 유도체의 제조방법에 관한 것으로 본 발명 화합물은 Rh,Ir, Cu 또는 Pd 등의 금속을 이용한비대칭 촉매반응의 리간드로 유용하게 사용할 수 있다. 본 발명의 제조방법은 일반식( II )의 디아민 화합물과 일반식(Ⅲ)의 카르보닐할라이드 화합물을 염기와 용매존재하에 반응시켜 일반식(Ⅳ)의 디아마이드 화합물을 제조하는 제 1 공정과 일반식(Ⅳ)의 디아마이드 화합물을 용매와 촉매존재하에 반응시켜 일반식(Ⅴ)의 디올 화합물을 제조하는 제 2 공정 및 일반식(Ⅴ)의 디올 화합물을 아민과 용매하에서 메탄술포닐클로라이드, 파라-톨루엔 술포닐클로라이드 등과 반응시켜 일반식(Ⅰ)의 비옥사졸린 화합물을 제조하는 3 공정으로 이루어진 제조방법이다.
일반식(Ⅰ), 일반식(Ⅲ), 일반식(Ⅳ) 또는 일반식(Ⅴ)에 있어서, Ar은 각각 페닐, 염소, 브롬 또는 불소가 치환된 페닐, 피리딜, 페로센, 디페닐포스핀이 치환된 페닐 또는 나프틸기의 방향족 고리를 나타내며, 일반식(Ⅲ)에 있어서, X는 염소, 브롬 또는 하이드록시기를 나타낸다.