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公开(公告)号：KR101318236B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120059373
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/25 , B01J19/087 , C01P2004/60 , C30B29/04
Abstract: PURPOSE: A method for controlling the particle size of a diamond crystal and an apparatus using the same are provided to selectively control the intensity of the electric field between anode and cathode by controlling an inter-electrode distance, thereby easily controlling the particle size of the diamond crystal. CONSTITUTION: A method for controlling the particle size of a diamond crystal controls an interelectrode electric field by converting a precursor gas to electrons and ions for synthesizing the diamond crystal after by supplying power to cathode and anode. The particle size of the diamond crystal becomes smaller if the electric field between the anode and the cathode becomes larger. The particle size of the diamond crystal becomes larger if the electric field between the anode and the cathode becomes smaller.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制金刚石晶体的粒度的方法及使用其的装置，通过控制电极间距离来选择性地控制阳极和阴极之间的电场强度，从而容易地控制 钻石水晶。 构成：用于控制金刚石晶体的粒度的方法通过将前体气体转化为电子和离子来控制电极间电场，以通过向阴极和阳极供电来合成金刚石晶体。 如果阳极和阴极之间的电场变大，则金刚石晶体的粒径变小。 如果阳极和阴极之间的电场变小，则金刚石晶体的粒径变大。
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公开(公告)号：KR101299136B1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：KR1020120012767
申请日：2012-02-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L23/373
Abstract: 본 발명은 다이아몬드 주상조직의 성장방향을 방사형으로 유도함으로써 박막 두께를 최소화한 상태에서 수평방향의 열전도도를 극대화하여 열방산체로서의 효율을 향상시킬 수 있는 다이아몬드 열방산체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 다이아몬드 열방산체는 다이아몬드 결정 조직의 단면이 방사형 주상조직을 가지며, 방사형 주상조직이 이웃하여 배치되어 서로 연결된 것을 특징으로 하며, 상기 각각의 방사형 주상조직은, 기판 상에 국부적으로 구비된 시드점을 중심으로 화학기상증착 공정을 통해 성장되고, 상기 기판 상에 국부적으로 구비된 시드점은, 상기 기판 상에 이격되어 배치된 다이아몬드 입자이거나 국부적으로 텍스쳐링된 기판 부위이다.
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公开(公告)号：KR101182187B1
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110135060
申请日：2011-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/04 , B24B53/12 , B24D3/10 , B24D18/00
Abstract: PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner and a manufacturing method thereof are provided to increase the productivity of semiconductors by preventing damages to a wafer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a CMP(Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner is as follows. A flat diamond substrate(11) is prepared. A shadow mask(30) is manufactured by forming a dot array in a metal sheet. Matrix-type mask patterns(40) are deposited on the flat diamond substrate using the shadow mask. The flat diamond substrate is etched, and projected portions(15) are formed.
Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）垫调节剂及其制造方法，以通过防止对晶片的损坏来提高半导体的生产率。 构成：CMP（化学机械抛光）垫调节剂的制造方法如下。 制备平面金刚石基底（11）。 通过在金属板中形成点阵列来制造荫罩（30）。 使用荫罩将矩阵型掩模图案（40）沉积在平坦的金刚石衬底上。 蚀刻平坦金刚石基板，形成突起部（15）。
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公开(公告)号：KR1020100062584A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121295
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C04B41/91 , C04B35/565 , C04B41/4529 , C04B41/455 , C04B41/85 , C04B41/89 , C04B2235/427 , C04B2235/963
Abstract: PURPOSE: A ceramic body coated with a diamond film and a manufacturing method thereof are provided to maintain the excellent property of the ceramic body while changing only the surface of the ceramic body. CONSTITUTION: A manufacturing method of a ceramic body coated with a diamond film comprises the following steps: forming a surface layer including a reaction residue by occurring a chemical reaction on the surface of the ceramic body; forming the surface layer with an uneven embossment form by removing the reaction residue from the surface layer; and vaporizing the diamond film on the surface layer. The average illuminance of the surface layer is less than 50 micrometers. The ceramic body includes SiC or Si_3N_4.
Abstract translation: 目的：提供一种涂有金刚石薄膜的陶瓷体及其制造方法，以在仅陶瓷体的表面改变时保持陶瓷体的优异性能。 构成：涂覆有金刚石膜的陶瓷体的制造方法包括以下步骤：通过在陶瓷体的表面上发生化学反应形成包含反应残留物的表面层; 通过从表面层除去反应残余物而形成具有不均匀压花形式的表面层; 并蒸发表面层上的金刚石膜。 表面层的平均照度小于50微米。 陶瓷体包括SiC或Si_3N_4。
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公开(公告)号：KR1020070042602A
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020050098402
申请日：2005-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고온에서 안정적으로 사용가능한 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)의 원자비가 60:40 내지 40:60인 내산화성 및 열 안정성이 우수한 TiAlN 막층과 내산화성이 우수한 비정질의 Si-N 막층으로 구성되며 두께가 1.3 ~ 12 nm인 박막 단위체가 하나 이상 적층되어 전체 두께가 0.5 ~ 10 ㎛인 것을 특징으로 하며, 이와 같은 표면 피복용 경질 다층 박막은 피복층의 경도, 인성(toughness), 내산화성, 열 안정성이 우수하여 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면강도 향상을 위하여 널리 적용될 수 있는 효과가 있다.
경질 다층 박막, TiAlN, 비정질 Si-N, 금속질화물, 경도, 인성, 열 안정성-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100633083B1
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020040105086
申请日：2004-12-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 크롬질화물(CrN) 박막단위체와 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체로 이루어진 크롬질화물계 다층 금속질화물 나노박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질소(N
2 ) 가스와 아르곤(Ar) 가스가 유입되는 조건하에서, 크롬(Cr)원자를 물리증착하여 크롬질화물(CrN) 박막단위체를 형성하고, 상기 박막단위체 상부에 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al) 원자를 물리증착하여 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체를 형성하는 과정을 교대로 반복 증착을 실시하여 수행함으로써, N
2 /Ar 가스의 부피비와 크롬질화물(CrN) 박막단위체 형성을 위한 크롬(Cr)원자의 증착 과정에서 N/Cr의 원자수 비 등이 비교적 넓은 범위로 유지되더라도 제조되는 금속질화물 나노박막의 경도 또는 마찰계수가 크게 변동되지 않으므로 균일한 물성의 금속질화물 나노박막을 재현성 있게 제조할 수 있어 제품안정성, 내마모 및 윤활 특성이 요구되는 각종 기계, 전기, 전자 부품 등의 대량 생산이 요구되는 분야에 적용 가능한 크롬질화물계 다층 금속질화물 나노박막의 제조방법에 관한 것이다.
질소, 아르곤 가스, 크롬질화물(CrN) 박막단위체, 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체, 크롬질화물계 다층 금속질화물 나노박막-
公开(公告)号：KR1020060066470A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020040105086
申请日：2004-12-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 크롬질화물(CrN) 박막단위체와 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체로 이루어진 크롬질화물계 다층 금속박막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 질소(N
2 ) 가스와 아르곤(Ar) 가스가 유입되는 조건하에서, 크롬(Cr)원자를 물리증착하여 크롬질화물(CrN) 박막단위체를 형성하고, 상기 박막단위체 상부에 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al) 원자를 물리증착하여 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체를 형성하는 과정을 교대로 반복 증착을 실시하여 수행함으로써, N
2 /Ar 가스의 부피비와 크롬질화물(CrN) 박막단위체 형성을 위한 크롬(Cr)원자의 증착 과정에서 N/Cr의 원자수 비 등이 비교적 넓은 범위로 유지되더라도 제조되는 금속박막의 경도 또는 마찰계수가 크게 변동되지 않으므로 균일한 물성의 금속박막을 재현성 있게 제조할 수 있어 제품안정성, 내마모 및 윤활 특성이 요구되는 각종 기계, 전기, 전자 부품 등의 대량 생산이 요구되는 분야에 적용 가능한 크롬질화물계 다층 금속박막의 제조방법에 관한 것이다.
질소, 아르곤 가스, 크롬질화물(CrN) 박막단위체, 티타늄 알루미늄 질화물(TiAlN) 박막단위체, 크롬질화물계 다층금속박막-
公开(公告)号：KR1020060065321A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040104422
申请日：2004-12-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
Abstract: 본 발명은 내산화성 및 내마모성이 우수한 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Al 함량이 서로 다른 TiAlN 막이 다층으로 적층되어 경도 값이 40 GPa 이상으로 조절된 초경도의 단위층(A)과, Al 함량이 70% 이상으로 높아 내산화성이 뛰어난 TiAlN 막이 단층으로 적층된 25 ∼ 30 GPa 경도의 단위층(B)이 일정 두께 비율로 반복적으로 적층된 층 구조를 이루고 있음으로써, 내마모성과 내산화성을 동시에 증진시킴은 물론 기존 피복 코팅박막에 비해 높은 경도 값을 갖는 새로운 미세구조의 TiAlN계 다층 경질박막에 관한 것이다.
복합 적층 박막, TiAlN, 경도, 내산화성, 내마모성-
公开(公告)号：KR101969976B1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：KR1020170118839
申请日：2017-09-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/14
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公开(公告)号：KR101934569B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020170126389
申请日：2017-09-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/0376
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