公开(公告)号：KR1020100007246A

公开(公告)日：2010-01-22

申请号：KR1020080067793

申请日：2008-07-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  임재현

IPC: C23C14/28

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for pulsed laser deposition using dielectric barrier discharge and a metal oxide thin film fabricated by the same method are provided to improve the doping efficiency by supplying nitrogen atom of the active state to a pulsed laser deposition apparatus. CONSTITUTION: An apparatus for pulsed laser deposition using dielectric barrier discharge comprises a dielectric barrier discharge unit(110) and a pulsed laser deposition unit(120). The dielectric barrier discharge unit comprises a dielectric barrier tube(111), a metal electrode(112), and a gas supply area(113) and a RF generator. The dielectric barrier tube supplies a space for the micro discharge. The metal electrode is included within the dielectric barrier tube. The gas supply area supplies the air to the dielectric barrier tube for dissociating. The RF generator applies the power in the metal electrode. The pulsed laser deposition unit comprises a chamber(121), a substrate(122), a substrate holder(123), a target(124), a target holder(125) and a light source(126). The chamber supplies the growth space of the thin film.

Abstract translation: 目的：提供使用介电阻挡放电的脉冲激光沉积的方法和装置以及通过相同方法制造的金属氧化物薄膜，以通过将脉冲激光沉积设备的活性状态氮原子提供来提高掺杂效率。 构成：使用介质阻挡放电的脉冲激光沉积装置包括介质阻挡放电单元（110）和脉冲激光沉积单元（120）。 电介质阻挡放电单元包括介电阻挡管（111），金属电极（112）和气体供应区域（113）和RF发生器。 电介质阻挡管为微放电提供空间。 金属电极包括在电介质阻挡管内。 气体供给区域将空气供给到电介质阻挡管用于解离。 RF发生器在金属电极中施加电力。 脉冲激光沉积单元包括腔室（121），衬底（122），衬底保持器（123），靶（124），靶保持器（125）和光源（126）。 该室提供薄膜的生长空间。

公开(公告)号：KR1020090117582A

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：KR1020080088905

申请日：2008-09-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  장성필

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor is provided to form a gate insulating film in a double layer structure of at least one first and second dielectric films with different permittivity, thereby minimizing hysteresis of the thin film transistor. CONSTITUTION: A thin film transistor comprises a channel layer(102) and a gate insulating film(105). The channel layer is formed by an oxide semiconductor. The gate insulating film comprises one or more first and second dielectric films. Permittivity of the first dielectric film is different from permittivity of the second dielectric film. A source electrode(103) and a drain electrode(104) are respectively installed on right and left of a substrate(101) of the channel layer. A gate electrode(106) is installed on the gate insulating film.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管以形成具有不同介电常数的至少一个第一和第二介电膜的双层结构的栅极绝缘膜，从而最小化薄膜晶体管的滞后。 构成：薄膜晶体管包括沟道层（102）和栅极绝缘膜（105）。 沟道层由氧化物半导体形成。 栅极绝缘膜包括一个或多个第一和第二介电膜。 第一电介质膜的介电常数与第二介电膜的介电常数不同。 源电极（103）和漏电极（104）分别安装在沟道层的衬底（101）的右侧和左侧。 栅极电极（106）安装在栅极绝缘膜上。

公开(公告)号：KR101239231B1

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：KR1020110072804

申请日：2011-07-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  정유진

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 박막 트랜지스터는, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션(passivation) 층을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 위치하는 채널층; 상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 채널층상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각과 이격하여 위치하며, 금속을 포함하는 도전 물질로 이루어지는 패시배이션 층을 포함할 수 있다. 상기 패시배이션 층을 이용하여 채널층에 대한 빛, 산소, 수분 및/또는 불순물의 투과를 차단할 수 있으며 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110133317A

公开(公告)日：2011-12-12

申请号：KR1020100052976

申请日：2010-06-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  정유진

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/26

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor thin film transistor with silicon is provided to have a light transmitting feature which is larger than 80% in a visible light area, thereby using the transistor as a switching device, a driving device, or an electrode device. CONSTITUTION: A gate electrode(11) is located on a substrate(100). A gate insulating layer(12) is located on the gate electrode. A channel layer(13) is located on the gate insulating layer. The channel layer forms a mobile channel of electrons between a source electrode(14a) and a drain electrode(14b). The channel layer is made of an oxide semiconductor with silicon.

Abstract translation: 目的：提供具有硅的氧化物半导体薄膜晶体管，以在可见光区域具有大于80％的透光特征，从而使用晶体管作为开关器件，驱动器件或电极器件。 构成：栅电极（11）位于基板（100）上。 栅极绝缘层（12）位于栅电极上。 沟道层（13）位于栅极绝缘层上。 沟道层在源电极（14a）和漏电极（14b）之间形成电子的移动通道。 沟道层由具有硅的氧化物半导体制成。

公开(公告)号：KR101088367B1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020090113347

申请日：2009-11-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이득희 ,  조경철 ,  이상렬

IPC: H01L29/786

Abstract: 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 채널층을 형성하는 단계는, 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터, TFT, 산화물 반도체, 산화아연, 은 도핑

公开(公告)号：KR101088366B1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：KR1020090105417

申请日：2009-11-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  정유진 ,  조경철

IPC: H01L29/786

Abstract: 박막 트랜지스터는, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 제1 층, 및 상기 제1 층을 적어도 부분적으로 둘러싸고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2 층을 포함하는 채널층; 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막과 접촉하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 이때 상기 제1 층의 저항은 상기 제2 층의 저항 이하일 수 있다. 또한, 상기 제1 층의 캐리어 농도는 상기 제2 층의 캐리어 농도 이상일 수 있다. 이와 같이 구성된 박막 트랜지스터는 향상된 구동 특성을 가지며, 제조 과정에서 추가적인 열처리 공정을 필요로 하지 않으므로 저온 공정이 용이하다.
박막 트랜지스터, 매설층, 이중 채널, 이중층, 2단 채널층, 갈륨 도핑, 갈륨아연산화물, 산화물 반도체

公开(公告)号：KR101040137B1

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：KR1020090121015

申请日：2009-12-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬 ,  정유진 ,  조경철

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/41733

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor applying an asymmetric electrode structure and a manufacturing method thereof are provided to form a channel at a low resistance state by asymmetrically forming a source electrode and a drain electrode around a channel layer. CONSTITUTION: A gate insulation layer(12) is located on a gate electrode(11). A source electrode(14a), a channel layer(13), and a drain electrode(14b) are located on the gate insulation layer. The source electrode and the drain electrode are asymmetrically formed around the channel layer. The channel layer includes a first surface and a second surface. The source electrode and the drain electrode are contacted with both ends of the channel layer.

Abstract translation: 目的：提供一种施加不对称电极结构的薄膜晶体及其制造方法，以通过在沟道层周围不对称地形成源电极和漏极来形成低电阻状态的沟道。 构成：栅极绝缘层（12）位于栅电极（11）上。 源极电极（14a），沟道层（13）和漏电极（14b）位于栅极绝缘层上。 源电极和漏电极围绕通道层不对称地形成。 沟道层包括第一表面和第二表面。 源电极和漏电极与沟道层的两端接触。

公开(公告)号：KR1020110046905A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020090103613

申请日：2009-10-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이득희 ,  이상렬

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for forming a ZnO based thin film co-doped with silver and a group III element and a thin film formed by the method are provided to reduce oxygen vacancy in a thin film by heat after the thin film is formed, thereby enhancing the p type conductive feature of the thin film. CONSTITUTION: A target material and a substrate are co-doped with silver and a group III element(S11). The target material and the substrate are heated(S12). The target material is vaporized by irradiating laser on the target material(S13). The vaporized target material is deposited on the substrate as a thin film(S14). The thin film is processed by heat(S15).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成与银和III族元素共同掺杂的ZnO基薄膜和通过该方法形成的薄膜的方法，以在薄膜形成之后通过加热来减少薄膜中的氧空位，由此增强 薄膜的p型导电特征。 构成：目标材料和基材与银和III族元素共掺杂（S11）。 对目标材料和基板进行加热（S12）。 目标材料通过在目标材料上照射激光而蒸发（S13）。 蒸发的靶材料作为薄膜沉积在基板上（S14）。 薄膜通过加热处理（S15）。

公开(公告)号：KR1020100131695A

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：KR1020090050419

申请日：2009-06-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이상렬

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/16 ,  C23C16/0263 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A doped nanowire based on zinc oxide using physical synthesis is provided to synthesize zinc oxide-based nanowire with a stack shape by a dopant using a chamber with hot-wall and pulse laser deposition. CONSTITUTION: A doped nanowire based on zinc oxide is manufactured by the steps of: vaporizing a target material including zinc oxide doped with a dopant by irradiating laser to the target material; and depositing the vaporized target material on a substrate. The dopant is selected from the group consisting of the gallium, aluminum, boron, arsenic, phosphorus, gold, antimony, lithium, nitrogen, copper, silicon, tungsten and niobium.

Abstract translation: 目的：提供使用物理合成的基于氧化锌的掺杂纳米线，通过使用具有热壁和脉冲激光沉积的腔室通过掺杂剂合成具有堆叠形状的氧化锌基纳米线。 构成：通过以下步骤制造基于氧化锌的掺杂纳米线：通过向目标材料照射激光来蒸发掺杂有掺杂剂的氧化锌的靶材料; 以及将蒸发的目标材料沉积在基底上。 掺杂剂选自镓，铝，硼，砷，磷，金，锑，锂，氮，铜，硅，钨和铌。