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公开(公告)号：KR1020100023638A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：KR1020080082512
申请日：2008-08-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C09C1/44 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/19 , C01B2204/04 , C01B2204/06 , C01P2002/77
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a graphene ribbon is provided to obtain massive graphene ribbon which is a high functional carbon material using a simple process. CONSTITUTION: A method for manufacturing a graphene ribbon includes graphene ribbon laminate(2) which cuts a graphite material(1)which spirally grows along a longitudinal axis and decomposes the graphite material into a short ribbon-shaped graphene. The graphene ribbon laminate has a turbostratic laminate or a AA' laminating structure. In a AA' laminated structure, neighboring two carbon atoms which form a hexagonal ring of a second graphene layer(A' layer) are located on a virtual line of a hexagonal ring of a first graphene layer(A layer).
Abstract translation: 目的：提供一种制造石墨烯带的方法，以使用简单的工艺获得大量石墨烯带，其是高功能碳材料。 构成：用于制造石墨烯带的方法包括石墨烯层压板（2），其切割沿着纵向轴线螺旋生长的石墨材料（1），并将石墨材料分解成短的带状石墨烯。 石墨烯带层压板具有涡旋层压板或AA'层压结构。 在AA'层压结构中，形成第二石墨烯层（A'层）的六边形环的相邻两个碳原子位于第一石墨烯层（A层）的六边形环的虚拟线上。
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公开(公告)号：KR100926177B1
公开(公告)日：2009-11-10
申请号：KR1020070130399
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 니켈 폼(Ni foam) 전류포집기(current collector)에 부착된 탄소 나노 파이버(carbon nano fiber, CNF)와 망간 산화물(Manganese oxide, MnO
2 )을 이용한 슈퍼 캐패시터에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명에 의해 제조된 전극은 망간 산화물과 고정된 탄소 나노 파이버의 높은 비표면적의 결합으로 비축전용량(specific capacitance) 및 비에너지 밀도가 큰 슈퍼 캐패시터에 관한 것이다.
망간 산화물(Manganese oxide), 고정형 탄소 나노 파이버(Immobilized carbon nano fibers, CNF), 니켈 폼(Nickel foam), 전기화학 캐패시터(Electrochemical capacitors), 고에너지밀도(High specific energy density)-
公开(公告)号：KR100848818B1
公开(公告)日：2008-07-28
申请号：KR1020070006275
申请日：2007-01-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/27
Abstract: 본 발명은 입자 형상의 모재 표면에 균일한 다이아몬드 막을 증착할 수 있는 CVD 다이아몬드 합성 장치에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명에서는 CVD 다이아몬드 합성용 진공용기를 기울일 수 있는 기구를 설치하고, 또한 이 진공용기 내에 모재 입자가 놓이는 기판을 고정하는 기판지지대를 회전시키는 기구를 설치한다. 이에 따라, 다이아몬드 합성 중에 진공용기를 일정 각도로 기울게 하고 기판지지대를 회전시켜 모재 입자를 움직이게 함으로써, 직경 50㎛ ∼ 5㎜의 모재 입자 상에 균일한 다이아몬드 증착을 가능하게 한다.
CVD, 다이아몬드 합성 장치, 기울임, 회전-
公开(公告)号：KR100683574B1
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：KR1020040083710
申请日：2004-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원 , 헤리엇-와트 유니버시티
CPC classification number: C23C16/0254 , C23C16/01 , C23C16/042 , C23C16/272 , C23C16/274 , C30B25/18 , C30B29/04
Abstract: 본 발명에 따르면 기하학적 형태를 갖는 모재입자 전체 표면에 다이아몬드 막이 증착될 수 있는 모재/다이아몬드 복합체를 제조한다. 또한, 본 발명은 상기 복합체를 이용하여 내부가 비어 있는 다이아몬드 쉘(shell)을 제조하는 방법을 제공한다. 상기 모재/다이아몬드 복합체는 마이크로 크기를 갖는 모재입자 표면에 CVD 법으로 다이아몬드막을 증착하여 제조한다. 또한, 이러한 복합체 제조 과정에 모재 표면의 일부에는 다이아몬드 막이 형성되지 않는 열린 곳(opening)이 있는 부분복합체를 제조하고, 열린 곳을 통해 모재를 에칭 시켜 제거함으로써, 내부가 비어있는 다이아몬드 구조물(쉘)을 제조한다. 모재의 모양을 구, 사면체 및 육면체 등으로 변화시키고, 모재의 크기를 변화시킴에 의해 모양 및 크기에 있어서 다양한 모재/다이아몬드 복합체 및 다이아몬드 쉘을 제조할 수 있다. 제조할 수 있는 모재/다이아몬드 복합체 및 다이아몬드 쉘의 크기는 200 nm ~ 2 mm 이다.
다이아몬드, CVD, 나노, 마이크로, 복합체, 쉘, 에칭-
公开(公告)号：KR100380183B1
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：KR1020000055708
申请日：2000-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A lapping chemical-vapor-deposition(CVD) diamond plate is provided to improve polishing capacity in polishing a hard surface of a CVD diamond wafer, by using a CVD diamond tip composed of 100 percent diamond as a polishing material. CONSTITUTION: A plate has a die(4) and a support unit(5) to be fixed in a polishing apparatus. A mother material(3) is attached and fixed to the upper surface of the die. A diamond layer fabricated on the mother material by a CVD method is cut to a predetermined size to form a plurality of CVD diamond tips(1) in the lapping CVD diamond plate.
Abstract translation: 目的：通过使用由100％金刚石组成的CVD金刚石尖端作为抛光材料，提供抛光化学气相沉积（CVD）金刚石板以提高抛光CVD金刚石晶片的硬质表面的抛光能力。 组成：一个板具有一个模具（4）和一个支撑单元（5），以固定在抛光装置中。 母材（3）附着并固定到模具的上表面。 通过CVD方法在母材上制造的金刚石层被切割成预定尺寸，以在精研CVD金刚石板中形成多个CVD金刚石尖端（1）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100375335B1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020010002721
申请日：2001-01-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/27
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing a diamond film are provided to manufacture a diamond film which is not damaged by accurately controlling temperature of a substrate, thus preventing temperature increase of the substrate during deposition and minimizing temperature gradient on the substrate horizontal surface. CONSTITUTION: In a method for manufacturing diamond film by vapor deposition, the method comprises the process of forming a power layer(9) having fluidity between a substrate(4) on which the diamond film is deposited and a substrate holder(5) so that the power layer(9) is used as a heat transfer medium between the substrate(4) and the substrate holder(5), wherein the powder layer(9) is consisted of a metal or ceramic powder, powder composing the powder layer is powder particles having a diameter of 1 mm or less, a separating preventing member such as a ring is formed on the outer side of the contact part between the substrate and the substrate holder to prevent external separation of the powder layer. The apparatus for manufacturing a diamond film by vapor deposition comprises a substrate on which the diamond film is deposited, a substrate holder holding the substrate, and a vacuum vessel receiving the substrate and substrate holder and connected to a plasma generating equipment, wherein the apparatus further comprises a powder layer formed between the substrate and the substrate holder.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造金刚石膜的方法和设备，以通过精确地控制基板的温度来制造未被损坏的金刚石膜，从而防止沉积期间基板的温度升高并且使基板水平表面上的温度梯度最小化。 本发明的方法包括以下步骤：在通过气相沉积制造金刚石膜的方法中，在其上沉积金刚石膜的基板（4）和基板保持器（5）之间形成具有流动性的功率层（9） （9）用作衬底（4）和衬底支架（5）之间的传热介质，其中粉末层（9）由金属或陶瓷粉末组成，构成粉末层的粉末是粉末 在基板和基板支架之间的接触部分的外侧上形成具有1mm或更小直径的颗粒，诸如环的分离防止构件，以防止粉末层的外部分离。 通过气相沉积制造金刚石膜的设备包括其上沉积金刚石膜的基底，保持基底的基底保持器，以及容纳基底和基底保持器并连接到等离子体发生设备的真空容器，其中该装置进一步 包括在衬底和衬底支架之间形成的粉末层。
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27.发明公开
公开(公告)号：KR1020030001801A
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：KR1020010037563
申请日：2001-06-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/27
CPC classification number: B22F9/16 , B22F2202/13 , B22F2302/406
Abstract: PURPOSE: A process for synthesizing diamond powder having several micrometers or less of small particle size and spherical particle shape by chemical vapor deposition method is provided, and an apparatus which is capable of synthesizing diamond powder in large quantities by modifying structure of a synthesizing apparatus is provided. CONSTITUTION: In a CVD (chemical vapor deposition) diamond synthesizing apparatus for synthesizing a film shaped diamond on the substrate I by forming plasma in a vacuum container(1) thereby decomposing a carbon source reaction gas, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I(3) which is directly contacted with plasma(2), and a substrate II(8) which is mounted on the circumference of the substrate I so that the substrate II is not directly contacted with plasma, wherein the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I which is fabricated in a ring shape, and a substrate II which is mounted on inner and outer parts of the ring shaped substrate I so that the substrate II is not contacted with plasma, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder comprises two or more substrates I for separating plasma into two or more, and a substrate II which is mounted on the circumference of the substrates I so that the substrate II is not contacted with plasma, and wherein the substrate II is installed within 10 cm from plasma with the substrate II not being contacted with plasma.
Abstract translation: 目的：提供一种通过化学气相沉积法合成具有数μm以下的小粒径和球状粒子形状的金刚石粉末的方法，通过改变合成装置的结构能够大量合成金刚石粉末的装置是 提供。 构成：用于通过在真空容器（1）中形成等离子体从而分解碳源反应气体，在基板I上合成膜状金刚石的CVD（化学气相沉积）金刚石合成装置中，合成球形金刚石粉末（7 ）包括与等离子体（2）直接接触的基板I（3）和安装在基板I的圆周上的基板II（8），使得基板II不与等离子体直接接触，其中该装置 用于合成球形金刚石粉末（7）的方法包括制造成环形的基片I和安装在环形基片I的内部和外部的衬底II，使得基底II不与等离子体接触， 用于合成球形金刚石粉末的装置包括两个或更多个用于将等离子体分离成两个或更多个的基板I和安装在基板I的圆周上的基板II， 衬底II不与等离子体接触，并且其中衬底II安装在等离子体的10cm内，衬底II不与等离子体接触。
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公开(公告)号：KR101625482B1
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020140076000
申请日：2014-06-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0453 , C01B32/186
Abstract: 본발명은 10 nm 이하의그라핀나노분말을시드로이용하여시드크기이상인그라핀 (graphene) 시트로성장시키는방법에관한것이다. 또한본 발명에서는그라핀시트가 2 내지 20층적층된흑연시트 (graphite sheet)를제조할수 있다. 기판상에그라핀나노분말 (무질서하게분포)을준비한후, 화학증착장치에서탄화수소가스가포함된가스를이용하여 CVD 처리함에의해탄소시트 (즉, 그라핀및 흑연시트)를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101253050B1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：KR1020100139525
申请日：2010-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/20 , Y02E60/324
Abstract: 본 발명은 그라핀이 3차원적으로 무질서하게 존재하는 불규칙흑연 및 나노리본상 그라핀을 이용한 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 불규칙흑연은 그라핀이 3차원적으로 무질서하게 존재하는 것이고, 본 발명의 불규칙흑연의 제조방법은 (a) 나노리본상 그라핀을 준비하는 단계, (b) 유기용매에 상기 그라핀을 분산시켜 분산용액을 형성하는 단계 및 (c) 상기 분산용액을 건조시켜, 상기 그라핀이 3차원적으로 무질서하게 존재하는 불규칙흑연을 제조하는 단계를 포함하는 것이다.
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