-
公开(公告)号：KR1020120130815A
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020110048804
申请日：2011-05-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/3464 , C23C14/5806
Abstract: PURPOSE: A dielectric thin film for low-temperature processing and a manufacturing method thereof are provided to have high dielectric constant and to lower dielectric loss and leakage current. CONSTITUTION: A dielectric thin film for low-temperature processing has the following formula. The formula is as follows: TaxMg1-xO. In the formula, x indicates 0.082
Abstract translation: 目的：提供一种用于低温处理的电介质薄膜及其制造方法，其具有高介电常数和降低介质损耗和漏电流。 构成：用于低温处理的电介质薄膜具有以下公式。 公式如下：TaxMg1-xO。 在公式中，x表示0.082 <= x <= 0.89。 通式的x为0.35 <= x <= 0.50或0.80 <= x <= 0.89。 介电薄膜在室温下沉积至350度。 摄氏度。 电介质薄膜在沉积后比沉积温度高的温度进行热处理。 电介质薄膜在300-380℃进行热处理。 电介质薄膜的制造方法包括以下步骤：在室温至350℃的沉积温度下将具有TaxMg1-xO组成的薄膜沉积。 摄氏度。
-
公开(公告)号：KR1020120121511A
公开(公告)日：2012-11-06
申请号：KR1020110039370
申请日：2011-04-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , B82B3/00
Abstract: PURPOSE: A metal oxide semiconductor gas sensor having a nano structure and a manufacturing method thereof are provided to enhance the sensitivity of a gas sensor by allowing each contact between a target gas and a gas sensing layer because a metal oxide semiconductor having a nano structure, formed by using an oblique angle deposition method, is used as the gas sensing layer. CONSTITUTION: A metal oxide semiconductor gas sensor having a nano structure comprises a substrate(100), a first electrode(200), a gas sensing layer(300), a second electrode(400), and a controlling unit(500). The first electrode is formed on the top of the substrate. The gas sensing layer has a nano structure and is composed of a metal semiconductor. The gas sensing unit reacts with a target gas so that the electrical conductivity is changed. The gas sensing layer is formed by an oblique angle deposition method. The second electrode is formed on the top of the metal oxide semiconductor. The controlling unit measures the electrical conductivity of the gas sensing layer by letting predetermined current flow through the first and second electrodes, thereby sensing the target gas. [Reference numerals] (500) Controlling unit
Abstract translation: 目的：提供一种具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法，其特征在于，由于具有纳米结构的金属氧化物半导体，能够使目标气体和气体感应层之间的各接触，提高气体传感器的灵敏度， 通过使用斜角沉积法形成，被用作气体感测层。 构成：具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器包括基板（100），第一电极（200），气体感测层（300），第二电极（400）和控制单元（500）。 第一电极形成在基板的顶部。 气体感测层具有纳米结构，由金属半导体构成。 气体检测单元与目标气体反应，从而改变导电性。 气体感测层通过斜角沉积法形成。 第二电极形成在金属氧化物半导体的顶部。 控制单元通过使预定电流流过第一和第二电极来测量气体感测层的电导率，从而感测目标气体。 （附图标记）（500）控制单元
-
公开(公告)号：KR1020110109109A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100028684
申请日：2010-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B3/00
Abstract: 고분자 미세 구형체를 이용하여 제작된 공허 반구체 형태의 3차원 구조 산화물 박막 가스 센서는 기존의 평면 박막 가스 센서에 비해 2~4배 정도 높은 감응도를 나타낸다. 이렇게 2~4배 정도의 감응도 향상을 가지는 이유는 공허 반구체 형태의 3차원구조 산화물 박막에서 그 표면적이 평면 박막에 비해 2~4배이기 때문이다. 다시 말해서 표면적 증가가 그에 상응하는 감응도 향상으로 나타나게 된 것이다. 하지만, 공허 반구체 형태의 산화물 박막 가스 센서가 고감도 유해공기차단 시스템이나 환경모니터링 시스템에 이용되기 위해서는 2~4배 보다 더 큰 감응도 향상이 필요한 실정이다. 가령 산화물 나노입자 구형체를 이용하면 평면 박막 가스 센서 대비 5배 이상의 감응도 향상을 가져올 수 있다. 본 발명에서는 간단한 플라즈마 처리를 이용하여 공허 반구체 산화물 박막의 나노구조 형상을 제어하고 이를 통해 가스 센서 박막의 감응도를 획기적으로 향상시켰다. 본 발명에서 개발된 나노구조 공허 반구체 TiO
2 가스 센서는 종래에 보고된 TiO
2 가스 센서보다 더 높은 CO 가스 감응도와 빠른 응답속도 및 회복 속도를 보여준다.-
公开(公告)号：KR1020110064863A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121617
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L35/24 , H01L21/205 , B82B3/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-structured compound thermoelectric semiconductor by a metal organic chemical vapor deposition method is provided to economically increase a thermoelectric index of a thermoelectric element. CONSTITUTION: A metal organic compound precursor is transferred to a reaction tube(S01). The metal organic compound precursor is thermally decomposed(S02). The thermally decomposed precursor is crystallized by a nano size unit(S03). The crystallized precursor is applied on a substrate to form a thin film or a thick film(S04).
Abstract translation: 目的：提供一种通过金属有机化学气相沉积法制造纳米结构化合物热电半导体的方法，以经济地增加热电元件的热电指数。 构成：将金属有机化合物前体转移至反应管（S01）。 金属有机化合物前体被热分解（S02）。 热分解的前体通过纳米尺寸单元（S03）结晶。 将结晶的前体施加在基板上以形成薄膜或厚膜（S04）。
-
公开(公告)号：KR1020130102206A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023257
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A planar multi-stage thermoelectric module and a method for fabricate the same are provided to improve thermoelectric performance by stacking at least two thermoelectric elements in a planar direction. CONSTITUTION: An insulation membrane is formed on a substrate. A thermoelectric element (100) is formed on the insulation membrane. The thermoelectric element includes thermoelectric cells (10,20). The thermoelectric cells and a thermoelectric thin film are electrically connected by electrode lines (15,25). The thermoelectric element is multistage-arranged in the planar direction of the insulation membrane.
Abstract translation: 目的：提供一种平面多级热电模块及其制造方法，以通过在平面方向堆叠至少两个热电元件来提高热电性能。 构成：在基板上形成绝缘膜。 在绝缘膜上形成热电元件（100）。 热电元件包括热电池（10,20）。 热电池和热电薄膜通过电极线（15,25）电连接。 热电元件在绝缘膜的平面方向上多级布置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101305556B1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：KR1020110040673
申请日：2011-04-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 투명 산화물 전극을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 감지 전극; 및 상기 감지 전극 상에 형성된 가스 감응 물질층을 포함하고, 상기 감지 전극이 투명 전도성 산화물 박막으로 구성된 가스 센서 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 감지 전극이 투명 산화물 전극으로 구성되어, 저가격화를 도모함과 동시에 감응도가 향상되고, 높은 신뢰성 및 투명성 등을 갖는다.
-
公开(公告)号：KR1020130066047A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110132714
申请日：2011-12-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity transparent gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve sensitivity by a nano columnar structure, thereby obtaining excellent gas sensitivity. CONSTITUTION: A high-sensitivity transparent gas sensor comprises a transparent substrate(10), a transparent electrode(20), and a transparent gas sensing layer(30). The transparent electrode is formed on the transparent substrate. The transparent gas sensing layer is formed on the transparent electrode. The transparent gas sensing layer includes nano columns(32) formed on the transparent electrode and a nano columnar structure including gas spreading gaps(34) formed between the nano columns.
Abstract translation: 目的：提供一种高灵敏度透明气体传感器及其制造方法，以通过纳米柱状结构提高灵敏度，从而获得优异的气体敏感性。 构成：高灵敏度透明气体传感器包括透明基板（10），透明电极（20）和透明气体感测层（30）。 透明电极形成在透明基板上。 透明气体感测层形成在透明电极上。 透明气体感测层包括形成在透明电极上的纳米柱（32）和包括在纳米柱之间形成的气体扩散间隙（34）的纳米柱状结构。
-
公开(公告)号：KR101219474B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020110048804
申请日：2011-05-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/3464 , C23C14/5806
Abstract: 본 발명은 유전체 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 하기 일반식의 조성을 가지는 유전체 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 하기 일반식으로 표시되는 특정의 조성을 포함하여 우수한 유전 특성을 갖는다. 특히, 350℃ 이하의 낮은 온도(상온 내지 350℃)에서 형성(증착)되었음에도 불구하고, 비유전율은 매우 높으면서, 유전손실과 누설전류가 매우 낮은 특성을 갖는다.
[일반식]
Ta
x Mg
1
-
x O
위 일반식에서, x는 0.082 ≤ x ≤ 0.89이다.-
公开(公告)号：KR101213606B1
公开(公告)日：2012-12-18
申请号：KR1020110043928
申请日：2011-05-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은산화물박막소자의제조방법에관한것이다. 본발명은성장기판상에산화물박막을형성하는단계; 상기산화물박막상에소자기판을접합하는단계; 상기성장기판에레이저를조사하여성장기판과산화물박막을분리하는단계; 및상기분리된산화물박막의표면에산소플라즈마를가하여산화및 표면처리하는단계를포함한다. 본발명에따르면, 레이저조사에의해발생된산화물박막의표면결함층이산소플라즈마에의해산화및 표면처리되어우수한물성을가지는산화물박막소자를제조할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020120126266A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110043928
申请日：2011-05-11
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L41/331 , C04B35/462 , C04B35/491 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/39
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film device is provided to have excellent physical properties by oxidizing and surface-processing a surface defect layer with oxygen plasma. CONSTITUTION: An oxide thin film(12) is formed a growth substrate(11). A first electrode layer is formed on the oxide thin film. An element substrate is welded on the oxide thin film. The growth substrate is irradiated with laser. The oxide thin film is separated from the growth substrate. Oxygen plasma is added on the surface of the separated oxide thin film. The oxide thin film is oxidized and surface-processed. A second electrode layer is formed on the oxide thin film. [Reference numerals] (AA) Laser beam; (BB) Oxidation and surface processing
Abstract translation: 目的：通过用氧等离子体氧化和表面处理表面缺陷层，提供一种制造氧化物薄膜器件的方法以具有优异的物理性能。 构成：生长衬底（11）形成氧化物薄膜（12）。 在氧化物薄膜上形成第一电极层。 将元件基板焊接在氧化物薄膜上。 用激光照射生长衬底。 氧化物薄膜与生长衬底分离。 在分离的氧化物薄膜的表面上添加氧等离子体。 氧化物薄膜被氧化并进行表面处理。 在氧化物薄膜上形成第二电极层。 （附图标记）（AA）激光束; （BB）氧化和表面处理
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.024 seconds)
