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公开(公告)号：KR101575854B1
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140085341
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
Abstract: 태양전지용웨이퍼구조체는초박형웨이퍼; 및광 흡수를증가시키기위해상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를포함하되, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다. 또한, 태양전지용웨이퍼구조체의제조방법은초박형웨이퍼의표면에에치(etch) 마스크또는금속촉매박막을형성하는단계; 상기마스크또는금속촉매박막이형성된상기초박형웨이퍼를에칭하는단계; 및상기에치마스크또는금속촉매박막을제거함으로써, 상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를형성하는단계;를포함하되, 나노리소그라피(nanolithography)를이용하며, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다.
Abstract translation: 用于太阳能电池的晶片结构包括超薄型晶片和周期性地布置在超薄型晶片的表面上以增加光吸收的多个纳米结构。 纳米结构呈盘状。 此外，制造太阳能电池的晶片结构的方法包括：在超薄型晶片的表面上形成蚀刻掩模或金属催化剂薄膜的步骤; 蚀刻其上形成有掩模或金属催化剂薄膜的超薄型晶片的步骤; 以及通过去除蚀刻掩模或金属催化剂薄膜来形成周期性地设置在超薄型晶片的表面上的多个纳米结构的步骤。 使用纳米光刻制造晶片结构; 并且纳米结构是盘的形状。
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22.发明授权나노 결정질 다이아몬드를 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어진 도파로의 제조 방법 有权使用纳米金刚石的衰减总反射型波形谐振传感器和制造纳米晶金刚石波导的方法
公开(公告)号：KR101391179B1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020120110684
申请日：2012-10-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 감쇠전반사(attenuated total reflection; ATR)형도파로모드공진센서는, 시료와접촉하도록구성되며나노결정질다이아몬드(nanocrystalline diamond; NCD)로이루어지는도파로층을포함하여구성될수 있다. ATR형도파로모드공진센서에입사된입사광에의해도파로층에정상파가생성되는입사광의입사각도를측정할수 있다. NCD로이루어진도파로는, 탄화수소를포함하는원료기체를사용한열 필라멘트화학기상증착(Hot Filament Chemical Vapor Deposition) 공정에의하여형성될수 있다. 이때, 기판의온도, 필라멘트와기판사이의거리및 원료기체에서탄화수소의비율중 하나이상을조절함으로써 NCD의결정립크기를제어할수 있다.
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公开(公告)号：KR101919487B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020170117578
申请日：2017-09-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 본발명은반도체기판을텍스쳐링하는방법과, 이방법에의해제조된반도체기판, 그리고, 이러한반도체기판을포함하는태양전지를개시하고있다. 본발명의일실시예는, 반도체기판상에금속나노입자를형성하는금속나노입자형성단계와, 상기반도체기판을에칭하는제1 식각단계와, 상기금속나노입자를제거하는금속나노입자제거단계, 그리고, 상기제1 식각단계에서에칭된반도체기판을에칭하여나노구조체를형성하는제2 식각단계를포함하는반도체기판을텍스쳐링하는방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101853727B1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：KR1020160025303
申请日：2016-03-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 양파모양탄소(Onion-Like Carbon; OLC)의제조방법은, 나노다이아몬드파우더(nanodiamond powder)를 1000℃내지 1400℃의온도로어닐링(annealing)하는단계를포함한다. 상기어닐링하는단계에의해, 탄소원자간에 sp결합을이루는다이아몬드코어, 및상기코어의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp결합을이루되인장변형에의해탄소원자간의결합이손상된결함(defect)을포함하는그래핀(graphene) 쉘이형성된다. 어닐링온도를제어함으로써 OLC의최외곽쉘에인장변형에의한결함을생성할수 있으며, 생성된결함은 OLC의전기화학적특성을향상시킬수 있다. 그결과, OLC를전극재료로사용할경우종래와같은별도의후처리공정없이도전기화학적특성이우수한전극을얻을수 있으며, 전극제조공정이간소화될수 있다.
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公开(公告)号：KR101773951B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160074557
申请日：2016-06-15
IPC: H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L31/18 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L21/02063 , H01L21/32139 , H01L21/67098 , H01L29/0665 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 본발명은텍스처링된반도체기판에있어서, 상기반도체기판이텍스쳐링된포물선형구조체와상기포물선형구조체의표면과상기반도체기판의표면을포함하는전체표면에는일정간격의나노홀구조를구비하되, 상기포물선형구조체의표면에는복수의나노홀구조가형성된것을특징으로하는텍스처링된반도체기판을제공한다.
Abstract translation: 但是，本发明设置有纹理化半导体衬底上的一个预定距离的纳米孔结构，所述整个表面包括表面和与该抛物面结构纹理化半导体衬底的抛物线状结构的所述半导体衬底的表面上，该抛物线 类型结构和多个纳米孔结构形成在基板的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101731497B1
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020150082816
申请日：2015-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160004131A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：KR1020140082635
申请日：2014-07-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 센싱전극의제조방법은, 나노다이아몬드파우더를열처리함으로써, 탄소원자간에 sp3 결합을이루는제1 부분및 상기제1 부분의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp2 결합을이루는제2 부분을포함하는버키(bucky) 다이아몬드를형성하는단계; 및상기버키다이아몬드를재료로센싱전극을형성하는단계를포함할수 있다. 상기센싱전극은산 또는암모니아에의한처리등의파괴공법을거치치않는단순한열처리공정을통해제조되어결함(defect)이적고, 저분자(small molecule)의고 선택도(high selectivity) 및고 감도(sensitivity) 동시센싱(simultaneous sensing)이가능한이점이있다.
Abstract translation: 感应电极的制造方法可以包括：在第一部分的外侧形成包含在碳原子之间形成sp3键的第一部分和形成碳原子之间的sp2键的第二部分的负极金刚石的步骤，通过退火 纳米金刚石粉; 以及使用该金刚石作为材料形成感测电极的步骤。 传感电极通过简单的热处理工艺制造而不经过诸如酸或氨处理的拆除方法，因此具有小分子选择性高，灵敏度高，同时感测少的缺点。
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公开(公告)号：KR101573724B1
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020130143068
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/008 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G01N21/554 , G02B5/0278 , G03F7/2014 , G03F7/70375
Abstract: 나노안테나배열제조방법은기판위에레지스트층을형성하는단계; 상기레지스트층위에유전체마이크로구조체배열을포함하는포커싱층을형성하는단계; 선형디퓨저를이용하여빛을일 방향으로산란시키는단계; 상기선형디퓨저에의해산란된빛을상기포커싱층및 상기레지스트층에조사시킴으로써상기레지스트층에비등방성의패턴을형성하는단계; 상기기판및 상기패턴이형성된레지스트층에플라즈모닉공진특성을갖는물질을증착하는단계; 및상기레지스트층및 상기레지스트층상에증착된물질을제거함으로써상기기판상에나노안테나배열을형성하는단계를포함할수 있다. 상기선형디퓨저에의한빛의산란각도및 상기유전체마이크로구조체의크기는형성하고자하는패턴의종횡비에기초하여결정된다.
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29.发明授权나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층을 이용한 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서 및 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법 有权使用多孔纳米金刚石层的衰减总反射型波形谐振传感器和制造多孔纳米金刚石层的波导形成方法
公开(公告)号：KR101565892B1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020140051703
申请日：2014-04-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 감쇠전반사(attenuated total reflection; ATR)형도파로모드공진센서는, 시료와접촉하도록구성되며나노결정질다이아몬드(nanocrystalline diamond; NCD)로이루어지는다공성층형태의도파로층을포함하여구성될수 있다. NCD로이루어지는다공성층형태의도파로제조방법은, 기판상에나노결정질다이아몬드를포함하는시드입자를형성하는단계; 상기기판및 필라멘트가위치하는반응챔버에원료기체를주입하는단계; 상기기판을가열하는단계; 상기필라멘트를가열하여상기원료기체를활성화시키는단계; 가열된상기필라멘트를이용하여상기시드입자와상기기판사이의정전기적인력을감소시킴으로써, 상기시드입자의브라운운동에의해상기시드입자를상기기판으로부터분리하는단계; 활성화된상기원료기체를이용하여, 상기기판으로부터분리된상기시드입자상에나노결정질다이아몬드를성장시키는단계; 및상기시드입자를상기기판상에석출시키는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 衰减全反射（ATR）型波导模式共振传感器被配置为与样品接触并且可以包括包括多孔纳米晶体金刚石（NCD）层的波导层。 用于制造由多孔NCD层制成的波导的方法包括以下步骤：在衬底的顶部上形成包括NCD的种子颗粒; 将原料气体注入到具有基材和置于其中的细丝的反应室中; 加热基板; 通过加热丝来活化原料气体; 通过使用加热的细丝减少种子颗粒和基底之间的静电吸引力，通过种子颗粒的布朗运动从种子颗粒与基质分离; 使用活化的原始气体从与基底分离的种子颗粒顶部生长NCD; 并将种子颗粒沉积在基底的顶部上。
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公开(公告)号：KR101499487B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130130712
申请日：2013-10-31
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B5/206 , B82Y20/00 , C23C14/0015 , C23C14/0688 , C23C14/3464 , G02B5/008 , G02B5/26 , Y10S977/932
Abstract: 플라즈모닉 나노 칼라 코팅층은 복수 개의 금속 입자층 및 복수 개의 기지상층을 포함하며, 상기 금속 입자층 및 상기 기지상층이 교대로 배열된 주기적 다층구조를 갖는 복합체층; 상기 복합체층 아래에 위치하는 유전체 버퍼층; 및 상기 유전체 버퍼층 아래에 위치하는 거울층을 포함하되, 상기 플라즈모닉 나노 칼라 코팅층의 색상은 상기 금속 입자층의 두께 및 상기 금속 입자층들 간의 간격에 기초하여 결정된다.
Abstract translation: 等离子体纳米彩色涂层包括：复合层，包括多个金属颗粒层和多个上基层，并且具有周期性多层结构，其中金属颗粒层和上基层交替布置; 位于复合层下面的介电缓冲层; 以及位于介质缓冲层下方的镜面层。 基于金属颗粒层的厚度和金属颗粒层之间的间隙来确定等离子体激元纳米彩色涂层的颜色。
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