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    이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법, 이로부터 제조된 CIS계 광활성층 박막 및 상기 박막을 포함하는 박막 태양전지
    26.
    发明授权
    이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법, 이로부터 제조된 CIS계 광활성층 박막 및 상기 박막을 포함하는 박막 태양전지 有权
    CIS CIS制备CIS基膜的方法，由其制备的基于CIS的膜和包括CIS基膜的薄膜太阳能电池

    公开(公告)号：KR101582121B1

    公开(公告)日：2016-01-05

    申请号：KR1020140040122

    申请日：2014-04-03

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김홍곤 ,  이도권 ,  김진영 ,  정다운 ,  한승희 ,  김봉수 ,  손해정 ,  고민재 ,  정증현 ,  김동환

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은이종적층형 CIS계광활성층박막의제조방법, 이로부터제조된 CIS계박막및 상기박막을포함하는박막태양전지에관한것으로전착된 CIS계박막을 5 내지 20 ℃/분의승온속도로 25 ℃에서 400 내지 580 ℃까지온도를상승시켜열처리함으로써제조되는 CIS계광활성층박막의제조방법으로서, a) CIS계화합물을구성하는원소들의전구체가용해된전해질용액내에작업전극을침지시킨후 상기작업전극에환원전압또는전류를인가하여 CIS계박막을전착하는단계; b) 전착된 CIS계박막을황(S) 함유기체분위기에서 150 내지 320 ℃에서제1 열처리함으로써상기 CIS계박막표면에황(S)을흡착시키는단계; 및 c) 표면에황(S)이흡착된 CIS계박막을셀레늄(Se) 함유기체분위기에서승온하여제2 열처리하는단계;를포함함으로써, CIS계광활성층박막의표층부의일부셀레늄이황으로치환되며내부는치밀한 CIS계박막을그대로유지하므로광활성층의유효밴드갭및 발생전류는변화없이그대로유지하면서전압상승효과를이뤄태양전지의광전변환효율을향상시킬수 있다.

    이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법, 이로부터 제조된 CIS계 광활성층 박막 및 상기 박막을 포함하는 박막 태양전지
    27.
    发明公开
    이종 적층형 CIS계 광활성층 박막의 제조방법, 이로부터 제조된 CIS계 광활성층 박막 및 상기 박막을 포함하는 박막 태양전지 有权
    用于制备基于CIS的膜的方法，其制备的基于CIS的膜和包括基于CIS的膜的膜太阳能电池

    公开(公告)号：KR1020150115312A

    公开(公告)日：2015-10-14

    申请号：KR1020140040122

    申请日：2014-04-03

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김홍곤 ,  이도권 ,  김진영 ,  정다운 ,  한승희 ,  김봉수 ,  손해정 ,  고민재 ,  정증현 ,  김동환

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은이종적층형 CIS계광활성층박막의제조방법, 이로부터제조된 CIS계박막및 상기박막을포함하는박막태양전지에관한것으로전착된 CIS계박막을 5 내지 20 ℃/분의승온속도로 25 ℃에서 400 내지 580 ℃까지온도를상승시켜열처리함으로써제조되는 CIS계광활성층박막의제조방법으로서, a) CIS계화합물을구성하는원소들의전구체가용해된전해질용액내에작업전극을침지시킨후 상기작업전극에환원전압또는전류를인가하여 CIS계박막을전착하는단계; b) 전착된 CIS계박막을황(S) 함유기체분위기에서 150 내지 320 ℃에서제1 열처리함으로써상기 CIS계박막표면에황(S)을흡착시키는단계; 및 c) 표면에황(S)이흡착된 CIS계박막을셀레늄(Se) 함유기체분위기에서승온하여제2 열처리하는단계;를포함함으로써, CIS계광활성층박막의표층부의일부셀레늄이황으로치환되며내부는치밀한 CIS계박막을그대로유지하므로광활성층의유효밴드갭및 발생전류는변화없이그대로유지하면서전압상승효과를이뤄태양전지의광전변환효율을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及不同层叠型CIS系光敏层薄膜及其制造的CIS系光敏薄膜的制造方法以及包含该薄膜的薄膜太阳能电池。 通过以5〜20℃/分钟的升温速度从25℃升温至400〜580℃，对电沉积的CIS系薄膜进行热处理，从而制造CIS系的光活性层薄膜。 制造方法包括：a）将工作电极浸渍在电解质溶液中，其中构成CIS系化合物的元素的前体溶解，向工作电极施加还原电压或电流，并电沉积CIS 基薄膜; b）首先在含硫（S）气体气氛中，在150〜320℃下电解沉积的CIS基薄膜，并在CIS基薄膜的表面上吸收硫（S）的步骤; 以及c）通过增加含硒（Se）的气体气氛中的温度来二次热处理其中S吸收在表面上的CIS基薄膜的步骤。 因此，本发明的方法可以在保持有源带隙和光活性层的诱发电流的同时，提高成功的电压增加效果的同时提高太阳能电池的光电转换效率，因为内部保持基于密集的CIS基薄膜，而一些 基于CIS的光敏层薄膜的表面层的硒被S替代。

    다층 구조의 투명 전극을 포함하는 태양전지
    28.
    发明公开
    다층 구조의 투명 전극을 포함하는 태양전지 无效
    太阳能电池，包括具有多层结构的透明电极

    公开(公告)号：KR1020150048304A

    公开(公告)日：2015-05-07

    申请号：KR1020130127882

    申请日：2013-10-25

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 정증현 ,  김원목 ,  백영준 ,  김홍곤 ,  노재훈 ,  박종극

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0725 ,  H01G9/20 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749

    Abstract: 태양전지는기판, 후면전극, 제1 광흡수층이차례로적층된제1 태양전지셀; 및제1 태양전지셀 상에아연주석산화물을포함하는적어도하나의제1 전극층과투명전극물질을포함하는적어도하나의제2 전극층이적층된다층구조의투명전극을포함한다. 이에따라, 내수분성및 내화학성이우수하고동시에전기전도성이향상된태양전지를제공할수 있다.

    Abstract translation: 太阳能电池包括：第一太阳能电池，其中基板，背面电极，第一光吸收层被连续堆叠; 以及具有多层结构的透明电极，其中层叠有在第一太阳能电池上包括锌薄氧化物的至少一个第一电极层和包括透明电极材料的至少一个第二电极。 因此，可以提供具有优异的耐湿性和耐化学性能以及改善的导电性的太阳能电池。

    무동력 태양광 추적기능이 구비된 집광형 태양광 발전장치
    29.
    发明公开
    무동력 태양광 추적기능이 구비된 집광형 태양광 발전장치 有权
    具有非功率太阳光跟踪功能的聚光灯装置

    公开(公告)号：KR1020140021839A

    公开(公告)日：2014-02-21

    申请号：KR1020120087797

    申请日：2012-08-10

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이택성 ,  김인호 ,  이경석 ,  장준연 ,  변석주 ,  노주원 ,  정증현

    IPC: F24J2/38 ,  H01L31/042

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H02S20/32 ,  H01L31/042

    Abstract: Disclosed is a light-collecting type solar energy generating device with a powerless sunlight tracing function which includes a solar cell panel unit (200) producing electricity by utilizing sunlight; a solar cell unit which includes a sunlight collecting unit forming a focus of sunlight on the top surface of the solar cell panel unit (200) by collecting incident sunlight which is formed on the top of the solar cell panel unit (200); a sunlight tracing unit (300) which is composed of an expandable member (310) and a fixed member (320) having different thermal expansion indexes and which controls the top surface of the solar cell panel unit (200) to face the sunlight while being bent in one direction by heat transmitted from the solar cell panel unit (200). [Reference numerals] (AA) Sunlight

    Abstract translation: 公开了一种具有无功功率的太阳能追踪功能的集光型太阳能发电装置，其包括利用太阳光发电的太阳能电池面板单元（200） 太阳能电池单元，其包括通过收集形成在太阳能电池面板单元（200）的顶部上的入射太阳光而在太阳能电池面板单元（200）的顶表面上形成阳光聚焦的太阳光收集单元; 阳光追踪单元（300），其由可膨胀构件（310）和具有不同热膨胀指数的固定构件（320）组成，并且控制太阳能电池面板单元（200）的顶表面面对阳光，同时 通过从太阳能电池面板单元（200）传递的热量在一个方向上弯曲。 （附图标记）（AA）阳光

    높은 변형율과 빠른 동작 속도를 가진 초소형 작동기와 그 제조 방법
    30.
    发明公开
    높은 변형율과 빠른 동작 속도를 가진 초소형 작동기와 그 제조 방법 有权
    具有大排量和高运行速度的微型致动器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110094294A

    公开(公告)日：2011-08-23

    申请号：KR1020117012409

    申请日：2008-11-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이수연 ,  정증현 ,  정병기 ,  김원목 ,  정두석

    IPC: H01L41/113 ,  H01L41/08

    CPC classification number: F03G7/065

    Abstract: PURPOSE: A micro-actuator with large displacement and high operation speed and a manufacturing method thereof are provided to prevent the chemical reaction between a substrate and phase change films by forming a buffer between the substrate and phase change films. CONSTITUTION: In a micro-actuator with large displacement and high operation speed and a manufacturing method thereof, a substrate(10) is prepared. A buffer film is deposited in a substrate through a sputtering and evaporation deposition. A phase change film(30) is deposited the buffer layer(20) by using sputtering or the evaporation deposition on A protective insulating film(40) is evaporated on the phase change film. A current pulse supply unit supplies thermal energy to induce the phase change of the phase change film.

    Abstract translation: 目的：提供一种具有大位移和高运行速度的微致动器及其制造方法，以通过在基板和相变膜之间形成缓冲器来防止基板与相变膜之间的化学反应。 构成：在具有大位移和高操作速度的微型致动器及其制造方法中，制备基板（10）。 通过溅射和蒸发沉积在衬底中沉积缓冲膜。 通过使用溅射法将缓冲层（20）沉积在相变膜（30）上，或者将保护绝缘膜（40）上的蒸发沉积蒸发在相变膜上。 电流脉冲供应单元提供热能以引起相变膜的相变。

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