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公开(公告)号：KR1020040079451A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：KR1020030014204
申请日：2003-03-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/10
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an electrical phase change memory device is provided to perform a phase change process in low operating current by using a heat generation and isolation layer. CONSTITUTION: An active region as a source and a drain and a cell selection transistor are formed on a silicon substrate(20). An interlayer dielectric(23) is deposited thereon. A contact is formed by performing a photoresist process and an etch process. Conductive contact materials(24) such as tungsten and titanium nitride are deposited thereon. A heat generation and isolation layer(25,25-1) is formed on the contact materials. Phase change materials(26,26-1) are deposited on the heat generation and isolation layer. A unit cell memory structure is formed by patterning the heat generation and isolation layer, the phase change materials, and a metal electrode formed on the phase change materials.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电相变存储器件的方法，通过使用发热和隔离层来执行低工作电流的相变过程。 构成：在硅衬底（20）上形成作为源极的有源区和漏极以及电池选择晶体管。 在其上沉积层间电介质（23）。 通过进行光致抗蚀剂工艺和蚀刻工艺形成接触。 诸如钨和氮化钛的导电接触材料（24）沉积在其上。 在接触材料上形成发热隔离层（25,25-1）。 相变材料（26,26-1）沉积在发热隔离层上。 通过图案化形成在相变材料上的发热隔离层，相变材料和金属电极来形成单元存储结构。
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公开(公告)号：KR101061526B1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020080132248
申请日：2008-12-23
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0758
Abstract: 본 발명은 전자빔 리소그래피용 레지스트에 관한 것으로서 더욱 구체적으로는 두 종류의 유기 실록산 화합물을 공중합한 네가티브형 레지스트에 관한 것이다. 본 발명의 전자빔 리소그래피용 레지스트를 이용하면, 전자빔에 대한 감도가 높을 뿐만 아니라 제조가 용이하고 장기간 보관하여도 레지스트 특성이 보다 균일하여 더욱 우수한 품질의 반도체 소자의 제조가 가능한 효과가 있다.
리소그래피, 네가티브, 레지스트, 알콕시실란, 공중합Abstract translation: 用于电子束光刻的抗蚀剂技术领域本发明涉及用于电子束光刻的抗蚀剂，并且更具体地涉及其中共聚两种有机硅氧烷化合物的负型抗蚀剂。 与电子束光刻抗蚀剂本发明的，不仅电子束的高灵敏度以及易于制造，并且具有能够制造更加优良的品质，并且还更均匀的特性的半导体装置以抵抗长期储存的效果。
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公开(公告)号：KR1020070102295A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020060034258
申请日：2006-04-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: A unit cell of a multi-bit phase changeable memory device is provided to control independently each state of one unit cell according to the phase change of a phase changeable material in spite of the same CDs(Critical Dimensions) of phase changeable layers by forming a parallel structure together with the phase changeable material using a predetermined material with a proper electric resistivity between first resistivity of a crystalline phase of the phase changeable material and a second resistivity of an amorphous phase of the phase changeable material. A unit cell of a phase changeable memory device includes a phase changeable layer(112) and an auxiliary resistive layer. The auxiliary resistive layer(111) is arranged parallel with the phase changeable layer in the same layer as that of the phase changeable layer. A plurality of phase changeable layers and auxiliary resistive layers are capable of being alternately arranged in the same layer. The auxiliary resistive layer has a predetermined resistivity between a first resistivity and a second resistivity. The first resistivity is obtained from the phase changeable layer of a crystalline phase. The second resistivity is acquired from the phase changeable layer of an amorphous phase.
Abstract translation: 提供多位相位可变存储器件的单位单元，用于根据可相变材料的相位变化来独立地控制一个单元电池的每个状态，尽管通过形成相变层可以具有相同的CD（临界尺寸） 使用具有在相变材料的结晶相的第一电阻率和可相变材料的非晶相的第二电阻率之间具有适当电阻率的预定材料的相变材料。 相变存储器件的单元单元包括相变层（112）和辅助电阻层（112）。 辅助电阻层（111）与相变层平行地设置在与相变层相同的层中。 多个相变层和辅助电阻层能够交替布置在同一层中。 辅助电阻层在第一电阻率和第二电阻率之间具有预定的电阻率。 第一电阻率是从结晶相的相变层获得的。 从非晶相的相变层获取第二电阻率。
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公开(公告)号：KR1020070073464A
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020060001407
申请日：2006-01-05
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L21/0228 , B82Y10/00 , H01L21/02046
Abstract: A quantum dot forming method is provided to control a spacious density of quantum dots and to improve the uniformity of size of the quantum dots by using an ALD(Atomic Layer Deposition). A material precursor is supplied into a chamber in order to form a material precursor layer on a substrate(102). Quantum dots are formed on the substrate by reducing or reacting ligand of the material precursor layer. An aiming quantum dot layer with high spacious density and a uniform quantum dot size is formed on the substrate by performing repeatedly the material precursor layer forming process and the quantum dot forming process.
Abstract translation: 提供量子点形成方法来控制量子点的宽度密度，并通过使用ALD（原子层沉积）来提高量子点尺寸的均匀性。 将材料前体供应到室中以在基板（102）上形成材料前体层。 通过还原或反应材料前体层的配体，在衬底上形成量子点。 通过重复进行材料前体层形成工艺和量子点形成工艺，在衬底上形成具有高空间密度和均匀量子点尺寸的瞄准量子点层。
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公开(公告)号：KR1020070036499A
公开(公告)日：2007-04-03
申请号：KR1020050091588
申请日：2005-09-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: B81C1/00111 , B82B3/0038
Abstract: 본 발명은 양극산화를 통해 물질층을 산화시킬 때 형성되는 나노 포어의 크기 및 깊이 균일도를 확보할 수 있는 나노 구조체의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 실리콘웨이퍼 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘산화막을 선택적으로 식각하여 완만한 곡률의 측벽 모양을 갖는 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 포함한 실리콘산화막 상에 전도성막을 형성하는 단계; 상기 전도성막 상에 나노 포어 어레이가 형성될 알루미늄박막을 형성하는 단계; 상기 알루미늄박막의 표면을 화학적기계적연마를 통해 평탄화시키는 단계; 양극산화 공정을 통해 상기 표면이 평탄화된 알루미늄박막을 산화시켜 나노 포어어레이를 갖는 알루미나를 형성하는 단계; 상기 나노포어어레이 아래의 알루미나를 제거하도록 상기 양극산화를 과잉으로 더 진행하여 상기 나노포어어레이 아래에 상기 전도성막의 표면을 드러내는 단계; 및 상기 표면이 노출된 전도성막을 이용하여 상기 나노포어 어레이 각각의 나노포어 내부에 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 알루미늄박막을 증착하고 화학적기계적연마(CMP)를 통해 알루미늄박막의 표면거칠기를 개선하므로써 후속 양극산화에 의해 형성되는 양극산화 알루미늄의 포어의 깊이 및 크기 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 또한, 본 발명은 실리콘기판에 다양한 패턴으로 인해 굴곡이 있는 경우에도 평탄한 양극산화 알루미늄의 포어어레이를 균일한 깊이, 크기 및 간격으로 구현할 수 있는 효과가 있다.
나노포어, AAO, 양극산화, 나노와이어, 트렌치, 전도성막Abstract translation: 制造纳米结构的方法包括在衬底上形成氧化硅层，选择性地蚀刻氧化硅层以形成具有逐渐倾斜的侧壁的沟槽，在沟槽的氧化硅层之上形成导电层，在其上形成铝层 导电层，使用化学机械抛光（CMP）对铝层的表面进行平坦化，阳极氧化铝层以形成具有纳米孔阵列的氧化铝层，通过执行阳极氧化过程去除纳米孔下面的阻挡型氧化铝层 从而将导电层暴露在纳米孔下方，并使用暴露的导电层在单个纳米孔内生长纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100526672B1
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020030014204
申请日：2003-03-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/10
Abstract: 본 발명은 전기적 상변화 메모리 (electrical phase change memory) 소자 제조에 관한 것으로서 상변화 물질(phase change material)과 외부와 전기적 접촉을 위한 콘택 물질 (contact material) 사이에서 추가로 주울 열을 발생시킴과 동시에 발생한 열이 외부로 유출되는 것을 차단시키는 층 [일명 : 열 발생 및 차단층, heat generation and isolation layer]을 도입하거나 상변화 물질과 열 발생 및 차단층을 반복적 층상 구조 (laminate structure) 로 형성함으로써 저전력 동작이 가능한 소자 구성을 목적으로 한다. 이를 위하여 외부와의 전기적 접촉을 위한 콘택 물질을 형성하는 단계, 산화 공정(oxidation process), 기상 증착 공정(vapor deposition process), 아크 증착법(arc deposition) 혹은 레이저 펄스 증착법(laser pulse deposition) 등을 통해서 열 발생 및 차단층을 콘택 물질 위에 형성하는 단계, 그리고 상변화 물질을 기상 증착 공정으로 단일 층으로 혹은 열 발생 및 차단층과 층상 구조로 형성함으로써 저전력 동작이 가능한 전기적 상변화 메모리 소자를 구성한다. 이러한 저전력 전기적 상변화 메모리 소자 (low-power electrical phase change memory device)는 메모리 칩 당 소비 전력을 감소시킴으로써 고밀도로 집적할 수 있기 때문에 생산성을 향상시키는 것이 가능하다.
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公开(公告)号：KR100462055B1
公开(公告)日：2004-12-17
申请号：KR1020010017694
申请日：2001-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Inventor： 김기범
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/70408 , Y10S430/143
Abstract: The present invention relates generally to an apparatus and a method for forming a pattern, and in particular, to an apparatus and a method for forming a pattern for the formation of quantum dots or wires having a nano or tens of nano meter order using the atomic array of a single or a poly crystalline material and to the manufacture of functional devices that have such a structure. The electron beam lithography method in accordance with the present invention uses the phase contrast atomic image of a single or a poly crystalline material itself.
Abstract translation: 技术领域本发明总体上涉及用于形成图案的设备和方法，并且具体地涉及用于形成具有纳米或几十纳米级的量子点或线的图案的设备和方法， 单晶或多晶材料阵列以及制造具有这种结构的功能器件。 根据本发明的电子束光刻方法使用单个或多晶材料本身的相位差原子图像。
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公开(公告)号：KR1020040075116A
公开(公告)日：2004-08-27
申请号：KR1020030010546
申请日：2003-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: PURPOSE: A method for arranging quantum dots using a multiple dip-coating process is provided to adhere a quantum dot cluster on a substrate by using an adhering characteristic of the quantum dots. CONSTITUTION: A dipping process is performed to dip a substrate into the colloid solution including quantum dots. A quantum dot adhesion process is performed to adhere the quantum dots on the substrate by dipping the substrate into the colloid solution including the quantum dots. A separation process is performed to separate the substrate from the colloid solution including quantum dots. The quantum dot adhesion process is performed by using the magnetic force or the electric force.
Abstract translation: 目的：提供一种使用多次浸涂法设置量子点的方法，通过使用量子点的粘附特性将量子点簇附着在基板上。 构成：进行浸渍处理以将基底浸入包括量子点的胶体溶液中。 通过将基板浸渍到包括量子点的胶体溶液中，进行量子点粘合处理以将量子点粘附在基板上。 进行分离处理以将基底与包括量子点的胶体溶液分离。 通过使用磁力或电力来进行量子点粘附处理。
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公开(公告)号：KR1020020077962A
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020010017694
申请日：2001-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Inventor： 김기범
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/70408 , Y10S430/143
Abstract: PURPOSE: An apparatus for fabricating a pattern using a crystal structure of a material is provided to fabricate a quantum dot by using the pattern having the crystal structure without fabricating a mask using an additional pattern. CONSTITUTION: The pattern having a predetermined crystalline structure is positioned in the chamber(115) of a transmission electron microscope(TEM)(110). Electron beams are irradiated to the material by using the TEM. A pattern of a lattice image of the material having the crystalline structure is formed on the material to be irradiated while the interference of the electron beams in the material is used.
Abstract translation: 目的：提供一种使用材料的晶体结构制造图案的装置，以通过使用具有晶体结构的图案而不用附加图案制造掩模来制造量子点。 构成：具有预定晶体结构的图案位于透射电子显微镜（TEM）（110）的腔室（115）中。 电子束通过TEM照射到材料上。 在使用材料中的电子束的干涉的同时，在待照射的材料上形成具有晶体结构的材料的格子图案的图案。
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公开(公告)号：KR101003836B1
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020050091588
申请日：2005-09-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: B81C1/00111
Abstract: 본 발명은 양극산화를 통해 물질층을 산화시킬 때 형성되는 나노 포어의 크기 및 깊이 균일도를 확보할 수 있는 나노 구조체의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 실리콘웨이퍼 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘산화막을 선택적으로 식각하여 완만한 곡률의 측벽 모양을 갖는 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 포함한 실리콘산화막 상에 전도성막을 형성하는 단계; 상기 전도성막 상에 나노 포어 어레이가 형성될 알루미늄박막을 형성하는 단계; 상기 알루미늄박막의 표면을 화학적기계적연마를 통해 평탄화시키는 단계; 양극산화 공정을 통해 상기 표면이 평탄화된 알루미늄박막을 산화시켜 나노 포어어레이를 갖는 알루미나를 형성하는 단계; 상기 나노포어어레이 아래의 알루미나를 제거하도록 상기 양극산화를 과잉으로 더 진행하여 상기 나노포어어레이 아래에 상기 전도성막의 표면을 드러내는 단계; 및 상기 표면이 노출된 전도성막을 이용하여 상기 나노포어 어레이 각각의 나노포어 내부에 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 알루미늄박막을 증착하고 화학적기계적연마(CMP)를 통해 알루미늄박막의 표면거칠기를 개선하므로써 후속 양극산화에 의해 형성되는 양극산화 알루미늄의 포어의 깊이 및 크기 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 또한, 본 발명은 실리콘기판에 다양한 패턴으로 인해 굴곡이 있는 경우에도 평탄한 양극산화 알루미늄의 포어어레이를 균일한 깊이, 크기 및 간격으로 구현할 수 있는 효과가 있다.
나노포어, AAO, 양극산화, 나노와이어, 트렌치, 전도성막
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