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    박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지
    22.
    发明授权
    박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지 有权
    薄膜太阳能电池及其薄膜太阳能电池的吸收层的制造方法

    公开(公告)号：KR101503043B1

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：KR1020140044484

    申请日：2014-04-14

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 조아라 ,  윤경훈 ,  안세진 ,  윤재호 ,  곽지혜 ,  신기식 ,  어영주 ,  안승규 ,  조준식 ,  유진수 ,  박주형 ,  김기환

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/208 ,  H01L31/032 ,  H01L31/04 ,  Y02E10/52

    Abstract: The present invention relates to a thin film solar cell and, specifically, to a method for manufacturing a thin film having an optical absorption layer including group Ib elements, group VIa elements, and group Va elements; and a thin film solar cell using the same. The present invention provides a method for manufacturing a transparent electrode of the solar cell, and particularly a method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell, including: a substrate (100); a back side electrode layer (200) formed on the substrate; the optical absorption layer (300) formed on the back side electrode layer (200); a buffer layer (400) formed on the optical absorption layer; and a transparent electrode layer (500) formed on the buffer layer (400). The method for manufacturing the optical absorption layer of the thin film solar cell comprises the steps of: manufacturing binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements (s100); adding a solvent, a binder, and a solution precursor including the group Va elements to the binary nanoparticles of the group Ib elements-the group VIa elements to manufacture binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s200); dispersing and mixing the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements (s300); coating the binary nanoparticles slurry of the group Ib elements-the group VIa elements on the back side electrode layer (200) (s400); and heat-treating the coated nanoparticles slurry while supplying the group VIa elements (s500).

    Abstract translation: 薄膜太阳能电池技术领域本发明涉及薄膜太阳能电池，具体地说涉及一种具有含有Ib族元素，VIa族元素和Va族元素的光吸收层的薄膜的制造方法。 和使用其的薄膜太阳能电池。 本发明提供一种太阳能电池的透明电极的制造方法，特别是制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，包括：基板（100）; 形成在所述基板上的背面电极层（200） 形成在背面电极层（200）上的光吸收层（300）; 形成在所述光吸收层上的缓冲层（400） 和形成在缓冲层（400）上的透明电极层（500）。 制造薄膜太阳能电池的光吸收层的方法包括以下步骤：制备Ib族元素的二元纳米颗粒 - 族VIa元素（s100）; 将包含Va族元素的溶剂，粘合剂和溶液前体加入到组Ib元素的二元纳米颗粒 - 组VIa元素中，以制备Ib族元素 - 组VIa元素（s200）的二元纳米颗粒浆料; 分散和混合组Ib元素的二元纳米颗粒浆料 - 组VIa元素（s300）; 涂覆Ib族元素的二元纳米颗粒浆料 - 背面电极层（200）上的VIa族元素（s400）; 并在提供VIa族元素的同时对涂覆的纳米颗粒浆料进行热处理（s500）。

    용액 성장법을 이용한 Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ₂ 또는Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지
    23.
    发明授权
    용액 성장법을 이용한 Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ₂ 또는Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지 有权
    通过CuIn，GaSe2或CuIn，GaS，Se2薄膜太阳能电池和太阳能电池的化学浴沉积制备InxOOH，Sy缓冲层

    公开(公告)号：KR100625082B1

    公开(公告)日：2006-09-20

    申请号：KR1020040085236

    申请日：2004-10-25

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 윤경훈 ,  안병태 ,  루드밀라라리나 ,  김기환

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 용액 성장법을 이용한 Cu(In,Ga)Se
    2 (이하 "CIGS") 또는 Cu(In,Ga)(S,Se)
    2 (이하 "CIGSS" ) 박막 태양전지용 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한것으로, 그 목적은 저가 공정인 용액성장법으로 새로운 버퍼층 물질인 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 수십 나노미터 두께로 제조하는 방법 및 그 태양전지를 제공하는데 있다. 본 발명의 구성은 CIGS 또는 CIGSS 화합물반도체를 광흡수층으로 하는 박막 태양전지에 적용되는 버퍼층의 제조방법에 있어서, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드 박막을 추후 열처리 필요없이 용액성장법으로 버퍼층을 제조하되, 이때 용액성장법은 인듐의 소스로 인듐클로라이드를, 황의 소스로 치오아세타마이드를 사용하고 여기에 아세트산을 첨가한 수용액을 출발 용액으로 하되, 용액의 수소이온농도(pH)는 2.2~3, 온도는 60~80℃, 용액 내에서의 반응시간은 5 ~30분 사이로 하여 제조하는 방법 및 그 태양전지를 특징으로 한다.
    용액성장법, 태양전지, 버퍼층, 인듐 옥시하이드로옥사이드 설파이드, Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂

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