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公开(公告)号：KR100129837B1
公开(公告)日：1998-04-08
申请号：KR1019940032651
申请日：1994-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J3/00
Abstract: Disclosed is a linear motion line for time delay within a fast spectrum experiment utilizing a laser. The line comprises a drive shaft, a head, an overaction preventer and a separator. A conchoid is formed on the external surface of the drive shaft which is rotated by a motor. The head is magnetically attached to a reflecting mirror which performs a straight line motion by the drive shaft. The overaction preventer controls an operation of the head. The separator connects or disconnects the drive shaft. Thereby, a life time of the head will be longer by the simple mechanism.
Abstract translation: 公开了一种使用激光的快速光谱实验中的时间延迟线性运动线。 该线包括驱动轴，头部，过度防护器和分离器。 在由电动机旋转的驱动轴的外表面上形成有结构。 头部磁性地连接到由驱动轴执行直线运动的反射镜。 过载防护器控制头部的操作。 分离器连接或断开驱动轴。 因此，通过简单的机制，头的寿命会更长。
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公开(公告)号：KR1019970054578A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052656
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 광 투과 이차원 광논리 기판을 이용한 적층 구조에서의 각 기판의 소자 배치에 관한 것으로서, 그 특징은 적층구조에서의 각 기판의 소자배치방법에 있어서, 소정 번째의 기판에서 하나 혹은 그 이상의 출력용 시드들을 필요에 따라 한 곳에 집적 배치하는데에 있으므로, 본 발명은 광 노리 소자 공간 밀도를 높이기 위한 적층 형태의 병렬형 광 노리 연산 구조에서 다른 구성 요소보다 단위 면적이 큰 광 관통구가 전체 집적도를 제약하는 정도를 현저히 완화하며, 자연스럽게 다음 단게에서 서로 연관지어 논리 계산을 수행할 결과를 내어놓는 출력 시드들을 한 곳에 몰아 설계하여 기판 자체의 설계 및 해석이 쉬어진다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970048862A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950051472
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/02
Abstract: 본 발명은 전면 반사막을 이용한 고효율 무전압 광쌍안정 논리 및 수위치소자 어레이에 관한 것으로서, 종래의 무전압 광 쌍안정을 이용할 경우 임피던스를 매칭시키는 것이 불가능하여 신호비가 현저하게 감소되는 문제점을 해결하기 위하여 전면 반사막을 이용하여 소자의 성능을 향상시켜 자유공간 광 스위치, 논리소자로 실용화시키기 위한 것으로서, 기존의 무전압 광 쌍안정, 논리소자의 신호비를 증기시키기 위한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970006606B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930026307
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A technique is described that can provide a self electro-optic effective device(SEED) which can have a big optical bistability without supply of an external bias. The SEED includes a GaAs substrate 1, a first reflection layer 2 grown over the substrate 1, a bottom mirror layer 10 grown over the first reflection layer 2 and provided with a second reflection layer 3, a cathode contact layer 4 grown over the bottom mirror layer 10, a first buffer layer 5 grown over the cathode contact layer 4, a multiple quantum well 11 grown over the first buffer layer 5 and having a barrier layer 6 and well layer 7, a second buffer layer 8 grown over the multiple quantum well 11, and an anode contact layer grown over the second buffer layer 8. Thereby, it is possible to improve the yield of the device and increase the integration degree of a device array.
Abstract translation: 描述了可以提供一种自电光有效装置（SEED）的技术，其可以具有大的光学双稳态性，而不会提供外部偏置。 SEED包括GaAs衬底1，在衬底1上生长的第一反射层2，在第一反射层2上生长并设置有第二反射层3的底部镜层10，在底部镜上生长的阴极接触层4 层10，在阴极接触层4上生长的第一缓冲层5，在第一缓冲层5上生长并具有阻挡层6和阱层7的多量子阱11，在多量子阱上生长的第二缓冲层8 11，以及在第二缓冲层8上生长的阳极接触层。由此，可以提高器件的产量并提高器件阵列的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960024303A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019940032651
申请日：1994-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J3/00
Abstract: 본 발명은 레이저를 이용한 초고속 분광 실험 등에 사용되는 시간지연용 선형동작 장비에 관한 것이다.
종래의 장비는 구동축의 필요 이상 동작에 의해 부품이 무리를 주게되며 이를 방지하기 위한 장치를 부착하게 되면 구조가 복잡해지고 제품단가가 높아지는 문제점들이 있었다.
또한, 장비의 정렬시 정교한 조절이 힘들고 번거러워 작업능률을 저하시키는 문제점들이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 구동축에 의한 헤드의 동작을 제한하는 과동작 방지수단과 헤드와 구동축을 분리 또는 연결할 수 있는 분리수단을 포함하여 과동작에 의한 부품의 손상을 방지하는 장비의 정렬을 손쉽게 하여 작업능률을 높일 수 있도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019960017547A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940031324
申请日：1994-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C03B7/092
Abstract: 본 발명은 균일한 분포의 양자점 유리의 고온 합성방법 및 그 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 1000℃ 이상의 고온에서도 화학적, 기계적으로 안정되게 동작하는 교반장치를 이용하여 복합재료를 합성하는 경우 균일하게 반도체 미세결정이 유리내에 분포할 수 있게 하는 고온 교반 장치 및 그 구도를 이용한 새로운 고온 합성 방법에 관한 것이다.
특징적인 구성으로는 비정질의 유리 성분과 결정질의 첨가 반도체 성분을 일정비로 혼합하는 제1공정(혼합공정)과, 상기 제1공정에서 혼합한 분말들간의 고온 화학 반응 이전에 분말들을 고르게 섞고, 내재되어 있는 불순 기체를 제거하며, 낮은 융용점의 물질이 승온 동안 증발하여 고온 반응때 불충분한 조성이 되는 것을 방지하기 위해서 이 물질의 융용점 아래 온도에서 충분히 열처리하여 고온에서 안정될 수 있도록 첨가 물질들과의 결합을 유도하는 제2공정(혼합 및 하소공정)과, 상기 제2공정에서 안정화된 첨가 성분들간의 반응을 통하여 융용물을 형성하며, 비중차가 있는 구성 원소들간의 균일한 혼합을 위하여 일정온도 이상의 고온에서 교반하는 제3공정(융용 및 교반공정)과, 상기 제3공정에서 고온 융용물을 급냉 과정을 거쳐 유리상으로 만 드는 제4공정(급냉공정)과, 상기 제4공정의 급냉 과정을 거쳐 유리상 내에 발생한 잔류 옹력의 제거 및 열처리 온도 및 시간에 의한 석출 반도체 결정 크기의 조절하는 제5공정(결정크기조절공정)으로 이루어짐에 있으며, 유리의 융용점 이상으로 승온이 가능하고 승온 속도를 제어할 수 있는 전기로와, 모터의 회전에 따라 교반날개와 회전봉을 동시에 회전시키면서 상기 전기로 내부로의 수직이동 및 모터의 회전속도를 조절할 수 있는 교반장치로 구성함에 있다.-
公开(公告)号：KR1019950029799A
公开(公告)日：1995-11-24
申请号：KR1019940007778
申请日：1994-04-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/02
Abstract: 본 발명은 GaAs/Al
x Ga
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x As와 같은 이종 접합 화합물 반도체로 이루어지는 다중 양자 우물(Muliple Quantum Well)구조를 갖는 광 쌍안정성 SEED(Self Electro-optic Effect Device)에 관한 것으로서, 본 발명의 목적은 SEED가 적용되는 광 시스템의 신호 처리 속도를 증가시키고 신호의 여유도를 증대시켜 광 시스템의 성능을 향상시킬 수 있는 SEED의 구조를 제공하는 것이다.
이를 위하여 본 발명에서는 다중 양자 우물(MQW)구조를 비대칭 공명기와 결합한 구조의 광 쌍안정 소자에서 양자 우물 주기수(number of quantum wells)의 조절에 의해 ON/ OFF 반사율의 차이 (△R=R
on -R
off )를 크게 개선하여 SEED가 광 시스템에서 사용될때 큰 신뢰도를 유지하면서 광 시스템의 데이터 처리속도인 비트 레이트(Bit Rate)를 증가시킬 수 있는 개량된 ASFP-SEED 구조를 제공한다.
즉, 본 발명에서는 비트 레이트를 증가시킬 수 있는 방안으로 MQW의 주기 수를 조절하여 공명 조건에서 R
off 를 0 이상으로 증가시킬 때 R
on 의 값이 이보다 더 크게 증가하는 영역이 존재하는 것에 착안하여 한정된 α(V)/α(O) 값에서 다중 양자 우물 ASFP-SEED 의 신호 반사율 차(△R)를증가시켜 광 시스템의 속도를 증가시킬 수 있게 한다.-
公开(公告)号：KR1019920009368B1
公开(公告)日：1992-10-15
申请号：KR1019900007229
申请日：1990-05-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: The frame is used for supporting wafer in a reactor of photo CVD or rapid heat-treating process for manufacturing LSI semiconductor. The frame comprises quartz-plate wafer supporter (2) having positioning pin (1a) engaged with positioning hole (2a) at reactor body (1) and other positioning pin (1b) engaged with slot (3a) of latch piece (3); lead wire (4) inserted to lead-wire holes at the side of the supporter (2); three L-shaped support pins (5) arranged with same intervals at the periphery of central circular space (2c).
Abstract translation: 该框架用于在用于制造LSI半导体的光CVD反应器或快速热处理工艺的反应器中支撑晶片。 框架包括具有与反应器主体（1）上的定位孔（2a）接合的定位销（1a）和与闩锁件（3）的槽（3a）接合的其它定位销（1b）的石英板晶片支撑件（2）。 引线（4）插入到支撑件（2）一侧的引线孔上; 在中央圆形空间（2c）的周边以相同间隔布置的三个L形支撑销（5）。
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