분포귀환형 반도체 레이저 및 그 제조방법
    21.
    发明授权
    분포귀환형 반도체 레이저 및 그 제조방법 失效
    分布式反馈DFB半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100723833B1

    公开(公告)日:2007-05-31

    申请号:KR1020050052575

    申请日:2005-06-17

    Abstract: 분포귀환형 반도체 레이저를 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 하부 클래드층과, 상기 하부 클래드층 상에 활성층 및 상부 클래드층이 순차적으로 형성되어 구성된 리지를 포함한다. 상기 활성층을 포함하는 상기 리지의 일측벽 또는 양측벽에는 상기 활성층 및 공진축의 수직방향으로 형성되어 단일 가로 모드 발진을 가능하게 하는 그레이팅이 형성되어 있다. 상기 그레이팅은 발진 파장(λ)의 1/2의 정수배(nλ/2, n=1,2,3..)에 해당하는 주기로 형성되어 있다. 상기 리지를 구성하는 상부 클래드층의 일측벽에 수직 가로 모드(transverse electromagnetic mode)를 조절할 수 있는 산화층이 형성되어 있다.

    교번 성장법에 의한 양자점 형성 방법
    22.
    发明公开
    교번 성장법에 의한 양자점 형성 방법 有权
    通过替代生长过程形成量子的方法

    公开(公告)号:KR1020060064508A

    公开(公告)日:2006-06-13

    申请号:KR1020050085194

    申请日:2005-09-13

    Abstract: 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 완충층 상에, 서로 격자부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 물질층 또는 In(Ga, Al, As)P 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써 In(Ga, Al)As 또는 In(Ga, Al,P)As 양자점을 형성한다. 이렇게 본 발명은 격자 부정합에 의한 자발 형성 방법과 교번 증착에 의한 교번 성장법을 동시에 이용하여 균일도가 우수한 양질의 양자점을 형성할 수 있다.

    응력층을 이용한 양질의 양자점 형성 방법
    23.
    发明授权
    응력층을 이용한 양질의 양자점 형성 방법 失效
    通过使用应变层形成高质量的量子点

    公开(公告)号:KR100582540B1

    公开(公告)日:2006-05-23

    申请号:KR1020030027986

    申请日:2003-05-01

    CPC classification number: C30B23/02 B82Y10/00 B82Y30/00 C30B25/02 C30B29/40

    Abstract: 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에, InAlAs, InAlGaAs, InP, InGaAsP 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 격자 정합한 완충층을 형성한다. 상기 격자 정합한 완충층 상에, 상기 격자 정합한 완충층의 표면 구조를 변화시키고 후에 형성되는 In(Ga)As 양자점의 성장에 필요한 응력 에너지를 변조시키는 In
    X Ga
    1-X As 응력층을 형성한다. 이와 같이 마련된 시료는 In(Ga)As 양자점의 균일도가 현저하게 증가하여 포토루미네슨스의 반치폭이 감소하며 발광 세기가 현저히 증가한다. 따라서, 본 발명에 따른 In(Ga)As 양자점을 레이저 다이오드와 같은 발광소자나 광검출기 등의 광소자의 활성층으로 응용하였을 때 그 소자 특성이 개선될 수 있다.

    대역 확산 코드분할 다중접속 시스템에서의 레이크수신기의 구조
    24.
    发明公开
    대역 확산 코드분할 다중접속 시스템에서의 레이크수신기의 구조 有权
    扩频码分多址系统中瑞克接收机的结构

    公开(公告)号:KR1019990053156A

    公开(公告)日:1999-07-15

    申请号:KR1019970072747

    申请日:1997-12-23

    Abstract: 본 발명은 대역 확산 코드분할 다중접속(Code Division Multiple Access ;CDMA) 시스템에서의 레이크(Rake) 수신기의 구조에 관한 것이다.
    대역 확산 통신 방식은 송신단과 수신단에 서로 정해진 의사잡음 코드를 사용하여 시스템의 성능을 개선시킨 통신 방식으로, 이를 위해서는 송신단과 수신단 사이의 의사잡음 코드의 정확한 동기가 매우 중요한 요소가 된다. 대역 확산 통신에서의 동기 과정은 일반적으로 초기 동기와 동기 추적의 두 단계의 과정을 거치는데, 초기 동기는 두 의사잡음 코드를 1/2 칩 단위이내로 좁히는 것이고 동기 추적은 더욱 정밀한 동기를 추적하고 유지하는 기능을 한다. 레이크 수신기는 다수의 수신기로 구성되며 각 수신기는 각각 독립된 초기 동기 및 동기 추적 장치를 갖는다. 이에 따라 레이크 수신기의 하드웨어는 복잡한 구조를 가지며 그에 따른 제어도 복잡해지는 문제점이 있다.
    이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 하나의 의사잡음 코드 발생기를 다수의 수신기가 공유하여 사용할 수 있도록 하므로써, 수신기의 구조를 간단하게 하여 회로 설계를 용이하게 하고 제어를 용이하게 할 수 있는 대역 확산 코드분할 다중접속 시스템에서의 레이크 수신기의 구조가 제시된다.

    직접대역확산 시스템의 2차 동기장치
    25.
    发明授权
    직접대역확산 시스템의 2차 동기장치 失效
    直接传播频谱系统的二次同步器

    公开(公告)号:KR100155523B1

    公开(公告)日:1998-11-16

    申请号:KR1019950050513

    申请日:1995-12-15

    Abstract: 본 발명은 직접대역확산 시스템의 2차 동기장치에 관한 것으로 특히, 종래 2차 동기장치의 루프필터나 전압제어 발진기를 사용하지 않고 보다 간단한 구조와 안정된 성능을 가진 직접대역확산 시스템의 2차 동기장치에 관한 것으로, 종래의 2차 동기장치에서 사용하는 루프필터나 전압제어 발진기를 사용하지 않고 수신되는 데이터에서 상관기에서 사용될 데이터의 샘플을 변화시키며, 어얼리 상관기(early correlator)나 레이트 상관기(late correlator)를 위한 각각의 의사잡음코드를 발생시키지 않고 복조기에 사용하는 온-타임 의사잡음코드를 직접 2차 동기장치에 사용하여 구현하는 것을 특징으로 하여, 간단한 구성과 안정된 동작을 효과로 한다.

    씨.디.엠.에이 이동통신 시스팀의 트래픽 채널 관리방법
    26.
    发明授权
    씨.디.엠.에이 이동통신 시스팀의 트래픽 채널 관리방법 失效
    如何管理移动通信系统的业务信道

    公开(公告)号:KR1019960010935B1

    公开(公告)日:1996-08-13

    申请号:KR1019930029604

    申请日:1993-12-24

    Abstract: a number of CDMA channel transceivers (2a), a packet router section (2d), a base station channel management section (2b), and a GPS receiver. The methods includes steps of: initializing a count for checking traffic numbers; identifying a message of call request; notifying state information to the mobil station or network; checking the state of traffic channels; and blocking hand off call request and informing state information to the network.

    Abstract translation: 多个CDMA信道收发机(2a),分组路由器部分(2d),基站信道管理部分(2b)和GPS接收机。 所述方法包括以下步骤:初始化用于检查交通号码的计数; 识别呼叫请求的消息; 向移动站或网络通知状态信息; 检查交通信道的状态; 并阻止切换呼叫请求并向网络通知状态信息。

    씨.디.엠.에이(CDMA) 셀룰러 시스템의 핸드오프 결정 방법

    公开(公告)号:KR1019950022270A

    公开(公告)日:1995-07-28

    申请号:KR1019930030906

    申请日:1993-12-29

    Abstract: 본 발명은 CDMA(Code Division Muitiple Access)이동통신 시스템에서 이동국이 서로 다른 제어국에 의하여 통제되는 두 기지국 간을 이동할 경우의 핸드오프 결정 방법에 관한 것으로, 파일럿 신호의 크기가 임계값보다 클 때는 액티브 셋(Active Set)에 속하며, 그 크기가 점점 작아져 임계값보다 작아지면 이동국은 셀 A(셀이 있는 기지국)는 셀 A에서의 사용 채널에 대한 핸드 오프 드롭 타이머(Handoff Drop Timer)를 구동시키는 제1단계; 타이머가 꺼지면 이동국은 파이럿 스트랭스 미저먼트 메시지(Pilot Strength Measurement Message)를 전송하고 기지국은 핸드오프 다이렉션 메시지(Handoff Direction Message)를 이동국에 전송하여 핸드오프를 발생하며 신호의 크기가 계속 작아져 T DROP에 이르면 공통된 채널에 대한 핸드오프 드롭 타이머(Handoff Drop Timer)를 구동시키는 제2단계; 타이머가 꺼지면 이동국은 파일럿 스트랭스 미저먼트 메시지(Pilot Strength Measurement Message)를 전송하고 기지국이 핸드오프 다이렉션 메시지를 전송하며, 이동국이 핸드오프 컴플리션 메시지(Handoff Compoletion Message)를 전송하고 종료하는 제3단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

    가스 센서 장치
    28.
    发明公开
    가스 센서 장치 审中-实审
    气体传感器APPRATUS

    公开(公告)号:KR1020160037725A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:KR1020150054601

    申请日:2015-04-17

    Abstract: 가스센서장치는제 1 센서부, 제 2 센서부및 신호처리부를포함한다. 제 1 센서부는기체내 여기자(donor) 분자에선택적으로반응하도록, 채널영역이 n-type으로도핑된다. 제 2 센서부는기체내 수용자(acceptor) 분자에선택적으로반응하도록, 채널영역이 p-type으로도핑된다. 신호처리부는제 1 센서부로부터여기자분자의감지신호를수신하고, 제 2 센서부로부터상기수용자분자의감지신호를수신하며, 수신된상기감지신호들을처리하여감지처리결과데이터를생성한다. 따라서, 가스센서장치는여기자기체및 수용자기체를선택적으로감지할수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种气体传感器装置,其可以分别通过将N型或P型石墨烯气体传感器的初始掺杂控制在一起来分别施加给体和受体的作用分子来感测气体。 气体传感器装置包括:第一传感器单元,第二传感器单元和信号处理单元。 第一传感器单元的沟道区域以N型掺杂,以使第一传感器单元选择性地与气体中的供体分子反应。 第二传感器单元的通道区域以P型掺杂,以使第二传感器单元选择性地与气体中的受主分子反应。 信号处理单元从第一传感器单元接收供体分子的感测信号,并从第二传感器单元接收受体分子的感测信号。 信号处理单元还通过处理所接收的感测信号来产生感测结果数据。 因此,气体传感器装置选择性地感测供体气体和受体气体。

    Cu/Ni 다층 메탈 촉매를 이용한 고품질 단일층 그래핀 성장 방법 및 이를 활용한 그래핀 소자
    29.
    发明公开
    Cu/Ni 다층 메탈 촉매를 이용한 고품질 단일층 그래핀 성장 방법 및 이를 활용한 그래핀 소자 审中-实审
    使用CU / NI多层催化剂和石墨设备的高质量单层石墨的生长使用方法

    公开(公告)号:KR1020150083484A

    公开(公告)日:2015-07-20

    申请号:KR1020140002973

    申请日:2014-01-09

    Abstract: 본발명은 Cu/Ni 다층메탈촉매를이용한고품질단일층그래핀성장방법및 이를활용한그래핀소자에관한것으로, 상기방법은 CVD법으로그래핀을성장(growth)시키는경우니켈하층의두께는고정시키고구리상층의두께를변화시킨 Cu/Ni 다층메탈촉매를이용해고품질의단일층그래핀을제어하면서성장시키는것이다. 상기방법을통해고품질단일층그래핀을얻을수 있으며, 이를활용하여그래핀응용소자의성능을높여산업화에큰 기여를할 수있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用Cu / Ni多层金属催化剂生长高品质单层石墨烯的方法,以及使用该方法的石墨烯装置。 根据该方法,当以CVD法生长石墨烯时,使用具有下镍层的固定厚度和上铜层的厚度变化的Cu / Ni多层金属催化剂来生长高 质量单层石墨烯在控制下。 根据该方法,可以获得高质量的单层石墨烯; 通过使用相同的石墨烯来增加石墨烯施加装置的性能; 石墨烯可显着促进工业化。

    분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물
    30.
    发明授权
    분포궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물 有权
    分布式反馈DFB量子点激光器结构

    公开(公告)号:KR100794653B1

    公开(公告)日:2008-01-14

    申请号:KR1020060056215

    申请日:2006-06-22

    Abstract: 본 발명은 분포 궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물에 관한 것이다.
    본 분포 궤환형 양자점 반도체 레이저 구조물은 하부 전극 상에 형성되는 제1 클래드층과, 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 광도파로와, 상기 광도파로 상에 형성되며, 주기적으로 배치되는 복수의 그레이팅을 포함하는 그레이팅 구조층과, 상기 그레이팅 구조층 상에 형성되는 제1 SCH(Separate confinement hetero) 층과, 상기 제1 SCH 상에 형성되며, 복수의 양자점을 포함하는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되는 제2 SCH층과, 상기 제2 SCH층 상에 형성되는 제2 클래드층과, 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹층과, 상기 오믹층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
    이에 따라, 그레이팅 구조층을 기준으로 활성층 반대쪽에 광도파로를 위치시킴으로써, 단일 광모드의 효율을 증대시키고, 전류 주입을 위한 전극을 비대칭 다전극 구조를 사용함으로써, 단일 모드 반도체 레이저 구조물의 순도 및 수율을 극대화시킬 수 있다.
    양자점, 반도체레이저, 분포궤환형, 광도파로, 활성층

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