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公开(公告)号：KR1020120047380A
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020100108684
申请日：2010-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/141 , H01S5/0265 , H01S5/06256 , H01S5/1032 , H01S5/22
Abstract: PURPOSE: An apparatus for generating a wavelength tunable external cavity laser is provided to perform high speed modulation by integrating a light amplifier, a reflective multimode intervening machine, and light modulator on one substrate into a successive waveguide form. CONSTITUTION: A light amplifier(130), a reflective multimode intervening device(140), and a light signal processor(150) are offered on a first substrate(110). The light amplifier, the reflective multimode intervening device, and the light signal processor form a successive wave guide. An external wavelength tunable reflector(220) is offered on a second substrate(210). The external wavelength tunable reflector reflects light corresponding to a specific wave from lights which enter. A mode intervening device reflects some of incident lights. The mode intervening device transmits the rest light of the incident lights. The light amplifier is installed between the external wavelength tunable reflector and the reflective multimode intervening device.
Abstract translation: 目的：提供一种用于产生波长可调谐外腔激光器的装置，通过将光放大器，反射多模插入机和光调制器在一个衬底上集成成连续的波导形式来执行高速调制。 构成：在第一基板（110）上提供光放大器（130），反射多模插入装置（140）和光信号处理器（150）。 光放大器，反射多模插入装置和光信号处理器形成连续的波导。 在第二基板（210）上提供外部波长可调谐反射器（220）。 外部波长可调谐反射器从入射的光反射相应于特定波的光。 模式中介装置反映了一些入射灯。 模式中间装置传输入射光的其余光。 光放大器安装在外部波长可调谐反射器和反射多模中间装置之间。
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公开(公告)号：KR100987793B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020080099613
申请日：2008-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/291 , H04B10/00 , H01S3/16
CPC classification number: H01S5/50 , H01S5/026 , H01S5/0608 , H01S5/06258 , H01S5/1014 , H01S5/509
Abstract: 반사형 반도체 광 증폭기가 제공된다. 상기 반사형 반도체 광 증폭기는 외부로부터 입사되는 하향 광신호가 이득을 가지도록 동작하는 신호 증폭 영역과, 상기 신호 증폭 영역과 연결되고 변조된 레이저 신호를 발생하는 신호 변조 영역을 포함한다. 상기 하향 광신호는 상기 변조된 레이저 신호에 의한 교차이득 변조를 통해 증폭되어 상향 광신호로서 출력된다. 상기 레이저 신호의 파장 대역은 상기 하향 광신호와는 다른 파장 대역을 갖고, 상기 증폭의 이득 대역에 포함된다.
광 증폭기, 레이저, 변조, 교차이득-
公开(公告)号：KR1020100040481A
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：KR1020080099613
申请日：2008-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/291 , H04B10/00 , H01S3/16
CPC classification number: H01S5/50 , H01S5/026 , H01S5/0608 , H01S5/06258 , H01S5/1014 , H01S5/509
Abstract: PURPOSE: A reflective semiconductor optical amplification device and an optical signal processing method using the same are provided to reduce the cost of manufacturing using a reflective semiconductor amplifier which uses one optical fiber. CONSTITUTION: An optical signal amplification are(102) supplies gain to a downlink optical signal applied from the outside. An optical signal modulation area(103) is connected with the optical signal amplification area and generates a modulated optical signal. The downlink optical signal is amplified through cross gain modulation by the modulated optical signal and outputted as an uplink optical signal. The optical signal amplification area includes a semiconductor amplifier. The optical signal demodulation area includes a laser diode. The optical signal amplification and demodulation areas respectively have a first electrode and a second electrode. The first and the second electrodes receive independent current.
Abstract translation: 目的：提供一种反射半导体光放大装置和使用该反射半导体光放大装置的光信号处理方法，以减少使用使用一根光纤的反射半导体放大器的制造成本。 构成：光信号放大（102）向从外部施加的下行光信号提供增益。 光信号调制区域（103）与光信号放大区域连接并产生调制光信号。 下行光信号通过调制光信号的交叉增益调制进行放大，作为上行光信号输出。 光信号放大区包括半导体放大器。 光信号解调区域包括激光二极管。 光信号放大和解调区域分别具有第一电极和第二电极。 第一和第二电极接收独立电流。
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公开(公告)号：KR100784727B1
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020060095830
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method for preparing a sulfide-based phosphor is provided to realize an eco-friendly process by avoiding the use of hydrogen sulfide or carbon dioxide gas, to avoid a need for an additional washing step, and to improve the light emitting property of the phosphor. A method for preparing a sulfide-based phosphor comprises: a step(S11) of introducing a sulfide precursor and active ions as starting materials into a container capable of being sealed under vacuum; a step(S12) of sealing the container having the starting materials under vacuum; and a step(S13) of heat treating the vacuum sealed container. The sulfide precursor is selected from the group consisting of zinc sulfide, sulfides of alkaline earth metals, and a solid solution selected from Ca-Mg, Ca-Sr, Mg-Ba, Sr-Ba, Ca-Al, Ba-Al, Ca-Ga and Ba-Ga.
Abstract translation: 提供一种制备硫化物系荧光体的方法，通过避免使用硫化氢或二氧化碳气体来实现环保工艺，以避免需要额外的洗涤步骤，并提高荧光体的发光性能 。 制备硫化物系荧光体的方法包括：将硫化物前体和活性离子作为起始原料引入能够在真空下密封的容器中的步骤（S11） 在真空下密封具有起始原料的容器的步骤（S12） 和对真空密封容器进行热处理的步骤（S13）。 硫化物前体选自硫化锌，碱土金属硫化物和选自Ca-Mg，Ca-Sr，Mg-Ba，Sr-Ba，Ca-Al，Ba-Al，Ca -Ga和Ba-Ga。
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公开(公告)号：KR100772538B1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020060122568
申请日：2006-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/8605 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/12 , H01L27/144
Abstract: A photoelectric device using a PN diode and a silicon integrated circuit having the photoelectric device are provided to reduce a size and power consumption of the photoelectric device by decreasing a P type doping concentration to be lower than an N type doping concentration. A photoelectric device includes a substrate(110), an optical waveguide(130), and an electrode(140). The optical waveguide is formed of a PN diode on the substrate. A junction interface of the PN diode is formed in a propagation direction of light. The electrode is to apply a reverse bias voltage on the PN diode. An n-type semiconductor and a p-type semiconductor are doped to a high concentration. A doping concentration of the n-type semiconductor is higher than that of the p-type semiconductor.
Abstract translation: 提供了使用PN二极管的光电装置和具有该光电装置的硅集成电路，以通过将P型掺杂浓度降低至低于N型掺杂浓度来减小光电装置的尺寸和功耗。 光电器件包括衬底（110），光波导（130）和电极（140）。 光波导由衬底上的PN二极管形成。 PN二极管的结界面在光的传播方向上形成。 电极将在PN二极管上施加反向偏置电压。 以高浓度掺杂n型半导体和p型半导体。 n型半导体的掺杂浓度高于p型半导体的掺杂浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100701006B1
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020050046155
申请日：2005-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/141 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B2006/12102 , G02B2006/12107 , G02B2006/12121 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/143 , H01S5/2231
Abstract: 본 발명은 반도체 기반의 포물선 도파로 형태의 평행광 렌즈와 이를 포함한 단일 집적형 파장 가변 외부 공진 레이저 다이오드 광원에 관한 것으로, 광신호의 이득이 발생하는 이득매질, 반도체기반의 포물선 도파로 형태의 평행광 렌즈, slab 도파로, 그리고 전기적 또는 열적으로 굴절률의 제어가 가능하여 회절격자로 입사되는 빔의 방향을 변화시키는 광 편향기와 회절격자로 구성된 파장 가변 외부 공진 레이저 다이오드 광원에 관한 것으로, 이들을 화합물 반도체 단일 물질계 또는 실리카(SiO
2 ), 폴리머, 리튬나이오베이트(LiNbO
3 )로 단일 집적이 가능하다. 부가적으로, 하이브리드 형태로 화합물 반도체 또는 희토류(Rare-earth)가 도핑된 실리카(SiO
2 ), 희토류(Rare-earth)가 도핑된 폴리머, 희토류(Rare-earth)가 도핑된 리튬나이오베이트(LiNbO
3 ) 이득매질과 포물선 도파로 형태의 평행광 렌즈와 실리카(SiO
2 ), 폴리머, 리튬나이오베이트(LiNbO
3 )를 이용한 광 편향기와 회절격자 구조로 구현한 파장 가변 외부 공진 레이저 다이오드 광원을 구현하는 구도 및 제작 방법에 관한 것이다.
포물선 도파로형 평행광 렌즈,파장 가변 광원, 외부 공진기, Littman-Metcalf, Littrow, 슬래브 도파로, 광 편향기-
公开(公告)号：KR100679241B1
公开(公告)日：2007-02-05
申请号：KR1020040105679
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/29395 , G02B6/12007 , G02B6/12009 , G02B6/2931 , G02B6/29313 , G02B6/2938 , H01S3/106 , H01S5/02284 , H01S5/141 , H01S5/4062 , H01S5/4087
Abstract: 본 발명은 광 편향기를 구비한 파장가변 다중화기, 역다중화기 및 파장가변 레이저에 관한 것으로, 외부 전기신호에 의해서 소정 형상의 편향패턴 영역 내 코어층의 굴절율은 변화되어 방사형으로 진행하는 광을 편향하는 광 편향기를 구비하는 광소자들을 제안한다.
다중화기, 역다중화기, 회절격자, 파장가변 레이저, 광 편향기-
公开(公告)号：KR1020070003520A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020050124176
申请日：2005-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/101 , H01S3/1055 , H01S5/2059
Abstract: A wavelength tunable light source device integrated with an optical amplifier, a beam steering unit and a concave diffraction grating is provided to remove additional optical components or optical alignment by integrating optical components of a bulk type structure. An optical amplifier(102) amplifies a beam. A beam steering unit(104) moves a path of the beam outputted through the optical amplifier by an electric signal. A concave diffraction grating(106) diffracts and reflects the beam incident from the beam steering unit to have a specific wavelength according to the beam angle. The beam generated in the optical amplifier changes the beam path as the electric signal is applied to the beam steering unit and then is incident on the concave diffraction grating, and the beam having the specific wavelength by the concave diffraction grating is fed back to the optical amplifier, and the wavelength of the beam is tuned by the beam steering unit.
Abstract translation: 提供与光放大器，光束转向单元和凹衍射光栅集成的波长可调光源装置，以通过集成散装型结构的光学部件来移除附加的光学部件或光学对准。 光放大器（102）放大光束。 光束转向单元（104）通过电信号移动通过光放大器输出的光束的路径。 凹面衍射光栅（106）衍射和反射从光束转向单元入射的光束，以根据光束角度具有特定波长。 在光放大器中产生的光束随着电信号被施加到光束转向单元而改变光束路径，然后入射到凹衍射光栅上，并且通过凹衍射光栅具有特定波长的光束被反馈到光学 放大器，并且波束的波长由波束转向单元调谐。
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公开(公告)号：KR1020060068369A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107032
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/1003 , G02B6/2935 , H01S3/302
Abstract: 본 발명은 이득 고정 광증폭기에 관한 것으로, 이득 도파로로 구성된 2X2 다중 모드 간섭기와 이를 기준으로 각각 분리된 2개의 제1 도파로들와 2개의 제2 도파로들을 구비하여 구성된다. 본 발명에 의하면, 입력신호의 입출력단자와 회절격자의 공진이 이루어지는 경로가 서로 상이하게 구성되어, 회절격자에 의해 발진되는 빛과 증폭된 광신호를 분리할 수 있다.
다중모드 간섭기, 이득 고정 반도체 광증폭기, 회절 격자-
公开(公告)号：KR1020060066996A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105678
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/0941
CPC classification number: H01S5/06255 , H01S5/026 , H01S5/065 , H01S5/0654 , H01S5/0656 , H01S5/1021 , H01S5/1025 , H01S5/1039
Abstract: 본 발명은 외부의 광 주입에 의한 잠김 특성을 이용하는 집적형 반도체 광원에 관한 것으로, 전류 주입에 의해 광 이득과 광 출력을 조절하는 활성영역과 활성영역과 단일 집적된 구조를 갖고, 전류 주입 또는 역전압 인가에 의해 공동 모드를 이동시켜 주입광을 잠김시키는 수동영역을 구비하는 집적형 반도체 광원을 제공한다.
파장분할 다중 방식, 수동형 광 가입자망, 주입잠김, WDM, PON, ONT
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