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公开(公告)号：KR1019950034819A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010637
申请日：1994-05-16
IPC: H01L29/72
Abstract: 본 발명은 MBE, 또는 MOCVD 방법에 의하여 성장된 에피 웨이퍼상에 T형 에이터 전극을 형성하여 에미터 전극과 자기정렬된 베이스 전극 구조를 갖는 HBT소자 제조방법에 관한 것이다.
상기 성장된 에피 웨이퍼상에 1차 감광막(9)을 도포하고 노광시킨 후 유전체 절연막(10)을 전면에 증착하고 2차 감광막(11)을 상기 유전체 절연막(10)상에 도포하는 공정과; 상기 2차 감광막(11)을 노광한 후 이를 마스크로하여 하층의 유전체 절연막(10)을 등방성식각하고 상기 1차 감광막(9)을 현상하는 공정과; 에미터 전극(12)을 증착하고 전면에 1차 플라즈마 증착 절연막(13)을 증착하는 공정과; 상기 에미터 전극(12)을 마스크로하여 상기 1차 유전박막(13)을 반응성 이온 식각을 하고 전면에 2차 플라즈마 증착 절연막(14)을 증착하는 공정과; 상기 2차 플라즈마 증착 절연막(14)의 측벽만 남도록 반응성 이온 식각을 하고 베이스층(4)표면까지 수직하게 식각하고 노출된 부분에 베이스 전극(15)을 증착하여 에미터 전극 및 베이스 전극을 자기정렬하는 공정과; 베이스 메사식각을 하고 노출된 부분에 콜렉터 전극(16)을 증착한 후 금속배선공정을 실시한다.
따라서 본 발명은 HBT 소자의 고속특성과 공정의 신뢰성을 향상시킨다.-
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公开(公告)号：KR1019940016950A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920023351
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 불순물의 분자선 에피성장(Molecular Beam Epitaxy : MBE), MESA 식각과 선택식각(Selective Etch)에 기초를 둔 이종접합 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transitor : HBT) 등의 이종접합 소자의 제조방법에 관한 것으로서 반절연 GaAs 기판(8)상에 통상의 이종접합 트랜지스터를 형성하기 위해 GaAs 부콜렉터층(7), GaAs 콜렉터층(6), GaAs 베이스층(5) AlGaAs 에미터층(4) 및 GaAs 오믹접촉층(3)을 순차 형성하는 공정과, 상기 GaAs 오믹접촉층(3)상에 AlAs 선택식각층(2)과 GaAs 보호층(1)을 순차 형성하는 공정과, 에미터 영역을 정의하기 위해, 습식메사 식각방법을 이용하여 상기 GaAs 보호층(1), AlAs 선택식각층(2), GaAs 오믹접촉층(3) 및 AlGaAs 에미터층(4)을 식각하여 역메사 구조를 갖는 공정과, 상기 노출된 AlGaAs 에미터층(4) 상에 베이스 오믹접촉층(9)을 형성하는 공정 , 상기 역메사 구조의 GaAs 보호층(1)과 AlAs 선택식각층(2)을 제거한 다음 실리콘 산화막(10)을 도포하는 공정과, 상기 GaAs 부콜렉터층(7)의 일부가 노출되도록 그 위에 적층된 층들을 식각하여 제거하는 공정과, 상기 노출된 부콜렉터층(7)과 상기 역메사 구조의 GaAs 오믹접촉층(3)상에 에미터/콜렉터 오믹접촉 금속층(11)을 형성하는 공정과, 상기 베이스 오믹접촉층(9)상에 베이스 오믹접촉 금속층(12)을 형성하는 공정 및, 상기 기판상에 모두 실리콘 질화막(13)을 피복하되, 상기 오믹접촉 금속층(11), (12)상에 금속층(14)을 형성하는 공정을 포함하는 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019920004962B1
公开(公告)日：1992-06-22
申请号：KR1019880017968
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/20
Abstract: The evacuation system for vapor deposition of the metallic thin film i.e. tungsten or tengsten silicide, safely evacuates the posionous gas generated from the vapor deposition. The system comprises a heating tape tube (6), connected to a shock absorbing tube (1) of a reaction vessel (A), U-shaped tube (2) and a valve (3), for eliminating non-reactive/explosive SiH4 gas; a gas deoxidation trap (4) filled with stainless steel pieces for eliminating non-reactive/corrosive WF6 gas; a gas absorption trap (5) filled with zeolite for absorbing moisture or H2 gas molecules.
Abstract translation: 用于气相沉积金属薄膜（即钨或矽化钨）的抽空系统安全地排出由气相沉积产生的气泡。 该系统包括与反应容器（A）的减震管（1），U形管（2）和阀（3）连接的加热带管（6），用于消除无反应/爆炸的SiH 4 加油站; 气体脱氧阱（4）填充不锈钢件，用于消除无反应/腐蚀性WF6气体; 填充有用于吸收水分或H2气体分子的沸石的气体吸收阱（5）。
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28.发明授权직교 주파수 분할 다중 접속 기반 무선 통신 시스템에서의전송효율 최대화를 위한 서브채널 할당 및 고정빔 형성전송 방법 및 장치 失效用于最大化正交频分多址接入系统中的传输效率的子信道分配和固定波束形成方法及使用该方法的装置
公开(公告)号：KR100785852B1
公开(公告)日：2007-12-14
申请号：KR1020060057629
申请日：2006-06-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: H04L5/0058 , H04B7/0408 , H04L1/0003 , H04L1/0009 , H04L5/0023 , H04L5/0032 , H04L5/0037 , H04L5/0046 , H04B7/0617 , H04J11/00
Abstract: A sub channel allocation and fixed beam forming method for maximizing transmission efficiency in an orthogonal frequency division multiplexing access(OFDMA) system and an apparatus for using the same are provided to remove an interference signal with minimum costs by allocating a sub channel advantageous to each user device. A sub channel for each user device is determined, on the basis of the channel state of each user device. Beam index for each user device is determined, on the basis of position information and arrival direction information of each user device. An OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) symbol is generated by mapping the symbol corresponding to each user device to the determined sub channel. The generated OFDM symbol is transmitted to wireless space by forming a beam according to the determined beam index.
Abstract translation: 提供了用于使正交频分复用接入（OFDMA）系统中的传输效率最大化的子信道分配和固定波束形成方法及其使用装置，以通过分配对每个用户有利的子信道来以最小的成本来去除干扰信号 设备。 基于每个用户设备的信道状态来确定每个用户设备的子信道。 基于每个用户设备的位置信息和到达方向信息来确定每个用户设备的光束索引。 通过将对应于每个用户设备的符号映射到所确定的子信道来生成OFDM（正交频分复用）符号。 所生成的OFDM符号通过根据确定的波束索引形成波束而被发送到无线空间。
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公开(公告)号：KR100352376B1
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：KR1020000003184
申请日：2000-01-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 화합물반도체를 이용한 이종접합(heterojunction) 쌍극자(bipolar) 소자(HBT)의 제작방법에 관한 것으로서, 유무선 통신 부품에 요구되는 초고속 및 초고주파 특성을 구현하기 위해 에미터를 중심으로 소자의 크기가 축소됨에 따라 각종 기생요소를 축소시켜야 하는 바, 특히 최대공진주파수에 결정적인 영향을 미치는 베이스-컬렉터 사이의 접합용량(junction capacitance)을 크게 감소시킴으로써 소자의 특성을 개선시킬 수 있는 방법을 고안한 것이다.
이러한 본 발명은, 반도체 기판 상에 완충층과 부컬렉터층과 컬렉터층과 베이스층과 에미터층과 에미터캡층을 순차적으로 적층하여 HBT 에피기판을 제작하는 제 1 단계와; 상기 HBT 에피기판의 베이스층 위에 에미터 전극과 베이스 전극을 형성하고 상기 두 전극 위에 도핑되지 않은 실리콘질화막을 형성하는 제 2 단계; 상기의 결과물의 기판 전면에 아연이 도핑된 2차 실리콘질화막을 증착하고 활성화 열처리하여 상기 아연을 베이스층과 컬렉터층에 확산시키는 제 3 단계; 상기 아연이 확산된 컬렉터층을 역경사 형상으로 식각하고 상기 부컬렉터층 위에 컬렉터 전극을 증착하는 제 4 단계; 및 상기의 결과물에 질화 절연막을 도포하고 금속배선을 형성하는 제 5 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100352375B1
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：KR1019990062466
申请日：1999-12-27
IPC: H01L29/737
Abstract: 본발명은알루미늄갈륨비소(AlGaAs)/갈륨비소(GaAs)의화합물반도체로구성되는이종접합쌍극자트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : 이하 HBT 라함)의제작방법에관한것으로서, HBT 고유의초고속특성을저해하는외부베이스(extrinsic base) 표면에서의재결합전류발생을통제하도록하기위한것이다. 이러한본 발명에따른이종접합쌍극자트랜지스터의제조방법은, HBT 에피기판을제작하는제 1 단계와; 상기 HBT 에피기판의에미터와베이스영역을정의하는제 2 단계; 상기 HBT 에피기판위에감광막과저온에서성장된유전체박막을형성하고 2차례의플라즈마식각을수행하여오믹금속의리프트오프를위한표면돌출부를제작하는제 3 단계; 상기에미터와베이스영역의표면상에질화텅스텐/질소의조성경사를갖는질화텅스텐/텅스텐의금속다중층으로구성된내열성오믹전극을형성하는제 4 단계; 상기오믹전극을마스크층으로사용하여상기베이스영역의표면에알루미늄갈륨비소(AlGaAs) 공핍층을재성장하는제 5 단계; 및상기단계들의결과물에컬렉터전극을형성하고소자간분리를수행하여단위 HBT를제작하는제 6 단계를포함하여이루어진다.
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