公开(公告)号：KR100273470B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970064809

申请日：1997-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A variable wavelength surface emission type semiconductor laser using heating type is provided to obtain low manufacturing costs and high operation efficiency at high temperature by simplifying a peak modulation without an expensive monochromator and a thermoelectric cooler. CONSTITUTION: A substrate is made of indium phosphide. The substrate is formed in turn a lower distributed bragg reflector, an active layer and an upper distributed bragg reflector on the surface thereof. The active layer has a multiple quantum well structure consisting of a plurality of indium aluminum arsenic gallium barrier layers and indium gallium arsenic quantum well layers. The lower and upper reflectors are formed by organic metal chemical vapor deposition. The active layer is also formed by organic metal chemical vapor deposition. The lower and upper reflectors has a plurality of indium aluminum arsenic layers and indium aluminum gallium layers.

Abstract translation: 目的：提供一种使用加热型可变波长表面发射型半导体激光器，通过简化峰值调制，无需昂贵的单色仪和热电冷却器，从而在高温下获得低制造成本和高运行效率。 构成：衬底由磷化铟制成。 衬底又在其表面上形成下分布布拉格反射器，有源层和上分布布拉格反射器。 有源层具有由多个铟铝砷镓阻挡层和铟镓砷量子阱层组成的多量子阱结构。 下反射器和上反射器由有机金属化学气相沉积形成。 活性层也由有机金属化学气相沉积形成。 下反射器和上反射器具有多个铟铝砷层和铟铝镓层。

公开(公告)号：KR1020000033135A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980049840

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번

IPC: H01S5/30

CPC classification number: C30B25/16 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/18361

Abstract: PURPOSE: An epitaxial growth system for vertical cavity surface emitting laser using a real-time laser reflectance detector and a method for manufacturing the vertical cavity surface emitting laser using the system is provided to guarantee a reproducibility of an epitaxial growth without information such as refraction ratio of the epitaxial layer. CONSTITUTION: An epitaxial growth system for vertical cavity surface emitting laser using a real-time laser reflectance detector and a method for manufacturing the vertical cavity surface emitting laser using the system include a reactor, a laser illuminator, and a detector. The laser illuminator illuminates the laser on a board(18) in the reactor to detect the real-time reflectance. The detector detects a reflected signal of the illuminated laser. The wavelength of the laser is in a same range as the wavelength of the vertical cavity surface emitting laser.

Abstract translation: 目的：提供使用实时激光反射检测器的垂直腔表面发射激光器的外延生长系统和使用该系统制造垂直腔表面发射激光器的方法，以保证外延生长的再现性，而不需要诸如折射率 的外延层。 构成：使用实时激光反射检测器的垂直腔表面发射激光器的外延生长系统和使用该系统制造垂直腔表面发射激光器的方法包括反应器，激光照明器和检测器。 激光照射器照射反应器中的板（18）上的激光以检测实时反射率。 检测器检测被照射的激光的反射信号。 激光的波长与垂直腔表面发射激光的波长相同。

公开(公告)号：KR100250475B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019970073709

申请日：1997-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: G02F1/00

CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/423

Abstract: PURPOSE: A surface transmission type optical switch of one dimension array method is provided to reduce an optical loss and preserve a device as small by performing a consecutive optical amplification of a fabry-perot type through an optical amplifier. CONSTITUTION: A laser thin film structure comprises two distributed bragg reflectors on an InP substrate(11) and an active layer(14) having a resonance layer inside. Lower DBRs(12,13) form 35 cycles and upper DBRs(15,16) form 30 cycles. The active layer(14) has a resonance transmission multi-layer quantum well structure consisting of 3¯9 InAlAs barrier layers and InGaAs quantum well layers. The highest layer(13) of lower DBRs is doped with an n-type and a lower layer(15) of upper DBRs(15,16) is doped with a p-type to reduce a series resistance and maximize the free carrier absorption. Other layers are not doped.

Abstract translation: 目的：提供一维阵列方法的表面透射型光开关，通过光放大器进行漫反射型连续光放大，减少光损耗并保持器件小。 构成：激光薄膜结构包括在InP衬底（11）上的两个分布式布拉格反射器和在其内部具有谐振层的有源层（14）。 下DBR（12,13）形成35个周期，上DBR（15,16）形成30个周期。 有源层（14）具有由3个InAlAs阻挡层和InGaAs量子阱层组成的谐振透射多层量子阱结构。 下部DBR的最高层（13）掺杂有上部DBR（15,16）的n型和下层（15），其中掺杂有p型以降低串联电阻并使自由载流子吸收最大化。 其他层不掺杂。

公开(公告)号：KR1019980050571A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069402

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번

IPC: H01S5/187

Abstract: 본 발명은 브래그 반사막 제작 방법에 관한 것으로, 브레그 반사막과 동일한 파장을 갖는 레이져 빔을 사용하여 실시간으로 원하는 두께의 막을 성장시킬 수 있도록 한 브래그 반사막 제작 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100138863B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940034157

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  김덕봉 ,  백종협

IPC: H01L21/66

Abstract: 상이한 파장을 갖는 두개의 레이저빔을 성장 중인 막에 동시에 투사하고, 성장중의 막으로부터 반사된 두개의 반사빔들 각각의 간섭패턴주기를 분석하여 막의 두께와 조성을 모니터링한다.
막으로 부터 반사되는 두개의 반사광을 각각 검출하기 위한 광검출기로서, 단파장용 레이저빔의 검출에 적합한 실리콘검출기와 장파장용 레이저빔의 검출에 적합한 저매늄검출기를 이용하여, 동시에 서로 상이한 파장용 두 반사광을 감지하여 실시간으로 막의 두께 및 조성을 측정한다.

公开(公告)号：KR1019970054968A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052636

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협 ,  최성우 ,  이진홍

IPC: H01S3/00

Abstract: 갈륨비소(GaAs) 기판위에 알루미늄 비소(AlAs)와 갈륨비소(GaAs) 초격자거울(distributed Brag reflector)을 하단부에 성장시키고 그위에 조성 그레이딩 방법으로 인디움갈륨비소(InGaAs) 버퍼층을 성장시킨 후, 격자 부정합이 크나 전위없는 인디움 인(InP)층과 활성층인 인디움갈륨비소(InGaAs) 양자우물구조(quantum well)를 성장시키고 그 위에 인디움알루미늄비소(InAlAs)와 인디움갈류비소(InGaAs) 초격자거울을 생성하는 방법이다.
하단부 거울은 굴절율 차이가 크며 열전도율이 매우 좋아 구조상 이상적이며 활성층과 상단부거울은 광자와 전자의 구속력이 좋고 굴절율 차이도 비교적 좋아 상단부로 레이징하기에 적합하여 상온 연속발진이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019960026511A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034157

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  김덕봉 ,  백종협

IPC: H01L21/66

Abstract: 상이한 파장을 갖는 두개의 레이저빔을 성장 중인 막에 동시에 투사하고, 성장중의 막으로부터 반사된 두개의 반사빔들 각각의 간섭패턴주기를 분석하여 막의 두께와 조성을 모니터링한다.
막으로부터 반사되는 두개의 반사광을 각각 검출하기 위한 광검출기로서, 단파장용 레이저빔의 검출에 적합한 실리콘검출기와 장파장용 레이저빔의 검출에 적합한 저매늄검출기를 이용하여, 동시에 서로 상이한 파장용 두 반사광을 감지하여실시간으로 막의 두께 및 조성을 측정한다.

公开(公告)号：KR100304369B1

公开(公告)日：2001-11-05

申请号：KR1019990052687

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  백종협

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본발명은 InP 반도체기판위에 InAlAs, InGaAs, InP 등의에피층이길러진구조물을매우안정적이고도부드럽게식각할수 있는새로운활성이온식각법(RIE: Reactive Ion Etching)에관한것이다. 본발명에서제시하는 RIE 식각법은적절한비율의 BCl, Cl, CH, H혼합플라즈마를발생시킨후 적절한진공도에서식각을진행하는것이다. 본발명의특징적작용효과는 100℃이하의낮은온도에서도깨끗한식각이가능하며그렇기때문에용융점이낮은기존의포토리지스트도마스크물질로사용할수 있다는사실이다. 또한마스크물질로서일반적으로많이사용되는실리콘질화물(SiNx)의경우에도 InAlAs 식각속도의약 1/9에불과하다. 본발명의또 다른장점은 InAlAs, InGaAs, InP 세가지물질시스템에있어서거의비슷한식각속도를준다는점과식각면이매우부드럽다는점이다. 이러한장점을가진본 발명은앞으로수요가확대되고있는광통신용광소자의제작에있어서필수적인공정으로사용되어질 것이다.

公开(公告)号：KR100227788B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960069402

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번

IPC: H01S5/187

CPC classification number: C23C16/52 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/18361

Abstract: 본 발명은 브래그 반사막 제작 방법에 관한 것으로, 브레그 반사막과 동일한 파장을 갖는 레이져 빔을 사용하여 실시간으로 원하는 두께의 막을 성장시킬 수 있도록 한 브래그 반사막 제작 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019990053978A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970073709

申请日：1997-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: G02F1/00

Abstract: 본 발명은 일차원 어레이 방식의 표면 투과형 광 스위치에 관한 것으로, 특히 광도파로가 필요 없는 패브리-페롯(Fabry-Perot) 타입으로 제조되고, 공간 분할 방식의 증폭기만으로 집적된 표면투과형 광 스위치에 관한 것이다.
본 발명의 표면 투과형 광 스위치는 광 스위칭을 위해서는 3개의 광 증폭기를 겹쳐 놓은 구조로서, 입사된 신호빔은 첫 번째 광 증폭기를 통해 증폭되고 다시 그위에 겹쳐있는 두 번째 광 증폭기를 통과하면서 두 번째 신호 증폭과 아울러 메트릭스형의 n×n의 증폭기가 된다. 두개의 증폭기를 거쳐 증폭된 신호빔은 다시 3번째의 증폭기를 거치면서 n×n의 메트릭스 스위칭 하고, 입사면의 반대쪽으로 출사된다. 표면형 패브리 페롯 타입 구조의 특징은 이득 밴드 폭이 5 ㎚ 이내로 작아 다중 파장 중에 한 개의 파장 만을 선택적으로 골라 증폭할 수 있다.