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公开(公告)号：KR1020050063640A
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020040015074
申请日：2004-03-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/22
Abstract: 본 발명은 광자결정을 이용한 광픽업헤드의 제조방법에 관한 것으로, 특히 광도파로인 코아를 형성한 후, 형성된 코아의 일측면에 기판과 평행하게 입사된 광이 코아와 수직방향으로 전환되도록 그 내부에 일정크기의 결함을 갖는 광자결정을 형성함으로써, 모바일 기기등에 사용되도록 초경량, 초박형 광픽업헤드를 용이하게 구성할 수 있는 광자결정을 이용한 광픽업헤드의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 광자결정을 이용한 광픽업헤드의 제조방법은, (a) 기판의 상부에 하부 클래드층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부 클래드층의 상부에 코아를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 코아의 일측면에 나노 크기를 갖는 다수의 격자로 구성된 광자결정을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1020050063639A
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020040015073
申请日：2004-03-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/22
Abstract: 본 발명은 폴리머를 이용한 광픽업헤드의 제조방법에 관한 것으로, 특히 폴리머를 이용하여 광도파로인 폴리머 코아를 형성한 후, 형성된 폴리머 코아의 상부에 폴리머를 이용하여 굴절률이 상이한 폴리머 평면격자렌즈를 형성함으로써, 모바일 기기 등에 사용될 수 있는 초경량, 초박형 광픽업헤드를 용이하게 구성할 수 있을 뿐만 아니라 저가의 공정을 통해 대량생산이 가능한 폴리머를 이용한 광픽업헤드의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 폴리머를 이용한 광픽업헤드의 제조방법은, (a) 기판의 상부에 하부 클래드층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부 클래드층의 상부에 폴리머를 이용한 폴리머 코아를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 폴리머 코아의 상부에 폴리머를 이용하여 나노 크기를 갖는 다수의 곡선 격자로 구성된 폴리머 평면격자렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1020050063638A
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020040015072
申请日：2004-03-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0015 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017
Abstract: 본 발명은 나노임프린트용 스탬퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 나노임프린트용 스탬퍼로 사용될 기판과 그 상부에 도포되는 레지스트와의 사이에 접착력을 증대시키 위한 접착력 증대층을 형성하고, 전자선 묘화법의 직접쓰기법에 의해 나노크기의 레지스트 패턴을 형성함으로써, 나노크기를 갖는 소자들의 제작에 사용될 수 있으며 저가의 공정을 통해 대량생산이 가능하도록 한 나노임프린트용 스탬퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 나노임프린트용 스탬퍼는, 스탬퍼용 기판; 상기 기판의 전체 상부면에 형성된 접착력 증대층; 전자선 묘화법의 직접쓰기법에 의해 형성된 나노크기의 레지스트 패턴을 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1020050008280A
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：KR1020030048178
申请日：2003-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: An optical waveguide grating lens and a method for manufacturing the same are provided to obtain a coupling effect larger than 50% by making the optical coupling to be formed in a direction to the cladding. CONSTITUTION: An optical waveguide grating lens includes a substrate cladding(111), a core layer(112) and a top cladding(113). The core layer is formed thereon the sloped grating. The top cladding is provided with a Fresnel lens formed thereon. The optical waveguide grating lens is characterized in that the Fresnel grating lens focuses the light on the focal point after the single mode is diffracted to the top cladding by the sloped grating.
Abstract translation: 目的：提供一种光波导光栅透镜及其制造方法，通过使光耦合形成在与包层的方向上，获得大于50％的耦合效果。 构成：光波导光栅透镜包括基底包层（111），芯层（112）和顶部覆层（113）。 芯层在其上形成倾斜的光栅。 顶部包层上形成有菲涅耳透镜。 光波导光栅透镜的特征在于，在通过倾斜光栅将单模式衍射到顶部包层之后，菲涅耳光栅透镜将光聚焦在焦点上。
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公开(公告)号：KR100461536B1
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：KR1020020070748
申请日：2002-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01L28/10 , H01F17/0006 , H01L27/08
Abstract: A method for arranging unit inductors of an inductor having metal wiring that can make a full use of self-inductance and mutual-inductance which are determined based on the proportion of the area of an unit inductor and the proportion of the overlapping area with another unit inductor, and an inductor adopting the unit inductor arranging method. The unit inductor arranging method, wherein the inductor includes a first unit inductor, a second inductor and a third inductor, and self-inductance magnitudes of the unit inductors are in the order of the self-inductance of the third inductor>the self-inductance of the second inductor>the self-inductance of the first inductor, includes the steps of: a) coupling one end of the second unit inductor is connected to one end of the first unit inductor and one end of the third unit inductor to the other end of the first unit inductor in order to arrange the first unit inductor between the second and third unit inductors of which mutual-inductance has the largest value in mutual-inductances between the unit inductors; b) coupling the second unit inductor to a first external terminal; and c) coupling the third unit inductor to a second external terminal.
Abstract translation: 一种用于布置具有金属布线的电感器的单位电感器的方法，所述电感器可以充分利用基于单位电感器的面积的比例和与另一个单元的重叠面积的比例确定的自感和互感 电感器以及采用该单元电感器布置方法的电感器。 所述单元电感排列方法，其中，所述电感包括第一单元电感，第二电感和第三电感，所述单元电感的自感量级大小为所述第三电感的自感量>所述自感量 包括以下步骤：a）将第二单元电感器的一端连接到第一单元电感器的一端以及将第三单元电感器的一端连接到第二单元电感器的一端 以便将第一单元电感器布置在第二单元电感器和第三单元电感器之间，其中互感具有单元电感器之间的互感最大值; b）将第二单元电感器耦合到第一外部端子; 以及c）将第三单元电感器耦合到第二外部端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100420948B1
公开(公告)日：2004-03-02
申请号：KR1020010050742
申请日：2001-08-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/0006 , H01F27/34
Abstract: A spiral inductor having a lower metal line and an upper metal line with an insulating layer interposed therebetween is provided. In the spiral inductor, the lower and upper metal lines are connected to each other through a via contact passing through the insulating layer. The upper metal line spirally turns inward from the periphery to the center, and the lower metal line includes a first lower metal line crossing the upper metal line and disposed to be parallel with another adjacent first lower metal line, and a second lower metal line disposed to be parallel with the upper metal line.
Abstract translation: 提供具有下部金属线和上部金属线的螺旋电感器，绝缘层介于它们之间。 在螺旋电感器中，下部和上部金属线通过穿过绝缘层的通孔触点彼此连接。 上部金属线从外围向中心向内螺旋地旋转，并且下部金属线包括与上部金属线交叉且设置为与另一相邻第一下部金属线平行的第一下部金属线，以及设置第二下部金属线 与上部金属线平行。
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公开(公告)号：KR100390331B1
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010067863
申请日：2001-11-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a heterostructure bipolar transistor is provided to improve electrical characteristics by forming a junction between a thick base and an emitter using self-alignment, and isolating the base using an oxide layer. CONSTITUTION: After sequentially forming a collector(44) and a collector epitaxial layer(46) on a silicon substrate(41), the collector epitaxial layer(46) is isolated by forming an isolation layer(47) on the isolation region of the substrate. After forming a single crystal silicon epitaxial layer having the thickness of 50-200 nm on the resultant structure, an outer base region is defined by oxidizing the predetermined portion of the single crystal silicon epitaxial layer. After forming a base epitaxial layer and a dielectric layer(55), the base epitaxial layer is exposed by etching the dielectric layer(55). After sequentially forming a polysilicon layer and a silicon nitride layer, an emitter(56) made of the polysilicon layer is formed on the exposed base epitaxial layer by patterning the silicon nitride layer, the polysilicon layer and the dielectric layer(55). An outer base(58) and a base(530) are defined by implanting ions into the base epitaxial layer and the single crystal silicon epitaxial layer using the emitter(56) as a mask.
Abstract translation: 目的：提供一种制造异质结双极晶体管的方法，以通过使用自对准在厚基极和发射极之间形成结而使用氧化物层隔离基极来改善电特性。 构成：在硅衬底（41）上依次形成集电极（44）和集电极外延层（46）之后，通过在衬底的隔离区上形成隔离层（47）来隔离集电极外延层 。 在所得结构上形成厚度为50-200nm的单晶硅外延层之后，通过氧化单晶硅外延层的预定部分来限定外基区。 在形成基极外延层和介电层（55）之后，通过蚀刻介电层（55）来暴露基极外延层。 在依次形成多晶硅层和氮化硅层之后，通过图案化氮化硅层，多晶硅层和介电层（55），在暴露的基极外延层上形成由多晶硅层制成的发射极（56）。 通过使用发射极（56）作为掩模将离子注入到基极外延层和单晶硅外延层中来限定外部基极（58）和基极（530）。
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公开(公告)号：KR102208771B1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：KR1020200010450
申请日：2020-01-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은인덕터에관한것으로, 더욱상세하게는, 수직으로적층된복수의세라믹층들을포함하는세라믹구조체, 상기세라믹층들은제1 세라믹층및 상기제1 세라믹층의상면상의제2 세라믹층을포함하고; 상기세라믹구조체내에배치되는내부전극들; 및상기세라믹구조체의중심부에배치되고, 복수의홀들을갖는지지체를포함하되, 상기홀들은상기지지체를수직으로관통하고, 상기지지체는상기제1 세라믹층의적어도일부및 상기제2 세라믹층의적어도일부를관통하고, 평면적관점에서, 상기지지체는상기내부전극들에의해둘러싸일수 있다.
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公开(公告)号：KR101940234B1
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：KR1020130149225
申请日：2013-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
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