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公开(公告)号:KR1019950021010A
公开(公告)日:1995-07-26
申请号:KR1019930027620
申请日:1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 저류주입에 의한 광도파로의 굴절율의 변화를 이용한 내부 전반사형 광스위치에 관한 것으로, 광스위치의 반사영역 부분의 코아층에 도핑을 높게하여 도파로의 손실을 증가시키지 않고 광스위치의 동작속도를 극대화 시키는 광스위치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 2회의 에피택시 결정성장과 n형의 이온주입, Zn확산 및 선택식각 등의 공정을 통하여 제조되는 부분 고도핑형 InGaAsP/InP 전류주입에 의한 내부 전반사형 광스위치이며 광스위치의 속도를 고속화하여 광교환 용량을 증가시킨다.
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公开(公告)号:KR1019950000522B1
公开(公告)日:1995-01-24
申请号:KR1019910021083
申请日:1991-11-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8252 , H01L27/1443 , H01L31/105 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: The photoelectric integrated device includes a photodetector having an n-InGaAs channel layer (2), an InP etching stop layer (3), an InGaAs absorbing layer (4) and a P-InP layer (5) sequentially formed on the etched semi-insulating substrate (1) and in a mesa structure, and a transistor having an n-InGaAs channel layer (2), an InP etching stop layer (3), and a P-InP layer (5) sequentially formed on the unetched semi-insulating substrate and a P-InGaAs layer (6) formed in a reverse mesa structure on the layer (5), thereby independently maximizing the functions of the photodetector and transistor.
Abstract translation: 光电集成器件包括具有n-InGaAs沟道层(2),InP蚀刻停止层(3),InGaAs吸收层(4)和P-InP层(5)的光电探测器, 绝缘基板(1)和台面结构,以及具有n-InGaAs沟道层(2),InP蚀刻停止层(3)和P-InP层(5)的晶体管,其依次形成在未蚀刻的半导体层 绝缘基板和在层(5)上形成为反台面结构的P-InGaAs层(6),从而独立地使光电检测器和晶体管的功能最大化。
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公开(公告)号:KR1019920005128B1
公开(公告)日:1992-06-26
申请号:KR1019890019572
申请日:1989-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28587 , Y10S438/944
Abstract: 내용 없음.
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公开(公告)号:KR1020150001076A
公开(公告)日:2015-01-06
申请号:KR1020130073721
申请日:2013-06-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/3532 , H01S5/0687
Abstract: 본 발명은 단일 모드 광을 생성하고, 이를 변조하여 인접 광들과 동일한 주파수 차이를 갖는 복수의 광들을 포함하는 기본 광 빗살을 생성하며, 복수의 광들을 변조하여 각각 복수의 광들과 같은 수의 광들을 포함하되, 이 광들은 인접 광들과 동일한 주파수 차이를 갖고, 각각 기본 광 빗살과 중첩되지 않고 서로 다른 주파수 대역을 갖고, 기본 광 빗살보다 넓은 주파수 대역에 분포하는 복수의 광 빗살들을 생성하며, 복수의 광들 및 복수의 광 빗살들에 포함되는 광들 각각이 갖는 주파수에 따라 이 광들을 시간에 따라 순차적으로 출사시키며, 단일 모드 광, 복수의 광들, 복수의 광 빗살들에 포함되는 광들, 및 출사시킨 광들의 특성에 기초하여 제어 변수 값을 조절하는 파장 훑음 장치와 그것의 제어 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 각각 다른 주파수를 갖는 복수의 광들이 안정적이고 빠른 속도로 순차적으로 출사될 수 있고, 목표로 설정된 성능 및 출력이 쉽게 얻어질 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种波长扫描装置及其控制方法。 波长扫描装置包括产生单模光的光源; 光梳发生单元,调制单模光,以产生包括具有与相邻光束相同频率差的多个光束的基本光梳; 调制多个光束以产生包括与多个光束相同数量的光束的多个光梳的频带扩展单元,具有与相邻光的相同频率差的相同数量的光束 具有不同于基本光梳的不同频带的光束,并且分布在比基本光梳更宽的频带中; 光输出单元根据多个光梳中包含的多个光束和光束的频率,依次输出包括在多个光梳中的多个光束和光束; 以及控制单元,基于从至少一个光源,光梳发生单元,频带扩展单元和光输出单元中的至少一个调节控制变量值, 光源,光梳发生单元,频带扩展单元和光输出单元。 根据本发明,可以以快速的顺序顺序地输出具有不同频率的多个光束,并且可以容易地获得目标性能和输出。
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公开(公告)号:KR1020140089925A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:KR1020130001994
申请日:2013-01-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor: 오광룡
IPC: H01S5/10 , H01S3/0941
CPC classification number: G02B6/10 , G01J3/10 , G01J3/26 , G02B6/29358 , H01S5/0287 , H01S5/06 , H01S5/101 , H01S5/142
Abstract: The present invention relates to a variable wavelength diode. The variable wavelength diode of the present invention secures the high speed variation and continuous variation of a beam by using multiple cylindrical lenses and a resonator where slab waveguides having different resonance lengths are formed on a planar lightwave circuit (PLC).
Abstract translation: 本发明涉及可变波长二极管。 本发明的可变波长二极管通过使用多个柱面透镜和在平面光波电路(PLC)上形成具有不同共振长度的平板波导)的谐振器来确保光束的高速变化和连续变化。
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公开(公告)号:KR1020130131559A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:KR1020120055189
申请日:2012-05-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor: 오광룡
IPC: G02B5/20
CPC classification number: H01S5/141 , G01J3/0208 , G01J3/12 , G01J3/26 , G01J2003/064 , G01J2003/1213 , H01S3/08027 , H01S3/107
Abstract: A wavelength-tunable optical filter which supports broadband, high-speed wavelength variation, and continuous variation and is easy to manufacture and a light source are provided. The wavelength-variable optical filter, given in an embodiment of the present invention, includes a first optical deflector which is driven by an electrical signal and adjusts the progress direction of incident light; and a Fabry-Perot filter which filters the light passing through the first optical deflector to output light of a certain wavelength.
Abstract translation: 一种支持宽带,高速波长变化和连续变化并易于制造和光源的波长可调谐滤光器。 在本发明的实施例中给出的波长可变滤光器包括由电信号驱动并调节入射光的行进方向的第一光偏转器; 以及法布里 - 珀罗滤波器,其对穿过第一光偏转器的光进行滤光以输出特定波长的光。
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公开(公告)号:KR100989850B1
公开(公告)日:2010-10-29
申请号:KR1020080069129
申请日:2008-07-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/1014 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B19/0028 , G02B19/0052 , G02B27/0977 , G02B27/0988 , G02B27/0994 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1025 , H01S5/12
Abstract: 도파로 렌즈를 구비하는 반도체 레이저가 제공된다. 이 반도체 레이저는 좁은 폭을 갖는 적어도 하나의 제 1 도파로, 넓은 폭을 갖는 적어도 하나의 제 2 도파로, 및 제 1 도파로로부터 제 2 도파로로 갈수록 넓어지는 폭을 가지면서 제 1 및 제 2 도파로들을 연결하는 적어도 하나의 도파로 렌즈를 포함한다. 제 1 및 제 2 도파로들을 연결하는 도파로 렌즈의 측벽들은 곡선 형태로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 도파로는 광학적 이득을 제공하는 도파로일 수 있다.
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公开(公告)号:KR100667214B1
公开(公告)日:2007-01-12
申请号:KR1019990039867
申请日:1999-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/02
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 광 모드 크기 변환장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 광도파로의 폭 또는 두께를 작게 하는 고정밀 테이퍼 공정을 필요로 하지 않아 제작 시간과 제작 비용을 절감할 수 있는 상호 테이퍼측면 접합 광도파로를 갖는 광 모드 크기 변환장치를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은 광모드 크기 변환장치에 있어서, 광도파로 입사부로서의 제1 광도파로층과 광도파로 출사부로서의 제2 광도파로층이 동일 평면상에서 각 일단부가 상호 측면 접합되어 형성되되, 상기 상호 접합된 부분의 제1 및 제2 광도파로층 각 단부가 각기 대향하여 그 폭이 좁아지는 테이퍼된(tapered) 형태를 갖는 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 광통신 시스템 등에 이용됨.
광섬유, 광도파로, 상호 테이퍼측면 접합, 광 모드
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