公开(公告)号：KR1020110041221A

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：KR1020090098292

申请日：2009-10-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송정호 ,  김기수 ,  최병석 ,  권오균 ,  오대곤

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a quantum dot using a patterned strained layer and a quantum dot semiconductor device made by the same are provided to form the quantum dot with high uniformity and density by using the patterned strained layer as a seed layer. CONSTITUTION: A patterned strained layer(530a) and a patterned first capping layer(550a) are formed on a substrate(510) by patterning the first capping layer and the strained layer using an etching mask. A second capping layer(570) is formed after the first capping layer and the strained layer are patterned with a lattice format. A quantum dot forming material is formed on the upper side of the second capping layer. A plurality of self-formed quantum dots(590a) are formed on the upper side of the second capping layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用图案化的应变层制造量子点的方法及其制造的量子点半导体器件，通过使用图案化的应变层作为种子层，形成具有高均匀性和密度的量子点。 构成：通过使用蚀刻掩模图案化第一覆盖层和应变层，在衬底（510）上形成图案化的应变层（530a）和图案化的第一覆盖层（550a）。 在第一覆盖层之后形成第二覆盖层（570），并且使用晶格格式对应变层进行图案化。 量子点形成材料形成在第二封盖层的上侧。 多个自形成量子点（590a）形成在第二封盖层的上侧。

公开(公告)号：KR1020100034232A

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：KR1020080093260

申请日：2008-09-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  김기수 ,  오대곤

IPC: H01S3/10

CPC classification number: H01S5/141 ,  G02B6/124 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/50

Abstract: PURPOSE: A wavelength conversion outer resonance laser reduces the combined loss by arranging wave guides to the active alignment method. CONSTITUTION: A wavelength conversion outer resonance laser comprises the super luminous diode(13) and the optical fiber(14) emitting the TO-can(TO can)(16) having the Bragg grid, and the optical signal. The optical signal emitted from the super luminous diode is reflected to the Bragg grid to the specific wave. The optical signal reflected to as described above is outputted via the super luminous diode in the optical fiber. TO-can is combined with the first side of the super luminous diode. The optical fiber is combined in the second side of the super luminous diode. In the optical signal reflected to as described above is the second side, it is again reflected to. The signal reflected to as described above is outputted with the resonance from the second side to the optical fiber.

Abstract translation: 目的：波长转换外共振激光器通过将波导布置为主动对准方法来减少组合损耗。 构成：波长转换外共振激光器包括超发光二极管（13）和发射具有布拉格栅格的TO-can（TO can）（16）和光信号的光纤（14）。 从超级发光二极管发射的光信号被反射到布拉格栅格到特定波。 如上所述反射的光信号经由光纤中的超发光二极管输出。 TO-can与超级发光二极管的第一侧相结合。 光纤组合在超级发光二极管的第二侧。 在如上所述反射的光信号中是第二面，它再次被反射到。 如上所述反射的信号以从第二侧到光纤的谐振输出。

公开(公告)号：KR100894544B1

公开(公告)日：2009-04-24

申请号：KR1020070051563

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한상필 ,  조인귀 ,  안승호 ,  성희경 ,  박경현 ,  오대곤

IPC: G06F3/041

Abstract: 본 발명은 Goggle, HMD, Glove, Screen 등의 보조 장치 없이 문자 또는 영상을 허공에서 볼 수 있도록 하고, 사용자의 손가락에 의해 허공 키패드 입력이 행해지면 입력에 대한 원하는 출력이 수행되는 저가의 소형 스페이스 터치스크린 장치 및 그 작동방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 스페이스 터치스크린 장치는, 디스플레이 소자에서 방출되는 광원을 이용하여 생성된 문자 및 영상 중 적어도 하나를 포함하는 적어도 하나의 입력부를 포함하는 광플레인을 허공에 투영하는 패턴 프로젝션부; 상기 광플레인의 입력부에 대응하도록 채널별로 독립변조된 IR 광신호를 생성하여 상기 광플레인의 입력부에 투사하는 IR 광원부; 사용자가 상기 광플레인의 입력부를 터치할 때 제공되는 상기 IR 광신호를 감지하여 증폭 및 복조하는 IR 감지부; 및 상기 IR 감지부로부터 전달 받은 신호를 처리하는 신호처리부를 포함한다.
본 발명에 의한 스페이스 터치스크린 장치는 기계적인 키 입력장치가 필요 없어 소형 및 반영구적 사용이 가능하며, 도어락(door lock)이나 디지털 가전 키패드 등에 적용 가능하다.
스페이스 터치스크린, 가상 키패드, 가상 입출력장치

公开(公告)号：KR1020080049589A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：KR1020070051563

申请日：2007-05-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 한상필 ,  조인귀 ,  안승호 ,  성희경 ,  박경현 ,  오대곤

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0421 ,  G06F3/0354 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416

Abstract: A space touch screen and a method for operating the same are provided to display letters and images on the empty space without additional auxiliary devices, by using a blue light source emitting blue light diffusing better than other lights on the empty space. A space touch screen(1) includes a pattern projection unit(10) projecting an optical plane(50) on the empty space, wherein the pattern projection unit includes at least one input unit including at least letters or images generated by using a light source emitted from a display device. An IR(Infrared) light source(20) generates an IR optical signal independently modulated by channels to correspond to the input unit of the optical plane to project the IR optical signal on the input unit of the optical plane. An IR sensor(30) senses the IR optical signal provided when a user touches the input unit of the optical plane, to amplify and demodulate the IR optical signal. A signal processor(40) processes the signal transmitted from the IR sensor.

Abstract translation: 提供了一种空间触摸屏及其操作方法，用于在空的空间上显示字母和图像，无需额外的辅助设备，通过使用蓝色光源发出比其他空白空间上的其他光更好地散射的蓝光。 空间触摸屏（1）包括在空白空间上投影光学平面（50）的图案投影单元（10），其中图案投影单元包括至少一个输入单元，至少包括通过使用光源产生的字母或图像 从显示设备发射。 IR（红外）光源（20）产生通过信道独立调制以对应于光学平面的输入单元的IR光信号，以将IR光信号投影在光学平面的输入单元上。 IR传感器（30）感测当用户触摸光学平面的输入单元时提供的IR光信号，以放大和解调IR光信号。 信号处理器（40）处理从IR传感器发送的信号。

公开(公告)号：KR1020060064476A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050052575

申请日：2005-06-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오대곤 ,  이진홍 ,  김진수 ,  홍성의 ,  곽호상

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/18313 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2031

Abstract: 분포귀환형 반도체 레이저를 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 하부 클래드층과, 상기 하부 클래드층 상에 활성층 및 상부 클래드층이 순차적으로 형성되어 구성된 리지를 포함한다. 상기 활성층을 포함하는 상기 리지의 일측벽 또는 양측벽에는 상기 활성층 및 공진축의 수직방향으로 형성되어 단일 가로 모드 발진을 가능하게 하는 그레이팅이 형성되어 있다. 상기 그레이팅은 발진 파장(λ)의 1/2의 정수배(nλ/2, n=1,2,3..)에 해당하는 주기로 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100537079B1

公开(公告)日：2005-12-16

申请号：KR1020020081481

申请日：2002-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오대곤 ,  이진홍 ,  김진수 ,  홍성의 ,  한원석

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 기판상에 유전체 박막을 선택적으로 오픈하여 이 부위에 양자점을 형성함으로써, 양자점 파장을 조절할 수 있도록 하는 방법을 제시한다. 위치에 따라 서로 다른 선택적 면적을 허용하므로써 동시에 서로 다른 양자점 파장을 가지도록 할 수 있으며 이러한 기술을 활용하여 파장대역의 폭을 조절하거나 여러가지 기능이 한 칩 위에서 동작하는 단일칩으로 집적된 광자집적회로 소자를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030062111A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：KR1020020002535

申请日：2002-01-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 백종협 ,  송현우 ,  오대곤

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A laser device, a fabricating method thereof, and a WDM light source device are provided to omit an exposure process by forming an optical bench having a V-shaped groove on an InP substrate. CONSTITUTION: A laser device includes an InP substrate(102), an optical bench, an active region(114), the first electrode(122), and the second electrode(124). The InP substrate includes a main surface having a crystalline surface of (100). The optical bench includes a groove(104) which is formed on the InP substrate. The active region is formed on the InP substrate. The first electrode is connected to the anode. The second electrode is connected to a cathode. The InP substrate further includes a vertical section to the main surface. The groove has a shape of V. The active region is formed with InGaAsP, InGaAs, InAlAs, InAlGaAs or InGaAsN.

Abstract translation: 目的：提供一种激光装置及其制造方法以及WDM光源装置，通过在InP基板上形成具有V形槽的光学台来省略曝光处理。 构成：激光器件包括InP衬底（102），光学工作台，有源区（114），第一电极（122）和第二电极（124）。 InP衬底包括具有（100）的晶体表面的主表面。 光学工作台包括形成在InP衬底上的凹槽（104）。 有源区形成在InP衬底上。 第一电极连接到阳极。 第二电极连接到阴极。 InP衬底还包括到主表面的垂直截面。 沟槽的形状为V.有源区域由InGaAsP，InGaAs，InAlAs，InAlGaAs或InGaAsN形成。

公开(公告)号：KR100241326B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019950041335

申请日：1995-11-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  주흥로 ,  김홍만 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조에 관한 것으로서, 종래 기술의 InGaAs 다중 양자우물 구조에서는 광출력 특성이 좋지 않았던 문제점을 해결하기 위해 (InAs)
m (GaAs)
m 단주기 초격자 박막구조를 활성층의 양자우물로 사용한 활성층을 제공함으로써 내부 스트레인이 종래의 방법에 비해 수 %로 매우 크며 초격자 박막의 구조적 특성으로부터 소자의 광학적 특성, 특히 고출력 특성이 향상될 수가 있는 것이다.

公开(公告)号：KR100228395B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960069761

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  김홍만 ,  박종대

IPC: H01S5/12

Abstract: 본 발명은 초고속 장거리 광통신의 광원으로서 기존의 굴절률 결합형에 이득 결합을 추가한 복소 결합형 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 이득 결합의 분율을 증가시키기 위하여 광 흡수와 전류 차단의 이중효과가 있는 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하므로써 레이저의 광 특성을 증대시키는 것이다. 발명의 구성은 단일 모드 광원용 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하는 것과 이 회절격자를 n형 인듐인 기판 사용시 n형 인듐인 버퍼층에 삽입시키므로써 본 회절격자가 p형 반도체와 접합시 야기될 수 있는 정공 주입효과를 배제 시키는 방법, 그리고 회절격자 두께의 자유로운 조절을 위하여, p형 인듐인 기판 사용시 공정상의 제한을 가지지 않도록 활성층 윗쪽에 본 회절격자를 위치시키는 소자 설계 등을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990050455A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970069574

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  김명규 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 분포궤환 레이저 (DFB laser)와 전계 흡수형 (electro-absorption) 광변조기의 집적화소자를 제작함에 있어서 응력이 가해진 다중양자우물구조의 버트커플링 (Butt-coupling) 결정성장시 발생하는 결정결함을 제거하기 위하여, 결정결함이 발생된 부분을 반응성 이온 식각 혹은 습식식각으로 제거하고 반절연 InGaAsP 도파로층 및 InP 클래드(clad)층의 성장을 통하여 결정결함을 제거함으로써 소자의 신뢰성과 광결합 특성을 높이는 제조 방법 및 그 방법으로 제작된 광변조기 집적소자에 관한 것이다.