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公开(公告)号：KR1020060041963A
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020050012453
申请日：2005-02-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L21/02274 , H01L51/0001 , H01L51/56 , H01L2924/12044
Abstract: 본 발명은 습기 및 산소와 접촉하여 빠른 속도로 열화되는 특성을 가진 유기 발광다이오드, 유기물 트랜지스터 등의 유기물 소자에 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 종래에는 기판이나 유기물 소자의 보호막을 형성하는 공정에서 높은 공정 온도나 플라즈마에 의해 열에 약한 기판이 변형되거나 유기물 소자가 열화/파괴되는 문제가 있다. 본 발명에서는 짧은 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하여 보호막을 형성한다. 플라즈마를 이용하므로 유기물이 변성되지 않을 정도의 매우 낮은 온도에서 박막 증착을 수행할 수 있으며, 펄스형 플라즈마를 이용하므로 플라즈마에 의한 열화를 최소화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050078252A
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：KR1020050060919
申请日：2005-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L21/02274 , H01L21/0229 , H01L21/02365 , H01L21/0262 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2924/12044
Abstract: PURPOSE: A flat panel display device and a method for forming a protective layer thereof are provided to maintain a lifetime and a characteristic by forming a protective layer in a low temperature process. CONSTITUTION: A flat panel display device is fabricated on a substrate(100). The flat panel display device formed on the substrate is transferred to a process chamber in order to form a protective layer(118). A plurality of precursors including elements of the protective layer are injected into the chamber. The protective layer of an inorganic insulating layer is formed under the temperature of 20 to 220°C by using an atomic layer deposition method using a surface reaction between the precursors. The flat panel display device is an organic electro-luminescent device including the first electrode(102), an electro-luminescent layer, and the second electrode(114). The protective layer is formed by stacking an organic insulating layer and a protective metal layer(116) to the inorganic insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种平板显示装置及其保护层形成方法，以通过在低温工艺中形成保护层来保持寿命和特性。 构成：在基板（100）上制造平板显示装置。 形成在基板上的平板显示装置被转移到处理室以形成保护层（118）。 将包括保护层的元件的多个前体注入到腔室中。 通过使用前体之间的表面反应的原子层沉积法，在20〜220℃的温度下形成无机绝缘层的保护层。 平板显示装置是包括第一电极（102），电致发光层和第二电极（114）的有机电致发光器件。 通过将有机绝缘层和保护金属层（116）堆叠到无机绝缘层上形成保护层。
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公开(公告)号：KR100496265B1
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020020075213
申请日：2002-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45542
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 박막 형성 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)과 플라즈마 인가 원자층 증착법(Plasme Enhanced Atomic Layer Deposition; PEALD)을 교대로 실시하면서 박막을 형성하되 실시 비율을 조절하여 박막의 증착 속도, 조밀도 및 이와 관련된 굴절율, 유전상수, 전기저항 등의 물리적 특성을 예측 및 제어할 수 있는 반도체 소자의 박막 형성 및 그 제어 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100494843B1
公开(公告)日：2005-06-14
申请号：KR1020020067488
申请日：2002-11-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C09K11/84
Abstract: 본 발명은 란탄족 이온의 농도 분포를 조절하여 형광층의 휘도와 색도를 조절하고, 형광층의 결정성을 증대시키는데 적합한 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물 형광층의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물의 제조 방법은 2족 원소의 전구체 주입, 퍼지, H
2 S 주입 및 퍼지의 순서로 이루어지는 사이클을 반복진행하여 2족 금속황화물 모재료를 증착하는 단계, 란탄족 이온의 전구체 주입, 퍼지, H
2 S 주입 및 퍼지의 순서로 이루어지는 사이클을 반복진행하여 란탄족 황화물을 증착하는 단계, 원자층증착법으로 상기 2족 금속황화물 모재료를 증착하기 위한 사이클과 상기 란탄족 황화물을 증착하기 위한 사이클을 여러번 반복 진행하여 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물을 증착하되, H
2 S 주입시 또� � 주입후에 플라즈마를 동작시키며, 산소 플라즈마를 이용해 초박막 산화막을 형광층 내에 삽입하여 란탄족 원소의 농도 분포를 조절하여 궁극적으로 형광체의 휘도와 색도를 조절하고, 나가서 실시간으로 플라즈마를 선택적으로 첨가 혹은 처리하여 란탄족 이온의 이동도를 향상시키며 박막의 결정성을 높일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050028980A
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：KR1020030064960
申请日：2003-09-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/22
CPC classification number: H05B33/145 , H05B33/22 , Y10S428/917 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495
Abstract: An inorganic thin film electroluminescent device and a manufacturing method thereof are provided to realize insulating films by using a PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) method that uses a reaction gas with nitrogen and oxygen, and to use a multilayer insulating film consisting of high dielectric films and low dielectric films, thereby realizing high stability and high performance. At least one of lower insulating films(1200) and upper insulating films(1400) is a multilayer insulating film consisting of low dielectric films(1210,1420) and high dielectric films(1220,1410) contacted with a fluorescent substance(1300). An inorganic thin film electroluminescent device operates by electrons, which are trapped on interfaces of the fluorescent substance(1300) and the insulating films(1200,1400) and are excited while colliding with the fluorescent substance(1300) by being accelerated with electric fields.
Abstract translation: 提供无机薄膜电致发光器件及其制造方法，通过使用使用具有氮和氧的反应气体的PEALD（等离子体增强原子层沉积）方法来实现绝缘膜，并且使用由高电介质组成的多层绝缘膜 膜和低介电膜，从而实现高稳定性和高性能。 下绝缘膜（1200）和上绝缘膜（1400）中的至少一个是由低介电膜（1210,1420）和与荧光物质（1300）接触的高介电膜（1220,1410）组成的多层绝缘膜。 无机薄膜电致发光器件由电子操作，电子被俘获在荧光物质（1300）和绝缘膜（1200,1400）的界面上，并通过用电场加速与荧光物质（1300）碰撞而被激发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040047119A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020075213
申请日：2002-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45542
Abstract: PURPOSE: A method for forming and controlling a thin film of a semiconductor device is provided to predict and control a deposition rate of a thin film, a density and a physical characteristic like an index of refraction, a dielectric constant and electrical resistance by forming the thin film while an ALD(atomic layer deposition) method and a PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) method are alternatively performed in which a repetitive performance rate is controlled. CONSTITUTION: An ALD method is performed on the upper surface of the substrate for only one cycle so as to form a thin film of a basic unit thickness. A PEALD method is performed on the upper surface of the substrate for only one cycle to form a thin film of a basic unit thickness. The ALD method and the PEALD method are alternatively and repeatedly performed to form a thin film of a desired thickness.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成和控制半导体器件的薄膜的方法，以通过形成半导体器件的薄膜来预测和控制薄膜的沉积速率，密度和物理特性，如折射率，介电常数和电阻 薄膜，同时执行ALD（原子层沉积）方法和PEALD（等离子体增强原子层沉积）方法，其中控制重复性能。 构成：在基板的上表面仅执行一个周期的ALD方法，以便形成基本单位厚度的薄膜。 在基板的上表面仅执行一个周期的PEALD方法以形成基本单位厚度的薄膜。 ALD方法和PEALD方法可选地并反复进行以形成所需厚度的薄膜。
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公开(公告)号：KR100340687B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990055386
申请日：1999-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은디스플레이소자기술에관한것으로, 특히박막전계발광소자(TFELD)에관한것이며, 더자세히는백색전계발광소자와천연색전계발광소자에적합한백색형광막에관한것이다. 다층구조백색형광막은청색영역의색도와휘도가증가된것으로서, 원자층증착법이나화학증착법으로형성된 CaS:Pb 박막이청색과녹색형광막으로작용하고스퍼터링, 전자빔증착법, 원자층증착법, 혹은화학증착법으로증착된 CaS:Eu이적색형광막으로작용한다. CaS 모재료에도핑된 Pb은조절된결정의크기에따라한층에서는청색발광체로, 다른층에서는녹색발광체로작용한다. 동일한모재료로구성된상기다층구조형광막은결정성이우수하게성장돨수 있어박막의질이높이지며결함이적어소자의안정성을높일수 있으며특히, 도핑된발광체들의감쇠시간과동작전압에따른휘도특성이서로유사하여구동주파수나구동전압의변화에따라백색광의색순도가영향을받지않음을특징으로한다. 상기다층구조의형광막으로부터색필터를사용하면넓은색영역에서원하는색을얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010064242A
公开(公告)日：2001-07-09
申请号：KR1019990062392
申请日：1999-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A blue ELD(electroluminescent display) is provided to ensure low operating voltage, high efficiency and easy adjustment of luminance by using a uniform thin fluorescent film of Cas:Pb grown through atomic layer deposition or chemical deposition. CONSTITUTION: A DC blue ELD has a transparent glass substrate(1), a transparent electrode(2) on the transparent glass substrate(1), a CaS:Pb fluorescent film(3) on the transparent electrode(2), an insertion thin film(4) on the fluorescent film(3) and a metal electrode(6) on the insertion thin film(4). The CaS:Pb fluorescent film(3) has a thickness of 1000 to 10000 angstroms, and is doped with phosphor Pb 0.4 to 2.0mol%. A current barrier film is formed between the insertion thin film and the metal electrode, and made of a MnO2 layer.
Abstract translation: 目的：通过使用通过原子层沉积或化学沉积生长的均匀的Cas：Pb薄膜荧光膜，提供蓝色ELD（电致发光显示器）以确保低工作电压，高效率和容易调节亮度。 构成：DC蓝色ELD在透明玻璃基板（1）上具有透明玻璃基板（1），透明电极（2），透明电极（2）上的CaS：Pb荧光膜（3），插入薄片 荧光膜（3）上的膜（4）和插入薄膜（4）上的金属电极（6）。 CaS：Pb荧光膜（3）的厚度为1000〜10000埃，掺杂了0.4〜2.0摩尔％的磷光体Pb。 在插入薄膜和金属电极之间形成由MnO 2层制成的电流阻挡膜。
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公开(公告)号：KR100270333B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019960069794
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thick film and thin film laminated type electroluminescent layer for field emission display is provided to maximize the electroluminescent efficiency by using a uniform electroluminescent thin film. CONSTITUTION: A transparent conductive layer(20) is formed on a transparent substrate(10). A thick film type electroluminescent layer(30) is formed on a transparent conductive layer(20). An electroluminescent thin film(110) is formed on the thick film type electroluminescent layer(30). The electroluminescent thin film(110) is formed with one material of Zn:O, ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Eu, Y2O2S:Eu, YAG:Tb, Y2SiO5:Ce, Y2O2S:Tb, Gd2O2S:Tb, SrS:Ce, SrTe:Ce, SrS-Sc2S3, ZnS:Ag, ZnS:Pr, SrGa2S4, ZnCdS:Cu, and Al.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于场发射显示的厚膜和薄膜层叠型电致发光层的方法，以通过使用均匀的电致发光薄膜来最大化电致发光效率。 构成：透明导电层（20）形成在透明基板（10）上。 在透明导电层（20）上形成厚膜型电致发光层（30）。 在厚膜型电致发光层（30）上形成电致发光薄膜（110）。 电致发光薄膜（110）由Zn：O，ZnGa2O4：Mn，ZnGa2O4：Eu，Y2O2S：Eu，YAG：Tb，Y2SiO5：Ce，Y2O2S：Tb，Gd2O2S：Tb，SrS：Ce，SrTe ：Ce，SrS-Sc2S3，ZnS：Ag，ZnS：Pr，SrGa2S4，ZnCdS：Cu和Al。
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公开(公告)号：KR1019990051078A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070317
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 전계 발광소자는 투명 기판 또는 불투명 기판의 표면상에 선 형상 또는 매쉬 형상을 가지며, 측면이 경사진 패턴을 형성하고, 기판상에 투명 전극층, 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층 및 금속 전극층을 차례로 적층하고, 상기 금속 전극층을 패터닝하여, 제 2 절연층의 볼록부 상평면 혹은 상평면과 경사면에 금속 전극을 형성하고, 상기 물질층들을 반대로 적층한 반전소자의 경우에는 제 1 절연층의 오목부의 상평면 혹은 상평면과 경사면에 걸쳐 투명전극을 형성하여 픽셀을 섬모양 또는 우물모양으로 형성하였다.
본 발명은 기판에 패턴을 미리 형성하여 패턴의 경사진 측면이 전계발광 소자의 휘도를 증가시킬 수 있도록 배열하여 전계발광 소자를 형성함으로써 빛의 측면 손실량을 감소시키고 전면 투과량을 증가시킨다.
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