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公开(公告)号：KR100270333B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019960069794
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thick film and thin film laminated type electroluminescent layer for field emission display is provided to maximize the electroluminescent efficiency by using a uniform electroluminescent thin film. CONSTITUTION: A transparent conductive layer(20) is formed on a transparent substrate(10). A thick film type electroluminescent layer(30) is formed on a transparent conductive layer(20). An electroluminescent thin film(110) is formed on the thick film type electroluminescent layer(30). The electroluminescent thin film(110) is formed with one material of Zn:O, ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Eu, Y2O2S:Eu, YAG:Tb, Y2SiO5:Ce, Y2O2S:Tb, Gd2O2S:Tb, SrS:Ce, SrTe:Ce, SrS-Sc2S3, ZnS:Ag, ZnS:Pr, SrGa2S4, ZnCdS:Cu, and Al.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于场发射显示的厚膜和薄膜层叠型电致发光层的方法，以通过使用均匀的电致发光薄膜来最大化电致发光效率。 构成：透明导电层（20）形成在透明基板（10）上。 在透明导电层（20）上形成厚膜型电致发光层（30）。 在厚膜型电致发光层（30）上形成电致发光薄膜（110）。 电致发光薄膜（110）由Zn：O，ZnGa2O4：Mn，ZnGa2O4：Eu，Y2O2S：Eu，YAG：Tb，Y2SiO5：Ce，Y2O2S：Tb，Gd2O2S：Tb，SrS：Ce，SrTe ：Ce，SrS-Sc2S3，ZnS：Ag，ZnS：Pr，SrGa2S4，ZnCdS：Cu和Al。
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公开(公告)号：KR1019970010963B1
公开(公告)日：1997-07-05
申请号：KR1019930029091
申请日：1993-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N1/00
Abstract: A sample mounting apparatus of a net grid structure having a metal support is disclosed. In the sample mounting apparatus of a net grid structure, an experimental sample(5) is put on a net grid(7). A plurality of metal supports(9) are attached to a lower portion of the net grid(7). A plurality of metal springs(6) are installed between the metal supports(9) at a lower portion of the net grid(7). The metal springs(6) have the same elasticity. According to the sample mounting apparatus, since a grid surface maintains at level, an analyzing error is reduced.
Abstract translation: 公开了一种具有金属支撑件的网格结构的样品安装装置。 在网格结构的样品安装装置中，将实验样品（5）放在网格（7）上。 多个金属支撑件（9）附接到网格（7）的下部。 多个金属弹簧（6）安装在网格网格（7）下部的金属支架（9）之间。 金属弹簧（6）具有相同的弹性。 根据样品安装装置，由于电网表面保持水平，故分析误差降低。
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公开(公告)号：KR1019950002174B1
公开(公告)日：1995-03-14
申请号：KR1019910018985
申请日：1991-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: The method includes the steps of depositing a metal film of 300-500 angstrom thickness on a silicon substrate (1) to heat-treat the substrate at 750 degree C. to form a silicide layer (6) of 1000 angstrom thickness thereon, heating the silicide layer (6) at 900-1200 degree C. to form a matched silicon epitaxial layer(7) thereon by a solid phase epitaxy, using the layer (7) as a nucleus to form an n epitaxial layer (5) thereon, and forming a trench thereinto to fill the trench with an irolating layer (8), thereby using the epitaxial silicon as a nucleus for the epitaxial growth to reduce crystal defects.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在硅衬底（1）上沉积300-500埃厚度的金属膜，以在750℃下对衬底进行加热处理，以形成其厚度为1000埃的硅化物层（6），加热 硅化物层（6），在900-1200℃下通过固相外延形成匹配的硅外延层（7），使用该层（7）作为核，在其上形成n外延层（5），以及 在其中形成沟槽以用移动层（8）填充沟槽，从而使用外延硅作为外延生长的核以减少晶体缺陷。
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公开(公告)号：KR100265859B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019960069795
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J31/127 , H01J2329/30 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
Abstract: PURPOSE: Light emission particles for filed emission display are provided to maximize light emission efficiency of a light emission layer by using light emission particles and forming a light emission layer thereof. CONSTITUTION: A transparent conductive layer(20) is formed on a transparent substrate(10) such as a glass. Light emission particles(30) of a powder type are formed on an upper portion of the transparent conductive layer(20). A light emission thin film(31) is formed on a surface of the light emission particles(30) of the powder type. The light emission thin film(31) is formed uniformly on the surface of the light emission particles(30) of the powder type as the material of light emission layer by using an atomic layer deposition method.
Abstract translation: 目的：提供用于场发射显示器的发光粒子，以通过使用发光粒子并形成发光层使发光层的发光效率最大化。 构成：在诸如玻璃的透明基板（10）上形成透明导电层（20）。 在透明导电层（20）的上部形成粉末型发光粒子（30）。 在粉末类型的发光粒子（30）的表面上形成发光薄膜（31）。 通过使用原子层沉积法，将发光薄膜（31）均匀地形成在作为发光层的材料的粉末类型的发光粒子（30）的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980044283A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062350
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C16/44
Abstract: 본 발명은 화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것으로, 특히, 증착에 사용되는 액체소스를 외부 가열장치에서 가열하여 소스 증기를 생성하는 동시에, 고온 운반 가스 공급장치를 이용하여 고온의 운반가스를 액체소스에 공급함으로써, 고온의 소스 증기를 중도에 응축됨이 없이 증착장치의 반응실로 공급할 수 있도록 구성된 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 외부 액체소스 공급장치는, 온도조절장치(6)에 의해 온도를 조절하면서 운반가스를 가열하여 외부 액체소스 모듈(8)에 공급하기 위한 고온 운반가스 공급장치(7)와, 온도조절장치(9)에 의해 온도가 조절되는 한편, 상기한 고온 운반가스 공급장치(7)에 의해 공급된 운반가스에 의해 소스증기를 증착장치의 반응실(10)로 공급하기 위한 외부 액체소스 모듈(8)과, 고온의 운반가스 및 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 단열시켜 공급하도록 하는 가스 공급 튜브(4)를 포함한다. 또한, 본 발명의 외부 액체소스 공급장치는, 운반가스 공급용 튜브(3)를 통해 공급된 실온의 운반가스를 가열하는 동시에, 액체소스 용기를 가열하여 가스 공급용 튜브(4)를 통해 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 공급하기 위한 대류가열형 액체소스 캐비넷(11)과, 운반가스가 캐비넷(11) 내에 충분히 오래 머물면서 가열되도록 둥글게 감긴 형상을 지닌 수미터 이상의 긴 스테인레스스틸 또는 구리 튜브(1)와, 캐비넷(11) 내에 설치된 열전대 등과 같은 온도센서(9a)에 의해 온도를 연속적으로 측정하면서 캐비넷(11) 내의 온도를 일정하게 유지시키기 위한 온도조절장치(9)와, 액체소스가 저장되는 액체소스 용기(14)를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100138853B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940028804
申请日：1994-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/265 , H01L21/31
Abstract: 본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(IMD; inter metal dielelectric)으로 SOG(spin-on glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 플라즈마 방법을 이용하여 양질의 SOG 박막을 형성시킬 수 있는 경화(curing) 방법에 관한 것이다.
본 발명은 절연막으로 SOG(Spin-On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법, 또는 기존의 열처리 방법과 병하여 수행함으로써, SOG막 내에 잔류하는 Si-OH 결합 및 휘발성 유기물과 H
2 O를 제거한다.-
公开(公告)号：KR1019950021148A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027628
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 고체의 표면에 수 내지 수십 nm크기의 미세패턴을 형성하는 것에 관한 것으로서, 특히 결정격자를 통과한 전자선의 위상차이에 의해서 격자상이 형성되는 현상을 이용하여 일정한 크기와 간격을 가지는 규칙적인 미세구조 가공장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명은 전자광학 장치를 사용하여 기준단결정의 격자상을 형성하는 방법과 표면개질후 선택적 화학증착반응, 초 박막의 감광재표를 이용한 현상-식각공정 및 표면산화막의 부분 분해방법등의 표면가공 공정을 결합함으로써, 단파장 실리콘 발광소자의 제작, 자외선 단색화장치 및 초 미세필터등의 제작에 필요한 수 내지 수 nm크기의 균일한 크기와 형상을 가지는 표면미세구조를 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100198803B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960052020
申请日：1996-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09F9/00
Abstract: 적색 및 녹색에 비해 아직 상용화에 미흡한 청색 박막 전계 발광 디스플레이의 발광 효율의 단점과 ELD를 구동시키기 위해 필요한 고가의 고전압 IC로 인해 시장 경제성을 저하시키는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 청색 발광체와 적녹색 발광체의 이종 접합층을 발광체로 구성하여 청색 발광 효율을 개선시키고 절연막도 강유전체와 저유전율 비정질층의 이중 구조를 원자층 에피택시법으로 형성하여 발광에 필요한 전하량을 증대시키며 절연층의 전기적 파괴 특성도 안정시켜 문턱 전압을 낮춤으로써 구동 회로의 저가화를 도모하기 위한 청색 발광 효율 개선을 위한 백색 교류 구동형 박막 전계 발광 소자의 구조가 제시된다.
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公开(公告)号：KR1019980050946A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069794
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
발광층의 발광효율을 극대화하고, 전자의 분산을 용이하게함과 동시에 빛의 전면투과율을 향상시킬 수 있는 전계방출 디스플레이용 발광증 및 그 제조방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 후막형 발광층을 형성한 다음, 상기 후막형 발광층 상부에 원자층에피텍시 또는 화학 증착법에 의해 표면 전체가 균일한 박막을 형성함으로써, 전자의 분산을 용이하게 함과 동시에 빛의 전면 투과율을 향상시킬 수 있고, 발광효율을 극대화할 수 있는 전계방출 디스플레이용 발광층 제조방법.
4. 발명의 증요한 용도
전계방출 디스플레이용 발광증 및 그 제조 공정에 이용됨.
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