公开(公告)号：KR1019970054752A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950051460

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장순호 ,  강성구 ,  장기호

IPC: H01M10/04

Abstract: 본 발명은 리튬 고분자 2차전지용 고분자 전해막의 제조방법 및 전극과의 캘린더링에 의한 리튬 고분자 2차 전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 리튬 고분자 2차전지용 고분자 전해막의 제조방법은, 고분자 지지체 필름에 고분자 전해질 슬러리(slurry)를 테이프 롤 캐스팅에 의해 캐스팅하는 단계; 및 고분자전해질이 캐스팅된 고분자 지지체 필름을 건조기를 통과시켜 고분자 전해질을 고체화하여 고분자 전해막을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명의 리튬 고분자 2차전지의 제조방법은, 고분자 전해막 필림으로부터 고분자 전해질과 고분자 지지체를 분리하는 단계; 상기한 단계에서 분리된 고분자 전해질과 양전극 필름을 캘린더링하여 고분자 전해질과 양전극 필름을 접합하는 단계; 및, 상기 단계로부터 얻어진 고분자 전해질과 양전극 필름의 접합체에 음전극 필름을 캘린더링에 의해 접합시켜 3층의 단위 셀을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019970053295A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950050521

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  최부연 ,  장기호 ,  장원익 ,  김도훈

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장비의 웨이퍼 측면파지를 위한 구동기구에 관한 것으로 종래의 웨이퍼 이송장치는 장비내에서 웨이퍼를 공정모듈에 이송할 때, 삼발이, 공압구동기 및 벨로우즈 등의 복잡한 부설장치가 공정모듈에 필요하게 되어, 진공배기 속도, 공정안정도 및 공정균일도가 나빠지게 되며 또한 웨이퍼 측면파지형 집게의 구조는 위와 같은 문제점을 개선하기는 하지만, 집게손가락이 웨이퍼를 잡을 때 각 집게손가락에 개별적으로 작동되는 인장스프링에 의한 탄성력에만 의존하여 개별적으로 작용하므로, 집게의 좌우방향에 대한 각도의 균형 및 강성이 작다는 문제점이 있어 웨이퍼의 파지가 실패할 우려가 있었으나 본 발명은 집게를 구동하는 두 회전축의 풀리(pulley) 주위에 인장강성이 높은 연동용 스틸 벨트(steel belt)를 8자 형태로 감아 개의 집게손가락의 회전운동이 연동되도록 하여 웨이퍼를 보다 안정하게 파지할 수 있고, 또한 집게의 측면방향에 대한 강성을 부여함으로써 웨이퍼의 이송속도를 증가시킬 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송용 집게(end effector)의 구동기구에 관한 것임.

公开(公告)号：KR1019960026526A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940032936

申请日：1994-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  유형준 ,  최부연 ,  장원익 ,  장기호

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히, 집게에 의하여 웨이퍼의 측면 부위를 잡도록 하여 삼발이의 도움없이도 카세트에서 웨이퍼척까지 웨이퍼를 용이하게 주고 받을 수 있도록 한 웨이퍼 측면파지 이송 반도체 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에서는 웨이퍼를 잡는 집게의 구조를 변경함으로써 삼발이와 같은 웨이퍼 운송기구를 제거시켜도 용이하게 웨이퍼를 파지할 수 있도록 한 것으로서 웨이퍼의 측면이 일반적으로 원형가공(ROUNDING)되어 있다는 것에 착안하여 웨이퍼의 아랫면 대신에 측면부위를 집게가 잡도록 하므로서 삼발이가 없이도 웨이퍼의 파지, 운송이 용이하게 이루어지도록 하며, 따라서 종래의 삼발이와 같은 웨이퍼 운송장치를 제거함으로써 장비의 구조가 간단하게 구성되며, 진공반응기의 배기구를 연직하방에 설치하여 상측의 가스공급기로부터 공급되는 공정가스의 흐름이 축대칭을 이루도록 함으로써 공정균일도를 높이도록 함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019880004555A

公开(公告)日：1988-06-07

申请号：KR1019860007438

申请日：1986-09-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송규상 ,  장기호 ,  권오준

IPC: H01L21/306

公开(公告)号：KR1019990051074A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970070313

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장기호 ,  장순호 ,  강성구 ,  류광선

IPC: H01M10/05

Abstract: 본 발명은 리튬 고분자 전지에 관한 것으로 특히 고분자 전극을 이용한 리튬 2차전지에 관한 것이다. 종래에는 전도성고분자 중 폴리아닐린이 전도도를 가지게 하기 위해 양성자 산으로 도핑을 하는 방법을 이용하였다. 상기의 양성자 산에 의해 도핑한 폴리아닐린을 양전극으로 사용하여 리튬 2차전지를 구성하면 도핑된 양성자들이 전지 반응에 참여하여 전지에 좋지 않은 영향을 주어 전지의 성능 저하를 가져왔다. 따라서 본 발명에서는 양성자 산에 의한 도핑을 하지 않고 전지구성 시 사용하는 염이 녹아있는 전해질로 도핑을 한 전도성고분자를 양전극으로 사용하여 리튬 2차전지를 구성하면, 상기의 단점을 개선 할 수 있어 전지의 성능이 개선되며, 무기물 전극을 사용하였을 때 보다 전지의 모양도 자유롭고 무게도 가벼운 전지의 제작이 가능할 것이다.

公开(公告)号：KR1019990051072A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970070311

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장기호 ,  장순호 ,  강성구 ,  류광선

IPC: H01M2/02

Abstract: 본 발명은 리튬 고분자 전지에 있어서 양전극 물질과 음전극 물질 및 고분자 전해질을 기본 물질로하여 적층하거나 접는 방법을 이용하여 구성하는 전지의 제작에 있어서 양전극과 음전극의 탭을 손쉽게 부착하고 급속 충전 및 방전이 가능하게 하는 전극 탭 부착 방법에 관한 것이다. 종래의 리튬 고분자전지는 양전극 및 음전극의 한쪽 끝에 일자형으로 탭을 부착하기 때문에 공정이 복잡하고 탭의 형태도 전극 양쪽 종단에 고착되고 그 용착면적도 적어 기계적으로 약하며 전지의 급속 충방전에 약한 단점이 있다. 본 발명에서는 종래의 적층형 전지의 탭 공정 중 한쪽 끝에서 작은 면적만을 접촉 시켜 적층하는 기존의 탭 방법과는 달리 단위 전지와 단위 전지를 용량에 맞도록 먼저 적층한 후 전지의 탭 부착 위치인 금속 망 부분(집전체 부분)을 탭 금속으로 한바퀴 돌리고 접어 초음파 용착기를 사용하여 한번에 용착하여 탭을 만드는 방법을 제안한 것이며, 또한 이러한 방법은 접는 형태의 전지에서도 동일하게 적용할 수 있다. 이에따라 단위 셀과 단위 셀의 접촉 면적은 물론 전극과 탭의 접촉 면적을 넓게하므로 급속 충전 및 방전에도 효과적인 방법을 제안한 것이다.

公开(公告)号：KR100198997B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950052680

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강성구 ,  장순호 ,  장기호

IPC: H01M4/26

Abstract: 본 발명은 리튬 2차전지용 양극물질의 제조방법에 관한 것으로 특히, 리튬 2차전지에 있어서 양극 활성물질로 사용되는 LiCoO
2 와 LiCo
y Ni
1 -
y O
2 화합물을 시트르산(citric acid), 숙신산(succnic acid), 말산(malic acid), 옥살산(oxalic acid), 타르타르산(tartaric acid), 푸마르산(fumaric acid)과 같은 유기산을 이용한 졸-겔법에 의해서 저온에서 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 유기산 졸을 만드는 1단계; 진공하에서 가열하므로 용매를 증발시켜 고체상의 유기금속착물을 만드는 제2단계; 상기 제2단계의 유기금속착물을 가열하므로 분해하여 LiCoO
2 또는 LiCo
y Ni
1 -
y O
2 (0y1)의 전구물질을 만드는 제3단계; 및 상기 제3단계의 전구물질을 어닐링하는 제4단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019990025399A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970046990

申请日：1997-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장기호 ,  류광선 ,  장순호 ,  강성구

IPC: H01M10/05

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
2차 전지의 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
리튬 폴리머 고분자 2차 전지의 제작시, 형태나 용량에 제한 받지 않을 수 있는 개선된 리튬 2차 전지의 형성 방법을 제공함을 그 목적으로 한다
3. 발명의 해결 방법의 요지
양전극/절연막/음전극을 포함하여 이루어지는 전지의 형성 방법에 있어서, 상기 양전극, 절연막, 음전극을 차례로 형성하는 제1단계; 상기 제1단계가 완료된 결과물을 적어도 80℃를 넘는 온도에서 열공정 하는 제2단계; 및 상기 제2단계가 완료된 결과물을 다수회 접는 제3단계를 포함하여 이루어진다.
4. 발명의 중요한 용도
리튬 고분자 2차 전지 제조 공정에 이용됨.

公开(公告)号：KR1019980045019A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960063176

申请日：1996-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장기호 ,  장순호 ,  강성구

IPC: H01M4/60

Abstract: 본 발명은 리튬 전지의 제작시 양면 또는 단면을 동시에 도포를 할 수 있도록 한 전극물질 도포 장치에 관한 것으로, 점도가 낮은 전극물질의 도포는 물론 높은 점도의 전극물질의 도포까지 광범위하게 사용할 수 있는 고체 리튬 2차전지의 전극 물질의 도포 장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100126580B1

公开(公告)日：1997-12-29

申请号：KR1019940032096

申请日：1994-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장기호 ,  장원익 ,  이종현 ,  최부연

IPC: G01L27/00

Abstract: The apparatus for correcting vacuum sensors which are used in a vacuum equipment, comprises: a polygonal pillar chamber(1) having a cylindrical space in the interior thereof and a polygonal pillar shape in the exterior thereof; and standard sensors(5,6) and correcting sensors(7,8) each attached on a chamber side plate(2) of the polygonal pillar chamber(1) to be placed with the same partial pressure as each other, the standard sensors(5,6) and correcting sensors(7,8) each disposed to be in an equal shape, equal distance and equal position.

Abstract translation: 用于真空设备中使用的用于校正真空传感器的设备包括：在其内部具有圆柱形空间并且在其外部具有多边形柱状的多边形柱室（1） 和标准传感器（5,6）和校正传感器（7,8），每个校正传感器（7,8）分别附接在多边形柱室（1）的腔室侧板（2）上，以相同的分压放置，标准传感器 5,6）和校正传感器（7,8），每个传感器设置成相等的形状，相等的距离和相等的位置。