公开(公告)号：KR100687757B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050120163

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류상욱 ,  유병곤 ,  윤성민 ,  최규정 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  이남열

IPC: H01L27/115

公开(公告)号：KR100687747B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050069803

申请日：2005-07-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  류상욱 ,  윤성민 ,  이남열 ,  최규정 ,  이승윤 ,  유병곤

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 상변화물질층과 발열성 전극 사이의 접촉면적을 최대화할 수 있는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 메모리소자 및 제조방법은 포어에 의해 노출된 절연층의 적어도 일측면과 하부전극의 일면의 일부를 덮으면서 리세스된 영역을 포함하는 발열성 전극과, 리세스된 영역을 매립하면서 발열성 전극 상에 적층된 상변화물질층을 포함한다. 상기 소자는 상변화물질층과 발열성 전극 사이의 접촉면적을 최대화하여 소비전류를 크게 줄일 수 있다.
상변화물질층, 발열성 전극, 리세스된 영역, 접촉면적

公开(公告)号：KR100640002B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050082660

申请日：2005-09-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성민 ,  류상욱 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  최규정 ,  이남열 ,  유병곤

IPC: H01L27/115