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公开(公告)号：KR1020140145019A
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020130067383
申请日：2013-06-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05G1/02
CPC classification number: G01N23/046 , G01N2223/6116 , H01J35/14 , H01J35/30
Abstract: 고속으로 피검체의 엑스선 이미지를 획득할 수 있는 엑스선 발생 방법 및 장치가 제공된다. CT 촬영 시스템이 피검체를 검사할 때, 엑스선 발생 장치에서 방출된 회전하는 엑스선을 통해 피검체의 엑스선 이미지를 획득할 수 있으므로, 다양한 각도에서 피검체의 엑스선 이미지를 얻을 수 있다. 또한, 엑스선 발생 장치 또는 피검체가 서로 움직일 필요가 없으므로, 고속으로 엑스선 이미지를 획득할 수 있어 신속하게 피검체를 검사할 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于产生计算机断层摄影系统的X射线的方法和装置，用于高速获得被测物体的X射线图像。 当CT拍摄系统检查被测物体时，通过从X射线产生装置辐射的旋转X射线获得被测物体的X射线图像，以各种角度获得发短信件的X射线图像。 由于X射线产生装置或测试对象不需要移动，CT拍摄系统通过高速获取X射线图像来快速检测被测对象。
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公开(公告)号：KR1020140076953A
公开(公告)日：2014-06-23
申请号：KR1020120145562
申请日：2012-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J35/02
Abstract: The present invention relates to a fixing apparatus for an X-ray tube. According to one aspect of the present invention, provided is the fixing apparatus equipped with an insulator between an anode and a cathode comprising a support part supporting the lower part of the X-ray tube; a fixing part supported by the supporting part and fixing the anode, the cathode, and the insulator respectively; and a pressing part formed on the upper end of the fixing part and pressing the upper part of the X-ray tube.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于X射线管的定影装置。 根据本发明的一个方面，提供了在阳极和阴极之间配备有绝缘体的定影装置，其包括支撑X射线管的下部的支撑部分; 固定部分由支撑部分支撑并分别固定阳极，阴极和绝缘体; 以及形成在固定部的上端并按压X射线管的上部的按压部。
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公开(公告)号：KR1020140049917A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020130028117
申请日：2013-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/101 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/03046 , H01L31/062
Abstract: The present invention discloses an ambient light sensor based on a metal-insulator transition (MIT) phenomenon. The sensor comprises: a substrate; a buffer layer on the substrate; a plurality of electrodes separated on the buffer layer; and a detection layer coupled into the electrodes and detecting the area of visible light and the infrared light. Herein, the detection layer may include an aluminium gallium arsenic layer or a superlattice layer of the aluminium galliumarsenic layer and a galliumarsenic layer.
Abstract translation: 本发明公开了一种基于金属 - 绝缘体转变（MIT）现象的环境光传感器。 传感器包括：基板; 衬底上的缓冲层; 在所述缓冲层上分离的多个电极; 以及耦合到电极中并检测可见光和红外光的区域的检测层。 这里，检测层可以包括铝镓砷层或铝镓砷层的超晶格层和镓砷层。
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公开(公告)号：KR1020110079979A
公开(公告)日：2011-07-12
申请号：KR1020100000106
申请日：2010-01-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L33/0075 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A structure of a light emitting device using an avalanche metal-insulator transition phenomenon in a semiconductor is provided to enhance a yield rate by reducing the number of layers in a thin film and simplifying a light emitting device manufacturing process. CONSTITUTION: A semiconductor layer in which a light emission occurs in an avalanche domain is included. A buffer layer is formed on a substrate. A P type or a N type semiconductor layer is formed on the buffer layer. The first electrode layer is formed under the semiconductor layer or within the semiconductor layer. The second electrode layer is formed on the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种在半导体中使用雪崩金属 - 绝缘体转变现象的发光器件的结构，以通过减少薄膜中的层数来提高成品率，并简化了发光器件制造工艺。 构成：包括在雪崩域中发生发光的半导体层。 在基板上形成缓冲层。 在缓冲层上形成P型或N型半导体层。 第一电极层形成在半导体层之下或半导体层内。 第二电极层形成在半导体层上。
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公开(公告)号：KR100927598B1
公开(公告)日：2009-11-23
申请号：KR1020070100602
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L31/113
Abstract: 본 발명의 광 게이팅 스위치 시스템은 기판 상에 형성된 광 감지 소자를 포함한다. 광 감지 소자는 기판 상에 형성된 광 감지층 및 광 감지층의 양단부에 형성된 전극들으로 구성된다. 본 발명의 광 게이팅 스위치 시스템은 광 감지 소자가 형성된 기판의 하부에 광 감지 소자에 광을 조사할 수 있는 광원을 포함한다. 광 감지 소자는 광(전자파)을 가했을 때나 광과 전계를 동시에 가했을 때, 전극들간에 전류가 흐르거나 흐르지 않게 할 수 있는 금속 절연체 전이소자이다.
Abstract translation: 提供了一种包括形成在衬底上的光敏器件的光电门控开关系统。 感光装置可以包括感光层和形成在感光层两端的电极。 将光照射到光敏器件的光源被集成在衬底的表面之下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100864833B1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020070041618
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/94 , H03B17/00
Abstract: 본 발명은 MIT 소자를 이용하여 간단하면서도 매우 높은 발진 주파수를 발생시킬 수 있는 MIT 소자 기반의 발진 회로 및 그 발진 회로 구동방법을 제공한다. 그 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 상기 MIT 소자에 최대 통전 전류를 제한하면서 직류 정전압을 인가하는 전원; 및 상기 MIT 소자에 전자파를 조사하는 광원;을 포함하여, 상기 광원을 통한 전자파 조사에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 발진 회로는 금속-절연체 전이(metal-insulator transition: MIT) 박막 및 상기 MIT 박막에 접속되는 전극 박막을 구비하고, MIT 발생 전압에서 불연속 MIT가 일어나는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에 직렬로 연결되는 저항 소자; 및 상기 MIT 소자에 단 펄스(short pulse) 전압을 인가하는 전원;을 포함하고, 상기 단 펄스 전압 인가에 의해 상기 MIT 소자에서 발진 특성을 발생시킬 수도 있다.
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公开(公告)号：KR1020080047238A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020070041618
申请日：2007-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , H01L29/94 , H03B17/00
Abstract: An oscillation circuit based upon an MIT(metal insulator transition) device is provided to form an oscillation circuit capable of generating a very high oscillation frequency by adding only one resistance element connected in series with an MIT device. An MIT device(800) includes an MIT thin film and an electrode thin film connected to the MIT thin film wherein discontinuous MIT occurs at an MIT generation voltage in the MIT device. A resistance element(700) is connected in series with the MIT device. A power source(600) applies a DC constant voltage to the MIT device, limiting maximum conduction current. A light source(900) irradiates electromagnetic wave to the MIT device. An oscillation characteristic occurs in the MIT device by the irradiation of the electromagnetic wave of the light source. The light source can be an infrared light source, and the MIT generation voltage of the MIT device decreases as the intensity of the infrared of the light source increases.
Abstract translation: 提供了一种基于MIT（金属绝缘体转换）器件的振荡电路，以形成能够通过仅添加与MIT器件串联连接的一个电阻元件而产生非常高的振荡频率的振荡电路。 MIT装置（800）包括MIT薄膜和连接到MIT薄膜的电极薄膜，其中在MIT装置中以MIT产生电压发生不连续MIT。 电阻元件（700）与MIT器件串联连接。 电源（600）向MIT装置施加直流恒定电压，限制最大传导电流。 光源（900）向MIT设备照射电磁波。 通过照射光源的电磁波，在MIT装置中产生振荡特性。 光源可以是红外光源，并且MIT装置的MIT产生电压随着光源的红外线强度的增加而减小。
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