公开(公告)号：KR100888508B1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：KR1020070130384

申请日：2007-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성우 ,  강규민 ,  최상성 ,  박광로

IPC: H03M13/41

CPC classification number: H03M13/41 ,  H03M13/3972 ,  H03M13/6356 ,  H03M13/6362 ,  H03M13/6561 ,  H03M13/6566

Abstract: An apparatus and a method for viterbi decoding are provided to increase an operation speed by using a block processing decoding method. A viterbi decoder includes a distributor(281), a plurality of memory banks(283a-283h), a plurality of switches(285a-285h) and a plurality of decoding units(287a,287b). The distributor distributes the plurality of bits inputted from the de-puncturer in a block data unit. The plurality of memory banks store the block data inputted from the distributor. The plurality of switches are connected to the plurality of memory banks respectively. Each switch outputs block data stored in one memory bank. Each decoding unit is connected to a part of switches. Each decoding unit performs the viterbi decoding algorithm about block data and outputs a part of block data.

Abstract translation: 提供维特比解码的装置和方法，以通过使用块处理解码方法来提高操作速度。 维特比解码器包括分配器（281），多个存储体（283a-283h），多个开关（285a-285h）和多个解码单元（287a，287b）。 分发器将从去穿孔器输入的多个比特分配到块数据单元中。 多个存储器组存储从分发器输入的块数据。 多个开关分别连接到多个存储体。 每个开关输出存储在一个存储体中的块数据。 每个解码单元连接到交换机的一部分。 每个解码单元执行关于块数据的维特比解码算法，并输出块数据的一部分。

公开(公告)号：KR100808145B1

公开(公告)日：2008-02-29

申请号：KR1020060120834

申请日：2006-12-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성우 ,  신철호 ,  강규민 ,  최상성

IPC: H04B1/7163 ,  H04J11/00

CPC classification number: H04B1/713 ,  H04B1/709 ,  H04L5/0007 ,  H04L5/0037 ,  H04L27/2655 ,  H04L27/2675 ,  H04B1/71637 ,  H04B1/7183

Abstract: A method and an apparatus for detecting a time-frequency code in a multiband OFDM UWB(Ultra-Wide Band) system are provided to detect the time-frequency code quickly by decreasing the number of detecting steps between a PHY(PHYsical) layer and an upper layer. An apparatus for detecting a time-frequency code in a multiband OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) UWB system includes a controller(305) and a correlator(303). When a time-frequency code search start signal is received from a MAC(Media Access Control) receiver, the controller outputs a band select signal to an RF receiver to calculate a correlation value, and outputs a preamble select signal for every symbol period. The correlator stores information on a preamble pattern, selects the stored preamble according to the preamble select signal from the controller, and calculates a correlation value for a digital signal from the RF(Radio Frequency) receiver. When a peak signal is inputted according to the correlation value, the controller determines the time-frequency code as a current time-frequency code, and delivers the determined time-frequency code to the MAC receiver.

Abstract translation: 提供了一种用于检测多频带OFDM UWB（超宽带）系统中的时间频率码的方法和装置，用于通过减少PHY（PHY）层和 上层。 一种用于检测多频带OFDM（正交频分复用）UWB系统中的时间频率码的装置，包括控制器（305）和相关器（303）。 当从MAC（媒体存取控制）接收机接收时间频率代码搜索开始信号时，控制器向RF接收机输出频带选择信号以计算相关值，并且对每个码元周期输出前同步码选择信号。 相关器存储关于前导码模式的信息，根据来自控制器的前同步码选择信号选择所存储的前同步码，并计算来自RF（射频）接收机的数字信号的相关值。 当根据相关值输入峰值信号时，控制器将时间频率代码确定为当前时间频率代码，并将所确定的时间频率代码传送给MAC接收机。

公开(公告)号：KR100714452B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：KR1020060059468

申请日：2006-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강규민 ,  신철호 ,  최성우 ,  조상인 ,  최상성 ,  박광로

IPC: H04B7/005 ,  H04L27/01

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 DS-CDMA UWB 시스템을 위한 병렬처리구조의 등화기 및 그 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 병렬처리 구조의 등화기에서 복수(
L 개)의 필터탭계수 갱신부(WUB)마다 개별적으로 필터탭계수를 갱신하는 기존 방식과 달리, 하나의 필터탭계수 갱신부(WUB)만을 사용하여 필터탭 계수를 갱신하고 그 갱신된 값을
L 개의 필터부(FB)에 전달하여 송신 심볼을 추정하게 함으로써, DS-CDMA UWB 모뎀 수신부에 사용되는 등화기의 복잡도 및 전력 소모를 현저히 감소시킬 수 있는, DS-CDMA UWB 시스템을 위한 병렬처리구조의 등화기 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, DS-CDMA UWB 시스템을 위한 병렬처리구조의 등화기에 있어서, 상기 등화기가 훈련모드로 동작하면 다수의 입력신호들 중에서 어느 하나의 입력신호(훈련용 입력신호)에 대하여 필터링을 수행하고, 상기 등화기가 심볼결정모드로 동작하면 입력신호 모두에 대하여 병렬적으로 필터링을 수행하기 위한 필터 수단; 상기 훈련모드의 경우에는 상기 필터 수단의 출력값과 훈련심볼로부터 심볼오류값을 구하고, 상기 심볼결정 모드의 경우에는 각각의 입력신호에 대한 상기 필터 수단의 출력값으로부터 해당 송신심볼값을 추정하고 송신심볼값이 추정된 입력신호 들 중에서 어느 하나의 입력신호(심볼오류 산출용 입력신호)에 대해서는 해당 추정 송신심볼값의 오차(심볼오류값)를 구하기 위한 심볼 결정 수단; 및 상기 훈련용 입력신호 또는 상기 심볼오류 산출용 입력신호와 상기 심볼 결정 수단에서 구한 심볼오류값을 이용해서 상기 필터 수단의 필터탭 계수를 갱신하여 상기 필터수단으로 전달하기 위한 필터탭계수 갱신 수단을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 DS-CDMA UWB 시스템에서의 등화기 등에 이용됨.
DS-CDMA, UWB, 병렬처리구조, 등화기, 필터탭계수 갱신부, WUB(Weight Update Blcok), 필터부, FB(Filter Block)

Abstract translation: 1.权利要求书中描述的发明所属的技术领域

公开(公告)号：KR100592875B1

公开(公告)日：2006-06-23

申请号：KR1020030082992

申请日：2003-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종원 ,  최성우 ,  전용일 ,  이형호

IPC: H04L12/46

Abstract: 본 발명은 유선 IEEE1394포트에 연결되어 유무선데이터간의 변복조기능을 제공하는 무선 브리지 장치에 관한 것으로서, 본 발명은 컴퓨터통신기기나 디지털 전자 기기의 IEEE1394 포트에 연결되어 유선 IEEE1394 데이터를 QoS(Quality of Service : 서비스 품질)가 보장되는 IEEE802.11a/e 무선 LAN(Local Area Network : 구내 정보 통신망) 데이터로 변환하여 5GHz 대역에서 6 ~ 54Mbps의 전송 속도로 무선 전송하거나, IEEE802.11a/e 무선 LAN 데이터를 유선 IEEE1394 데이터로 역변환함으로서, 고속전송과 QoS를 보장할 수 있도록 한 것이다.
IEEE802.11a/e 방식, IEEE 1394, 브리지, IEEE1394, 엑세스 포인트

公开(公告)号：KR100243104B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970047179

申请日：1997-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  백문철 ,  최성우 ,  남기수

IPC: H01L33/00 ,  H05B33/22

Abstract: 본 발명은 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 한 층 이상의 절연층과 한 층 이상의 형광막으로 이루어진 전계발광 소자 구조에, 밴드갭 조정이 가능하고 저반사율을 가진 유사다이아몬드 탄소 박막을 도입한 고휘도의 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
전계발광 디스플레이 소자들은 구성 박막이 비교적 균일하며 평탄한 박막으로 이루어져 있고, 빛이 발광되는 측의 전극은 투명한 전도성 박막으로 형성되며, 반대편의 전극은 주로 알루미늄이나 내화 금속과 같은 금속으로 형성되는데, 이러한 박막들은 반사율이 매우 커서, 외부 광원의 빛이 태양광을 비롯한 강한 광원 하에서는 선명도가 크게 저하되는 문제가 있다. 또한 절연막의 굴절율이 크기 때문에 형광막에서 발생한 빛이 대부분 전면으로 투과 되지 못하고 측면으로 새어나가는 단점이 있다.
본 발명에서는 유사다이아몬드 탄소 박막을 도입하여, 전계발광 디스플레이 반사 방지용 박막으로 적용하면 금속 박막으로부터의 반사를 막아주어 강한 외부 광원 하에서도 선명한 상을 볼 수 있으며, 밴드갭을 1.5 eV 이하로 낮게 제어하여 형광막과 계면을 형성하도록 성장시키면 전자 주입 효율을 증가시켜 휘도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100227775B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960051778

申请日：1996-11-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성우 ,  서경수 ,  이중환 ,  남기수

IPC: H01J9/22

Abstract: 본 발명은 모체와 활성체의 소스로 유기금속 화합물을 이용하고, 간접플라즈마를 이용하여 고순도, 얇은 막 두께의 형광체를 형성할 뿐 아니라 저온성장이 가능한 표시소자용 형광체 박막 형성 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100178490B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950052636

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협 ,  최성우 ,  이진홍

IPC: H01S3/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/3205 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34313 ,  H01S2301/173

Abstract: 갈륨비소(GaAs) 기판위에 알루미늄 비소(AlAs)와 갈륨비소(GaAs) 초격자거울(distributed Brag reflector)을 하단부에 성장시키고 그 위에 조성 그레이딩방법으로 인디움갈륨비소(InGaAs) 버퍼층을 성장시킨 후, 격자 부정합이 크나 전위없는 인디움 인(InP)층과 활성층인 인디움갈륨비소(InGaAs) 양자우물구조(quantum well)를 성장시키고 그 위에 인디움알루미늄비소(InAlAs)와 인디움갈륨비소(InGaAs) 초격자거울을 생성하는 방법이다.
하단부 거울은 굴절율 차이가 크며 열전도율이 매우 좋아 구조상 이상적이며 활성층과 상단부거울은 광자와 전자의 구속력이 좋고 굴절율 차이도 비교적 좋아 상단부로 레이징하기에 적합하며 상온 연속발진이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019990025514A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970047179

申请日：1997-09-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  백문철 ,  최성우 ,  남기수

IPC: H01L33/00 ,  H05B33/22

Abstract: 본 발명은 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 한 층 이상의 절연층과 한 층 이상의 형광막으로 이루어진 전계발광 소자 구조에, 밴드갭 조정이 가능하고 저반사율을 가진 유사다이아몬드 탄소 박막을 도입한 고휘도의 전계발광 디스플레이 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
전계발광 디스플레이 소자들은 구성 박막이 비교적 균일하며 평탄한 박막으로 이루어져 있고, 빛이 발광되는 측의 전극은 투명한 전도성 박막으로 형성되며, 반대편의 전극은 주로 알루미늄이나 내화 금속과 같은 금속으로 형성되는데, 이러한 박막들은 반사율이 매우 커서, 외부 광원의 빛이 태양광을 비롯한 강한 광원 하에서는 선명도가 크게 저하되는 문제가 있다. 또한 절연막의 굴절율이 크기 때문에 형광막에서 발생한 빛이 대부분 전면으로 투과 되지 못하고 측면으로 새어나가는 단점이 있다.
본 발명에서는 유사다이아몬드 탄소 박막을 도입하여, 전계발광 디스플레이 반사 방지용 박막으로 적용하면 금속 박막으로부터의 반사를 막아주어 강한 외부 광원 하에서도 선명한 상을 볼 수 있으며, 밴드갭을 1.5 eV 이하로 낮게 제어하여 형광막과 계면을 형성하도록 성장시키면 전자 주입 효율을 증가시켜 휘도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980083499A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970018815

申请日：1997-05-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성우 ,  남기수

IPC: G01J1/02

Abstract: 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭(wide energy band gap)을 갖는 신소재 합금을 이용하여 광전도성(photoconducting) 및 광전지성(photovoltaic)을 갖는 자외선 감지기와 그 제조방법에 관한 것이다. 종래의 자외선 감지기는 저전력 소형으로는 사용할 수 없으며 주변 자계(磁界, magnetic field)의 영향을 쉽게 받고, 광변환 효율이 낮고 외부 필터를 사용하여 가시광 및 적외선을 차단해야 해야 하며, 양자효율이 낮으며, 가격이 비싸다는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명의 목적은 자외선 감지능력율 높이고, 근자외선에서 원자외선에 이르는 넓은 파장대에서 차단 주파수를 정밀하게 조절할 수 있으며, 간접에서 직접 에너지 밴드갭 변환에 따라 양자효율을 높이는 데에 있다. 그 특징은 사파이어 기판 위에 성장된 질화 알루미늄 층과, 상기 질화 알루미늄 층 위에 소정의 조성비로 성장된 N형 (SiC)
1-X (AlN)
X 에피텍시 층과, 상기 N형 (SiC)
1-X (AlN)
X 에피텍시 층 위에 소정의 조성비로 성장된 P형 (SiC)
1-X (AlN)
X 에피텍시 층과, 상기 P형 (SiC)
1-X (AlN)
X 에피텍시 층 위에 소정의 조성비로 성장된 P
+ 형 (SiC)
1-X (AlN)
X 에피텍시 층과, 상기 N형 (SiC)
1-X (AlN)
X 에피텍시 층 위에 형성된 N형 전극 및 상기 P
+ 형 (SiC)
1-X (AlN)
X 에피텍시 층 위에 형성된 P형 전극으로 구성되는 데에 있다. 그 효과는 Si이나 SiC를 사용한 소자보다 자외선 감지능력과 양자효율을 크게 향상시킬 수 있다는 데에 그 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100146652B1

公开(公告)日：1998-08-01

申请号：KR1019940036373

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박성호 ,  최성우 ,  박문평

IPC: H01L29/06

Abstract: 3-5족 화합물 반도체를 이용하는 이종접합 바이폴라 트렌지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT)를 제작함에 있어서, HBT 소자 고유의 고속특성을 극대화하기 위하여 임시 에미터 전극과 폴리이미드 측벽을 이용한 에미터-베이스 간의 자기정렬 제작방법을 고안함으로써, 기존의 HBT 소자 제작공정을 개선하였다.