公开(公告)号：KR1020050063661A

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：KR1020040057043

申请日：2004-07-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  김호영 ,  오명숙 ,  정동윤 ,  홍선의 ,  조경익

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L29/7302 ,  H01L29/737 ,  H01L31/105

Abstract: 본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020050060841A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020030092566

申请日：2003-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  남은수

IPC: H03H7/38

CPC classification number: H03H7/38 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/40

Abstract: 본 발명의 임피던스 정합회로는, 입력단과 출력단 사이에 배치된 커패시터와, 이 커패시터에 병렬로 배치되는 인덕터와, 그리고 인덕터와 접지단자 사이에 배치되어 커패시터와는 병렬로 연결되고 인덕터와는 직렬로 연결되는 저항기를 포함한다.

公开(公告)号：KR100479267B1

公开(公告)日：2005-03-29

申请号：KR1020020080045

申请日：2002-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  임종원 ,  김성일 ,  이희태 ,  남은수

IPC: H03F3/45

Abstract: 본 발명은 넓은 주파수 대역폭 및 낮은 입출력 반사 손실을 갖는 트랜스임피던스 증폭기를 개시한다. 개시된 본 발명은, 포토 다이오드에서 발생하는 광 전류를 전기적 신호로 변환시키는 트랜스임피던스 증폭기로서, 광전류를 전압으로 변환, 증폭하는 제 1 증폭부, 상기 제 1 증폭부의 출력을 재차 증폭시키는 제 2 증폭부, 상기 제 2 증폭부의 출력을 제 1 증폭부의 입력단으로 피드백시키는 궤환부, 및 상기 궤환부의 출력 신호를 버퍼링하는 버퍼부를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040057000A

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：KR1020020083751

申请日：2002-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  김성일 ,  홍선의 ,  이희태 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an HBT(Heterojunction Bipolar Transistor) and the HBT thereby are provided to reduce base resistance by forming a collector electrode on a base electrode and self-aligning an emitter with a base, and to decrease the parasitic capacitance between the base and a collector by reducing the junction surface between the base and collector. CONSTITUTION: A subcollector layer(2), the first etch stop layer(2a), a collector layer(3), a base layer(4), an emitter layer(5), an emitter electrode(8) are sequentially deposited on a substrate(1). The base layer is exposed by selectively etching the emitter layer using the emitter electrode as an etching mask. A base electrode(9) is formed on the base layer and emitter electrode. An undercut is formed at the lower portion of the base electrode by selectively etching the base and collector layer using the base electrode as an etching mask. The subcollector layer is exposed by selectively etching the first etch stop layer. A layer for a collector electrode(10) is deposited on the entire surface of the resultant structure for being self-aligned with the base and emitter electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造HBT（异质结双极晶体管）和HBT的方法，以通过在基极上形成集电极并使发射极与基极自对准，并降低基极电阻 基底和收集器通过减少基底和收集器之间的接合面。 构成：子集电极层（2），第一蚀刻停止层（2a），集电极层（3），基极层（4），发射极层（5），发射极（8） 衬底（1）。 通过使用发射电极作为蚀刻掩模选择性地蚀刻发射极层来暴露基底层。 在基底层和发射极上形成基极（9）。 通过使用基极作为蚀刻掩模选择性地蚀刻基极和集电极层，在基极的下部形成底切。 通过选择性蚀刻第一蚀刻停止层来暴露子集电极层。 在所得结构的整个表面上沉积用于集电极（10）的层，以与基极和发射极自对准。