公开(公告)号：KR100670828B1

公开(公告)日：2007-01-19

申请号：KR1020050121973

申请日：2005-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  홍선의 ,  오명숙 ,  김용원 ,  김호영 ,  김보우

IPC: H01L31/101

CPC classification number: H01L27/14694 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14687

Abstract: A photo-detector for an image signal of an infrared laser radar and a method of manufacturing the same are provided to acquire a flat upper surface from a substrate structure by using an Fe ion implanted region as an isolation region. A multilayer compound semiconductor layer is formed on a semi-insulating compound semiconductor substrate(100). A plurality of PN junction diodes are arranged within a selected region of the compound semiconductor layer. A ion implanted region(170) is formed in the compound semiconductor layer to isolate the plurality of PN junction diodes from each other. The ion implanted region is used as an isolation region. The ion implanted region is implanted with Fe ions.

Abstract translation: 提供了用于红外激光雷达的图像信号的光检测器及其制造方法，以通过使用Fe离子注入区域作为隔离区域从基板结构获取平坦的上表面。 在半绝缘化合物半导体基板（100）上形成多层化合物半导体层。 多个PN结二极管被布置在化合物半导体层的选定区域内。 在化合物半导体层中形成离子注入区（170），以将多个PN结二极管彼此隔离。 离子注入区域用作隔离区域。 离子注入区域注入Fe离子。

公开(公告)号：KR1020130056021A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：KR1020110121740

申请日：2011-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  곽상일 ,  이애경 ,  최형도

IPC: G01R29/08

Abstract: PURPOSE: A portable electromagnetic wave exposure measuring device and a method thereof are provided to collect the intensity, measuring location, and time information of an electromagnetic wave radiated to a user by using a portable electromagnetic wave exposure measuring device equipped with a function of receiving location and time information, and to monitor electromagnetic wave exposure based on the collected information about individual exposure. CONSTITUTION: A portable electromagnetic wave exposure measuring device includes the following parts: a sensor part(110) receiving electromagnetic wave signals; a device control part(130) calculating exposure time for each frequency by dividing the electromagnetic wave signals received from the sensor part for each frequency; and a central control part(150) calculating an exposure index and accumulated exposure of electromagnetic waves to an individual user by using the information about exposure time for each frequency, and providing exposure information about the electromagnetic waves. [Reference numerals] (110) Sensor part; (114) RF part; (120) Location and time information receiving part; (130) Device control part; (132) Digital signal processor; (134) Frequency explorer; (136) Timer; (138,154) Data storage part; (140) Alarm part; (152) Device setting part; (156) Signal processing part; (158) Display part; (AA) Data processing

Abstract translation: 目的：提供一种便携式电磁波曝光测量装置及其方法，用于通过使用配备有接收位置功能的便携式电磁波曝光测量装置来收集辐射到用户的电磁波的强度，测量位置和时间信息 和时间信息，并根据收集的关于个人曝光的信息来监测电磁波暴露。 构成：便携式电磁波曝光测量装置包括以下部分：接收电磁波信号的传感器部分（110） 设备控制部件，用于通过对每个频率对从传感器部件接收的电磁波信号进行分频来计算每个频率的曝光时间; 以及通过使用关于每个频率的曝光时间的信息并且提供关于电磁波的曝光信息来计算电磁波对个体用户的曝光指数和累积曝光的中央控制部分（150）。 （附图标记）（110）传感器部; （114）射频部分; （120）位置和时间信息接收部分; （130）装置控制部; （132）数字信号处理器; （134）频率探测器; （136）定时器; （138,154）数据存储部分; （140）报警部件; （152）设备设置部分; （156）信号处理部分; （158）显示部分; （AA）数据处理

公开(公告)号：KR1020080052221A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070053847

申请日：2007-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  김호영 ,  정영준

IPC: H03G11/00

CPC classification number: H03F1/42 ,  H03F1/486 ,  H03F3/087 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/151 ,  H03F2200/36 ,  H03F2203/45114 ,  H03F2203/45352 ,  H03F2203/45366 ,  H03G7/001

Abstract: A limiting amplifier is provided to improve the maximum gain characteristic by connecting a feedback resistance to an amplification stage of the limiting amplifier and to reduce the miller effect by connecting a transistor having a source follower structure to the amplification stage. A limiting amplifier improving a gain characteristic and a bandwidth property comprises a distributor(210), an amplifying module(230), and a power source(Is). The distributor distributes an input voltage signal. The power source supplies current to the distributor and the amplifying module. The amplifying module includes a first amplifying part(231), a second amplifying part(233), and a feedback part(235). The first amplifying part amplifies a voltage signal inputted from the distributor. The second amplifying part amplifies an output of the first amplifying part, again. The feedback part has a feedback resistance connected with an output stage of the second amplifying part and a transistor having a source follower structure. The feedback resistance performs the feedback of an output of the second amplifying part to an input stage of the first amplifying part.

Abstract translation: 提供限幅放大器以通过将反馈电阻连接到限幅放大器的放大级来提高最大增益特性，并且通过将具有源极跟随器结构的晶体管连接到放大级来降低铣刀效应。 改善增益特性和带宽特性的限幅放大器包括分配器（210），放大模块（230）和电源（Is）。 分配器分配输入电压信号。 电源为分配器和放大模块提供电流。 放大模块包括第一放大部分（231），第二放大部分（233）和反馈部分（235）。 第一放大部分放大从分配器输入的电压信号。 第二放大部分再次放大第一放大部分的输出。 反馈部分具有与第二放大部分的输出级连接的反馈电阻和具有源极跟随器结构的晶体管。 反馈电阻执行第二放大部分的输出到第一放大部分的输入级的反馈。

公开(公告)号：KR100687758B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050120171

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용원 ,  남은수 ,  김호영 ,  이상석 ,  전동석 ,  이홍열 ,  홍선의 ,  김동영 ,  임종원 ,  오명숙

IPC: H01L29/737

Abstract: A hetero junction bipolar transistor and a method for manufacturing the same are provided to decrease a parasitical capacitance between an emitter and a base by securing insulation between an emitter layer and a base electrode. A sub-collector layer(102) is formed on a semi-insulation compound substrate. A pair of collector electrodes(140) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the sub-collector layer. A collector layer(106) and a base layer(108) are disposed between the collector electrodes. A pair of base electrodes(130) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the base layer. A multi-layered emitter layer(110) is disposed between the base electrodes. An emitter electrode(125a) is formed on the emitter layer.

Abstract translation: 提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，以通过确保发射极层与基极之间的绝缘来减小发射极与基极之间的寄生电容。 子集电极层（102）形成在半绝缘化合物基板上。 一对集电极（140）在副集电极层上以预定间隔彼此间隔开。 集电极层（106）和基极层（108）设置在集电极之间。 一对基底电极（130）在基底层上以预定间隔彼此间隔开。 多层发射极层（110）设置在基极之间。 发射极电极（125a）形成在发射极层上。

公开(公告)号：KR100576224B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040095949

申请日：2004-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  김용원 ,  홍선의 ,  오명숙 ,  김보우

IPC: H01S5/34 ,  G02B26/00

Abstract: 본 발명은 광변조기 집적 광전집적 송신회로 및 선택적 결정성장법을 이용한 그것의 제작방법에 관한 것이다. 광변조기 집적 광전집적 송신회로는 수신된 전기 신호를 증폭하여 광변조기를 구동하는 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터 기반의 광변조기 구동회로 및 전계흡수형 광흡수층을 갖는 전계흡수형 광변조기가 반절연 기판 위에 단일 칩 집적화되어 이루어지며, 이 때 광변조기의 다중 양자우물 구조의 광흡수층 및 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 다중 양자우물 구조의 삽입층의 두께는 선택적 결정성장법에 의해 다르게 형성된다.
광통신, 광전집전회로, 도파로형 광변조기, 선택적 결정성장

Abstract translation: 光调制器集成光电集成传输电路及其制造方法技术领域本发明涉及一种光调制器一体型光电集成传输电路及其制造方法。 的光调制器集成光电集成传输电路包括所接收的电信号的单个放大到具有光调制器驱动电路的双异质结双极型晶体管基极和电场吸收型光用于驱动光调制器的半绝缘衬底上的吸收层的电场吸收型光调制器 通过选择性晶体生长方法不同地形成光学调制器的多量子阱结构的光吸收层的厚度和双异质结双极晶体管的多量子阱结构的层间的厚度。

公开(公告)号：KR100916319B1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：KR1020070054875

申请日：2007-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오명숙 ,  김호영 ,  홍선의 ,  정영준 ,  남은수

IPC: G01S13/04

Abstract: 본 발명은 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 레이저 레이더에 관한 것이다. 본 레이저 레이더는 일정 파장 대역의 광 신호를 발생시키는 광원부; 상기 광 신호의 경로 상에 마련되어 상기 광원부으로부터 출력된 상기 광 신호를 발산시켜 목표 물체에 제공하는 송광 광학 렌즈; 및 상기 목표 물체에서 반사된 상기 광 신호를 모아주는 수광 광학 렌즈; 상기 수광 광학 렌즈를 통과한 상기 광 신호에 포함된 상기 파장 대역 이외의 파장을 제거하는 광 대역 필터; 상기 광 대역 필터를 통과한 상기 광 신호를 집광하는 마이크로 렌즈 어레이; 및 상기 마이크로 렌즈 어레이에서 집광된 상기 광 신호를 검출하는 광 검출기를 포함한다. 이에 따라, 광 검출기에서 수광되지 않고 손실되는 광 신호를 최소화할 수 있다.
레이저 레이더, 광 검출기, 송광 광학 렌즈, 마이크로렌즈 어레이

公开(公告)号：KR100886178B1

公开(公告)日：2009-02-27

申请号：KR1020070053847

申请日：2007-06-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  김호영 ,  정영준

IPC: H03G11/00

Abstract: 본 발명은 이득 특성과 대역폭 특성이 향상된 제한 증폭기에 관한 것으로, 제한 증폭기의 증폭단에 피드백 저항을 연결하여 최대 이득 특성이 향상되도록 하는 한편, 증폭단에 소스 플로워 구조의 트랜지스터를 연결하여 밀러 효과를 감소시켜 대역폭 특성이 향상되도록 함으로써, 제한 증폭기의 고유한 특성인 일정한 이득 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 이득 특성 향상과 더불어 넓은 대역폭 특성을 얻을 수 있는 것을 특징으로 한다.
제한 증폭기, 광수신기, 광통신시스템

公开(公告)号：KR1020070061175A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060055228

申请日：2006-06-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  남은수

IPC: H03F3/45

CPC classification number: H03F3/082 ,  H04B10/6931

Abstract: A trans impedance pre-amplifier with a gain control function is provided to improve the dynamic range characteristic through gain control of the pre-amplifier with a peak detector and a voltage adjusting unit. A trans impedance pre-amplifier with a gain control function includes an amplifying circuit unit(340), a first buffer circuit unit(350), a feedback circuit unit(330), a second buffer circuit unit(360), a peak detecting unit(310), and a voltage adjusting unit(320). The amplifying circuit unit amplifies an input current signal received from an optical receiver. The first buffer circuit unit receives the signal from the amplifying circuit unit. The feedback circuit unit includes a feedback resistor receiving the signal from the first buffer circuit unit and feeding back the signal to an input terminal of the amplifying circuit unit, and a transistor serially connected to the feedback resistor. The second buffer circuit unit receives the signal from the first buffer circuit unit. The peak detecting unit detects a maximum value of the signal received from the second buffer circuit unit. The voltage adjusting unit adjusts a composition resistance value of the feedback circuit unit according to an output result of the peak detecting unit.

Abstract translation: 提供具有增益控制功能的跨阻抗前置放大器，通过具有峰值检测器和电压调节单元的前置放大器的增益控制来改善动态范围特性。 具有增益控制功能的反阻抗前置放大器包括放大电路单元（340），第一缓冲电路单元（350），反馈电路单元（330），第二缓冲电路单元（360），峰值检测单元 （310）和电压调节单元（320）。 放大电路单元放大从光接收器接收的输入电流信号。 第一缓冲电路单元从放大电路单元接收信号。 反馈电路单元包括接收来自第一缓冲电路单元的信号并将信号反馈到放大电路单元的输入端的反馈电阻器和串联连接到反馈电阻器的晶体管。 第二缓冲电路单元从第一缓冲电路单元接收信号。 峰值检测单元检测从第二缓冲电路单元接收的信号的最大值。 电压调整单元根据峰值检测单元的输出结果来调整反馈电路单元的成分电阻值。

公开(公告)号：KR100641048B1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：KR1020040103680

申请日：2004-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  남은수

IPC: H03F3/08

Abstract: 본 발명은 트랜스임피던스 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 소정의 광 전류를 전압으로 변환 및 증폭하기 위한 제1 증폭부와, 제2 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제1 증폭부의 출력을 재차 증폭시키기 위한 제2 증폭부와, 제3 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제2 증폭부의 출력을 상기 제1 증폭부의 입력단으로 피드백시키기 위한 피드백부와, 제4 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 피드백부의 출력 신호를 버퍼링하기 위한 버퍼부와, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 상기 제1 및 제2 증폭부의 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부와, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되어 상기 전류궤환부에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부를 포함함으로써, 이득의 손실 없이 대역폭을 향상시킬 수 있으며, 낮은 입력 잡음 특성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
트랜스임피던스 증폭기, 광 수신기, 광 통신시스템, 전치증폭기, 이중 궤환

公开(公告)号：KR100593304B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040057043

申请日：2004-07-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  김호영 ,  오명숙 ,  정동윤 ,  홍선의 ,  조경익

IPC: H01L29/737

Abstract: 본 발명은 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 결정 성장법을 이용하여 도파로형 광검출기의 광흡수층 두께를 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터층 두께보다 두껍게 성장함과 아울러 반절연 InP 기판 상부에 도파로형 광검출기와 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 단일 칩으로 집적화함으로써, 광전변환 효율이 높고 초고속 특성을 갖는 도파로형 광검출기를 간단하게 구현할 수 있도록 한 광전집적 수신회로 칩의 제조방법에 관한 것이다.
광통신 시스템, 광전집적 수신회로, 도파로형 광검출기, 이종접합 바이폴라 트랜지스터, 절연층 패턴