公开(公告)号：KR100653652B1

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020040107030

申请日：2004-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  이철욱 ,  이동훈 ,  송정호 ,  심은덕 ,  김성복 ,  백용순

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3434 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34373

Abstract: 본 발명은 광 반도체 소자에 관한 것으로, 양자우물층과 장벽층으로 구성된 활성층과 클래드층을 구비하는 광 반도체 소자에서 양자우물층과 연달아 장벽층 보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 터널링 장벽(tunneling barrier)을 만들어 줌으로써 활성층 내에 전자(electron)와 정공(hole)과 같은 운반자(carrier)들의 가둠효과(confinement effect)를 증대시켜 고온 및 높은 동작 전류 하에서의 구동되는 특성이 개선된 광 반도체 소자를 제공한다.
터널링 장벽, SCH, 운반자, 양자우물, 레이저다이오드

公开(公告)号：KR100596510B1

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020040094583

申请日：2004-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심은덕 ,  송정호 ,  김기수 ,  김성복

IPC: G02B6/13

Abstract: 본 발명은 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 완충층, 활성층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 보호층 상에 소정의 폭을 가지는 제1 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 식각 마스크로 이용하여 상기 완충층이 노출되도록 상기 보호층 및 상기 활성층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 식각된 상기 활성층, 상기 보호층 및 상기 완충층의 일부분을 피복하여 상기 활성층 및 상기 보호층보다 넓은 폭을 갖는 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크로 피복되지 않은 곳에만 선택적으로 제1 전류차단층 및 제2 전류차단층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 상기 결과물의 전체 상부면에 클래드층 및 콘택층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함함으로써, 종래의 기술보다 추가적인 공정이 단순하여 전기적 특성의 향상뿐만 아니라 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 광소자, 선택적 성장, 전류차단층, 반절연성, p/n 동종접합면, 활성층, 마스크, 클래드층

公开(公告)号：KR100596380B1

公开(公告)日：2006-07-03

申请号：KR1020020079735

申请日：2002-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기수 ,  심은덕 ,  김성복 ,  오대곤

IPC: H01S5/30

Abstract: 광학적 손실을 최소화할 수 있는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 레이저 소자는, 기판, 상기 기판상의 소정 부분에 형성되는 능동 도파로, 상기 능동 도파로 일측에 능동 도파로와 맞닿도록 형성되면서, 코어층을 포함하는 수동 도파로, 및 상기 능동 도파로 및 수동 도파로 상부에 형성되는 클래드층을 포함하며, 상기 수동 도파로의 코어층 상하에는 상기 코어층과 서로 다른 조성을 갖는 SCH(separated confinement heterostructure)층이 더 형성된다.
광도파로, 광결합 계수, 광결합 효율, SCH

公开(公告)号：KR1020060064465A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050042421

申请日：2005-05-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임영안 ,  이대수 ,  심은덕 ,  김동철 ,  박경현

IPC: H01S3/0941 ,  G02B6/12

CPC classification number: H01S3/09415 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/2935 ,  H01S3/0675

Abstract: 3R(Retiming, Reshaping, Reamplifying) 재생기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재생기는, 분기된 광신호가 입력되는 제1 입력 포트와 제2 입력 포트, 기판 상에 형성되며 공통 입력단에서 분기되어 공통 출력단에서 통합되는 제1 및 제2 브랜치를 가지고, 상기 제1 및 제2 브랜치 각각에 반도체 광증폭기를 가지며, 상기 제1 입력 포트에 상기 제1 브랜치가 연결되며, 상기 제2 입력 포트에 상기 공통 입력단이 연결된 간섭계, 상기 기판 상에서 상기 제1 입력 포트와 상기 제1 브랜치 사이 또는 상기 제2 입력 포트와 상기 공통 입력단 사이에 상기 간섭계와 일체로 단일집적되며 상기 광신호를 입력받아 광학적 주입 잠금에 의해 재생된 광신호를 출력하는 자기-펄스 발진 레이저 다이오드(self-pulsating LD), 및 상기 공통 출력단에 연결된 출력 포트를 포함하여 구성된다.

公开(公告)号：KR1020060062721A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040101658

申请日：2004-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동철 ,  이대수 ,  임영안 ,  심은덕 ,  박경현

IPC: H04B10/00

CPC classification number: H04B10/516 ,  H04B2210/517

Abstract: 본 발명은 광통신 시스템에서 제로 복귀형 신호를 비제로 복귀형 신호로 변환하는 신호 변화용 신호 처리기에 관한 것으로, 입력도파로와 출력도파로 사이에 두 개의 2R(re-amplifying, re-shaping) 재생기가 서로 다른 길이의 도파로를 통해 병렬로 연결된다. 상기 2R 재생기는 서로 다른 길이를 갖는 두개의 반도체 광증폭기와, 짧은 길이의 반도체 광증폭기에 연결된 위상조절수단을 포함한다. 상기 도파로의 길이 차이에 의해 입력되는 제로 복귀형 신호가 1비트(bit) 반의 시간차이 만큼 지연되므로 2R 재생된 비제로 복귀형 신호를 얻을 수 있다.
제로 복귀, 비제로 복귀, 2R 재생기, 반도체 광증폭기, 위상조절수단

公开(公告)号：KR100471378B1

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020020067218

申请日：2002-10-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현수 ,  김종회 ,  심은덕 ,  김강호 ,  권오기 ,  오광룡

IPC: G02F3/00

CPC classification number: G02F3/00 ,  G02F1/3517

Abstract: 본 발명은 포화흡수체를 광게이트로 이용하여 새로운 방식으로 구현된 전광 OR 및 XOR 논리소자에 관한 것으로, 마흐-젠더 간섭계에 각 경로에 포화흡수체를 배치하여 신호빛과 연속빛의 세기의 합이 상기 포화 흡수체의 투명입력 광세기 보다 클 경우에 포화흡수체에 손실없이 통과하고, 두경로에서 출력된 신호를 합하여 OR, XOR 논리소자의 동작 특성을 얻을 수 있다.
상술한 구성을 통하여, 반도체 광증폭기를 이용한 교차 위상 변조방식의 논리소자와 달리, 입력 신호의 광세기에 의한 경로 위상차의 변화 없도록 구성하여 동작 입력 광세기 범위의 제한을 완화시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100445917B1

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：KR1020020076212

申请日：2002-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  심은덕 ,  김기수

IPC: G02B6/42

CPC classification number: H04B10/40

Abstract: There are provided a bi-directional transceiver module and a method for driving the same. The bi-directional transceiver module includes a 1.3 mum Distributed Bragg Reflection Laser Diode (DBR LD) including an active layer which performs light-emission in response to a light at 1.3 mum and a DBR mirror formed near the active layer. The DBR mirror is formed to prevent an upstream signal emerging from the 1.3 mum DBR LD from being deleted by a PD. A monitoring PD and a PD for detecting an optical signal are integrated and mounted behind the DBR mirror using a butt-joint method. The 1.3 mum DBR LD, the monitoring PD, and the PD for detecting the optical signal are electrically isolated by insulated areas. To drive the bi-directional transceiver module, a forward bias (+) is applied to a p-electrode formed on the 1.3 mum DBR LD, a backward bias (-) is applied to p-electrodes formed on the monitoring PD and the PD for detecting the optical signal, and a n-electrode as a common electrode is grounded.

Abstract translation: 提供了一种双向收发器模块及其驱动方法。 双向收发器模块包括1.3μm分布式布拉格反射激光二极管（DBR LD），该分布式布拉格反射激光二极管包括响应于1.3μm的光执行发光的有源层和形成在有源层附近的DBR反射镜。 DBR反射镜形成为防止来自1.3mum DBR LD的上游信号被PD删除。 用于检测光信号的监测PD和PD被集成并且使用对接方法安装在DBR反射镜后面。 1.3 mum DBR LD，监测PD和用于检测光信号的PD通过绝缘区域电隔离。 为了驱动双向收发器模块，向形成在1.3μmDBR LD上的p电极施加正向偏压（+），向形成在监测PD和PD上的p电极施加反向偏压（ - ） 用于检测光信号，并且作为公共电极的n电极接地。

公开(公告)号：KR100440257B1

公开(公告)日：2004-07-15

申请号：KR1020020071278

申请日：2002-11-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박정우 ,  백용순 ,  송정호 ,  심은덕

IPC: G02B6/12

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an optical integrated circuit is provided to automatically align two optical devices with each other by defining a waveguide of a passive device and an active device by using only one mask. CONSTITUTION: A method for manufacturing an optical integrated circuit includes the steps of: forming a core layer(101) and a buffer layer(102) of a mode size converter on a substrate(100) provided with an active region(A) and a passive region(B); forming a first guide layer, the core layer(101), a second guide layer and a clad layer on the buffer layer(102) of the active region(A); forming the core layer(101) and the clad layer on the buffer layer(102) of the passive region(B); forming a first mask pattern so as to define the width of the upper waveguide of the mode size converter; etching the clad layer, the second guide layer, the core layer(101) of the active region(A), the first guide layer and the buffer layer(102) of the passive region(B) by using the first mask; after forming the second mask, removing the buffer layer(102), the core layer(101) and the portion of the substrate; forming a current blocking layer on the exposed substrate; and forming the clad layer on the entire top surface by removing the second mask pattern of the active region(A).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造光学集成电路的方法，以通过仅使用一个掩模来限定无源器件和有源器件的波导来自动地将两个光学器件彼此对准。 用于制造光学集成电路的方法包括以下步骤：在设置有有源区（A）和有源区（A）的衬底（100）上形成模式尺寸转换器的芯层（101）和缓冲层 被动区域（B）; 在有源区（A）的缓冲层（102）上形成第一引导层，芯层（101），第二引导层和包覆层; 在无源区（B）的缓冲层（102）上形成芯层（101）和包层; 形成第一掩模图案以限定模式尺寸转换器的上部波导的宽度; 利用所述第一掩模对所述被动区域B的包覆层，第二引导层，有源区A的核心层101，第一引导层和缓冲层102进行刻蚀; 在形成所述第二掩模之后，去除所述缓冲层（102），所述芯层（101）和所述衬底的所述一部分; 在暴露的衬底上形成电流阻挡层; 以及通过去除有源区（A）的第二掩模图案在整个顶表面上形成覆盖层。

公开(公告)号：KR1020040054072A

公开(公告)日：2004-06-25

申请号：KR1020020080706

申请日：2002-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김동철 ,  임영안 ,  이대수 ,  박경현 ,  김성복 ,  백용순 ,  심은덕

IPC: H01S5/12

CPC classification number: H01S5/06258 ,  H01S5/0657

Abstract: PURPOSE: An ultrahigh frequency pulse light source device is provided to form a multi-region distributed feedback laser diode with one chip by forming a phase control region between two kinds of distributed feedback laser diodes. CONSTITUTION: Two DFB regions(2,4) corresponds to one device. A phase control region(6) is arranged between the DFB regions. A plurality of diffraction grids(12,18) are formed in the inside of the DFB regions, respectively. The diffraction grids are symmetrically arranged to each other. A plurality of active layers(14,16) are connected to both sides of a waveguide core(20) of the phase control region. Brag wavelengths of the DFB regions are detuned.

Abstract translation: 目的：提供超高频脉冲光源器件，通过在两种分布式反馈激光二极管之间形成相位控制区域，形成具有一个芯片的多区域分布反馈激光二极管。 构成：两个DFB区域（2,4）对应于一个设备。 在DFB区域之间布置有相位控制区域（6）。 分别在DFB区域的内部形成多个衍射栅极（12,18）。 衍射栅格彼此对称排列。 多个有源层（14,16）连接到相位控制区域的波导芯（20）的两侧。 DFB区域的波长波长失谐。

公开(公告)号：KR101086776B1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：KR1020090036468

申请日：2009-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김남제 ,  박경현 ,  신재헌 ,  이철욱 ,  심은덕 ,  한상필 ,  백용순

IPC: H04B10/80 ,  H04W88/02

Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 통신 장치는 목표 주파수에 대응하는 목표 주파수 성분을 포함하는 광 신호를 출력하도록 구성되는 광원, 상이한 주파수 특성을 갖는 복수의 안테나들, 그리고 복수의 안테나들 중 목표 주파수 성분에 대응하는 주파수 특성을 갖는 선택된 안테나에 광 신호를 전달하도록 구성되는 제어 회로를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的通信设备包括：光源，被配置为输出包括与目标频率相对应的目标频率分量的光信号，具有不同频率特性的多个天线， 并且控制电路被配置为将光信号传输到具有相应频率特性的选定天线。