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21.发明授权
公开(公告)号：KR101418276B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020120136344
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H05K1/097 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D5/12 , H05K3/1275 , H05K3/1283 , H05K2203/086
Abstract: 본 발명은 a) 금속 전구체, 산, 아민 및 환원제를 포함하는 제1 용액을 가열 및 교반하여 표면 산화막 형성이 제어된 금속 나노입자를 합성하는 단계, b) 상기 a) 단계에서 생성된 금속 나노입자를 비수계 용매에 분산시켜 전도성 잉크 조성물을 제조하는 단계, c) 상기 전도성 잉크 조성물을 절연성 기판에 도포하는 단계 및 d) 잉크 조성물이 도포된 절연성 기판을 열처리하여 금속 전도성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 금속 전도성 박막의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 금속 전도성 박막 제조방법은 기존의 귀금속 나노입자 기반의 전도성 잉크 조성물에 비해 저가, 대면적 전도성 박막 제조공정을 가능케 할뿐만 아니라, 표면 산화막의 제어를 통해 우수한 전도도를 가지는 금속 전도성 박막의 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR101395779B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020130040135
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지 광활성층의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명의 제조방법은 a) 11족 금속의 제1칼코젠화합물 및 상기 제1칼코젠화합물보다 낮은 융점을 갖는 11족 금속의 제2칼코젠화합물이 단일한 입자 내에 혼재된 복합 입자 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 제3칼코젠화합물을 함유하는 잉크를 기판에 도포하여 도포막을 형성하는 단계; 및 b) 상기 도포막을 열처리하여 구리 및 12족 내지 14족에서 하나 또는 둘 이상 선택된 원소의 다원 칼코젠화합물 막을 제조하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130116197A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020130040111
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , C09D11/00
Abstract: PURPOSE: Ink is provided to produce a semiconductor compound based photoactive layer in a single phase by a low temperature heat-processing at a temperature lower than 550°C, which is a process allowable temperature. CONSTITUTION: Ink contains the following: a composite particle which contains a first chalcogen compound of 11th group, and a second chalcogen compound of the 11th group with the lower melting point than the first chalcogen compound; and a precursor of more than one element selected from 12-14th group. The melting point of the second chalcogen compound is 220-550°C. A production method of a solar cell photoactive layer comprises a step of forming a coating film by coating the ink on a substrate, and a step of heat-processing the coating film.
Abstract translation: 目的：提供油墨以通过在低于550℃的温度下进行的低温热处理在单相中制造半导体化合物基光活性层，这是工艺允许温度。 构成：油墨含有如下：含有第11组第一硫属化合物的复合颗粒和第11组熔点比第一硫属化合物低的第二硫属化合物; 以及选自第12-14组的多于一种元素的前体。 第二硫属化合物的熔点为220-550℃。 太阳能电池光活性层的制造方法包括通过在基板上涂布油墨而形成涂膜的工序和对涂膜进行热处理的工序。
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公开(公告)号：KR1020130116031A
公开(公告)日：2013-10-22
申请号：KR1020130040135
申请日：2013-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/00 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , C09D11/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a photoactive layer is comprises to be able to manufacture multi-source chalcogen compound (a photoactive layer) with high quality through simple, safe and convenient processes, or to be able to manufacture a photoactive layer made of coarse grains, having an excellent compositional stability and uniformity, and an elaborate fine structure. CONSTITUTION: Ink includes composite particles in which a first chalcogen compound of a metal of group 11, and a second chalcogen compound of a metal of group 11, which has a lower melting point than the first chalcogen compound, are mixed in a single particle; and a third chalcogen compound of one or more than two selected from group 12-14. A manufacturing method of a photoactive layer for a solar cell comprises (i) a step of forming a coated film by coating the ink on a substrate; and (ii) a step of manufacturing a multi-source chalcogen compound film of a metal of group 11, and one or more than two elements selected from group 12-14, by heat-treating the coated film.
Abstract translation: 目的：光活性层的制造方法包括能够通过简单，安全和方便的工艺制造高品质的多源硫属化合物（光活性层），或者能够制造由粗颗粒制成的光活性层 具有良好的组成稳定性和均匀性，精细的结构。 构成：油墨包括复合颗粒，其中第一种硫族金属的第一种硫属化合物和第11族金属的第二种硫属化合物，其熔点低于第一种硫属化合物，在单一颗粒中混合; 和选自12-14族的一个或多于两个的第三种硫属化合物。 一种用于太阳能电池的光敏层的制造方法包括：（i）通过在基板上涂覆油墨来形成涂膜的步骤; 和（ii）通过热处理涂膜，制备11族金属的多源硫属化合物膜和选自12-14族中的一种或多种元素的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101415089B1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020110128712
申请日：2011-12-05
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 금속양이온 전구체, 용매, 안정화제 및 첨가제를 포함하는 금속산화물 반도체 잉크 조성물 및 상기 조성물을 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 고성능 금속산화물 반도체 잉크 조성물은 화학적 첨가제의 조성에 따라 인쇄공정성이 확보되는 동시에 박막 트랜지스터 소자의 특성이 향상되는 것을 특징으로 한다. 또한, 인쇄공정을 통한 소자제작 접근방법은 기상이 아닌 액상에서 이루어지기 때문에, 환경 친화적이며 저가의 대량생산에 적합한 방법이라는 장점을 가지고 있다.-
公开(公告)号：KR1020140071934A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020130149764
申请日：2013-12-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/28 , H01L21/027
CPC classification number: H05K1/097 , B41M1/22 , G03F7/0002
Abstract: The present invention relates to a method to fabricate nanopatterns using electrohydrodynimic-jet printing manufactured by heat-treating an insulating substrate having a printed metal nanoink composite for EHD printing and includes: a step (a) of heating and agitating a first solution including metal precursor, acid, ammine, and reducing agent and synthesizing metal nanoparticles having controlled surface oxide layer; a step (b) of dispersing the metal particles generated by step (a) into a non-aqueous solvent and fabricating the metal nanoink composite for EHD printing; and a step of allowing an electrohydrodynimic-jet printing device form the nanoink composite with a fine pattern.
Abstract translation: 本发明涉及使用通过热处理具有用于EHD印刷的印刷金属纳米复合材料的绝缘基板制造的电动氢能射线印刷来制造纳米图案的方法，包括：加热和搅拌包含金属前体的第一溶液的步骤（a） ，酸，氨和还原剂，合成具有受控表面氧化物层的金属纳米粒子; 步骤（b）将由步骤（a）生成的金属颗粒分散在非水溶剂中并制备用于EHD印刷的金属纳米复合材料; 以及允许电氢喷射印刷装置以精细图案形成纳米复合材料的步骤。
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29.发明公开
公开(公告)号：KR1020130111180A
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120136344
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H05K1/097 , B05D3/02 , B05D3/0254 , B05D5/12 , H05K3/1275 , H05K3/1283 , H05K2203/086
Abstract: PURPOSE: A method for synthesizing metal nanoparticles with a controlled surface oxide film and a method for manufacturing a conductive metal thin film are provided to improve electrical conductivity by efficiently removing capping molecules. CONSTITUTION: Metal nanoparticles are synthesized by heating and stirring first solutions. The metal nanoparticles are dispersed in non-aqueous solvents. A conductive ink composition is made by a dispersion process. The conductive ink composition is coated on an insulating substrate. A conductive metal thin film is formed by thermally processing the insulating substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用受控表面氧化膜合成金属纳米颗粒的方法和制造导电金属薄膜的方法，以通过有效去除封端分子来提高导电性。 构成：通过加热和搅拌第一溶液合成金属纳米粒子。 金属纳米粒子分散在非水溶剂中。 导电油墨组合物通过分散方法制成。 导电油墨组合物涂覆在绝缘基板上。 通过热处理绝缘基板形成导电金属薄膜。
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公开(公告)号：KR1020120083108A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：KR1020110004574
申请日：2011-01-17
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , C01B33/113 , C01B33/023
CPC classification number: C01B33/029 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B33/023 , C01B33/113 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of nano-crystal silicon is provided to synthesize high purity nanocrystalline silicon having luminosity and redispersibility through simple processes. CONSTITUTION: A manufacturing method of the nano-crystal silicon comprises the following steps: adding a reducing agent and a capping agent to an organic solvent; manufacturing capped silicon dispersed solution by adding tetraethoxysilane(TEOS) or tetramethoxysilane(TMOS); adding a phase-separation solvent to the silicon dispersed solution; and separating the silicon solution from the reaction mixture of the previous step. The capping reagent is selected from C5-C20 alcohol, amine, thiol or fatty acid. 2-6 moles of the reducing agent is added for 1mole of tetraethoxysilane(TEOS) or tetramethoxysilane(TMOS). 0.01-100 moles of the capping reagent is added for 1 mole of tetraethoxysilane(TEOS) or tetramethoxysilane(TMOS).
Abstract translation: 目的：提供纳米晶硅的制造方法，通过简单的工艺合成具有发光度和再分散性的高纯度纳米晶硅。 构成：纳米晶体硅的制造方法包括以下步骤：向有机溶剂中加入还原剂和封端剂; 通过加入四乙氧基硅烷（TEOS）或四甲氧基硅烷（TMOS）制造封端的硅分散溶液; 向硅分散溶液中加入相分离溶剂; 并将硅溶液与前一步骤的反应混合物分离。 封端剂选自C 5 -C 20醇，胺，硫醇或脂肪酸。 向1摩尔四乙氧基硅烷（TEOS）或四甲氧基硅烷（TMOS）中加入2-6摩尔还原剂。 为1摩尔四乙氧基硅烷（TEOS）或四甲氧基硅烷（TMOS）加入0.01-100摩尔的封端剂。
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