公开(公告)号：DE102012112769A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102012112769

申请日：2012-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  RUPP ROLAND ,  DOMES DANIEL

IPC: H01L23/049 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: Ein Modul enthält ein DCB-Substrat und eine diskrete Vorrichtung, die auf dem DCB-Substrat montiert ist, wobei die diskrete Vorrichtung einen Leadframe, einen Halbleiterchip, der auf dem Leadframe montiert ist, und ein Einkapselungsmaterial, das den Halbleiterchip bedeckt, aufweist.

公开(公告)号：DE102023120901A1

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102023120901

申请日：2023-08-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMES DANIEL ,  ZHAO ZHENBO

IPC: H03K17/082 ,  H01L23/495 ,  H10D80/20

Abstract: Es wird eine Halbleiterschalteranordnung (100) vorgeschlagen. Sie umfasst ein Gehäuse (110) mit zwei Lastanschlüssen und zwei Steueranschlüssen,eine erste Halbleiteranordnung (120) mit zwei Lastknoten (LN1, LN2) und einem Steuerknoten (CN1) und eingerichtet zum Leiten eines Laststroms zwischen den beiden Lastknoten in einer ersten Stromrichtung basierend auf einer an den ersten Steuerknoten angelegten Steuerspannung und zum Leiten von Laststrom zwischen den beiden Lastknoten in einer zweiten Stromrichtung, undeine zweite Halbleiteranordnung (130) mit zwei Lastknoten (LN3, LN4) und einem Steuerknoten (CN2) und eingerichtet zum Leiten eines Laststroms zwischen den beiden Lastknoten in einer ersten Stromrichtung basierend auf einer an den zweiten Steuerknoten (CT2) angelegten Steuerspannung und zum Leiten von Laststrom zwischen den beiden Lastknoten (LN3, LN4) in einer zweiten Stromrichtung, wobeidie erste und die zweite Halbleiteranordnung (120, 130) in dem Gehäuse (110) angeordnet und zwischen den beiden Lastanschlüssen (LT2) in Reihe gekoppelt sind, und wobei die erste Stromrichtung der ersten Halbleiteranordnung (120) entgegengesetzt zu der ersten Stromrichtung der zweiten Halbleiteranordnung (130) ist.

公开(公告)号：DE102016110035B4

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102016110035

申请日：2016-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN ,  DOMES DANIEL ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778

Abstract: Elektrische Baugruppe, umfassend:eine bipolare Schaltvorrichtung (510); undeine Transistorschaltung (560), die mit der bipolaren Schaltvorrichtung (510) elektrisch parallel verbunden ist und einen selbstleitenden Transistor (560a) mit breiter Bandlücke umfasst.

公开(公告)号：DE102012217709B4

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：DE102012217709

申请日：2012-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMES DANIEL

IPC: H03K17/567 ,  H02M1/08

Abstract: Schaltungsanordnung, die aufweist: einen rückwärts leitenden Transistor (T1) mit einer Gateelektrode (G) und einem Laststrompfad (C-E) zwischen einer Emitter-(E) und einer Kollektorelektrode (C), wobei der Transistor (T1) dazu ausgebildet ist, einen Laststrom (IL) in einer Vorwärtsrichtung und in einer Rückwärtsrichtung durch den Laststrompfad (C-E) zu leiten und durch ein entsprechendes Signal an der Gateelektrode (G) aktiviert oder deaktiviert zu werden; eine Gatesteuereinheit (10), die mit der Gateelektrode (G) verbunden ist und dazu ausgebildet ist, den Transistor (T1) über die Gateelektrode (G) zu deaktivieren oder eine Aktivierung des Transistors (T1) zu verhindern, wenn sich der Transistor (T1) in einem rückwärts leitenden Zustand befindet; und eine Überwachungseinheit, die dazu ausgebildet ist, einen plötzlichen Anstieg einer Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) des rückwärts leitenden Transistors (T1) zu detektieren, der auftritt, wenn der Laststrom (IL) durch den Transistor Null durchquert, während der Transistor (T1) durch die Gatesteuereinheit (10) deaktiviert ist oder während durch diese eine Aktivierung verhindert wird.

公开(公告)号：DE102012218670A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102012218670

申请日：2012-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  DOMES DANIEL

IPC: H01L23/64 ,  H01L25/07

Abstract: Gemäß einer Ausgestaltung umfasst ein Elektronikmodul eine Vielzahl von Gatetreiberchips (102, 108), die zueinander parallel geschaltet sind, die einen gemeinsamen Gateeingang aufweisen, sowie einen gemeinsamen Anschluss zur Zuführung eines Treiber-Versorgungspotentials (VDD, VSS) und einen gemeinsamen Ausgang. Die Vielzahl von Gatetreiberchips (102, 108) sind voneinander beabstandet sind und sie erstrecken sich ein einer Erstreckungsrichtung über eine gemeinsame Spannbreite (WHS_GD), die von einer Kante eines ersten Äußeren der Gatetreiberchips (102, 108) und einer entgegengesetzten Kante eines zweiten Äußeren der Gatetreiberchips (102, 108) reicht. Weiterhin ist eine Vielzahl von Kondensatoren (CHS, CLS) vorhanden, die zwischen Masse und den gemeinsamen Anschluss zur Zuführung des Treiber-Versorgungspotentials (VDD, VSS) zueinander parallel geschaltet sind. Ein Leitungsmittel zur Übertragung transversaler elektromagnetischer Wellen, das an den gemeinsamen Ausgang der Vielzahl von Gatetreiberchips (102, 108) angeschlossen ist, weist eine Stromflussrichtung senkrecht zu der Erstreckungsrichtung auf.

公开(公告)号：DE102012217709A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102012217709

申请日：2012-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMES DANIEL

IPC: H03K17/567

Abstract: Es wird eine Schaltungsanordnung offenbart, die einen rückwärts leitenden Transistor mit einer Gateelektrode und einem Laststrompfad zwischen einer Emitter- und einer Kollektorelektrode aufweist. Der Transistor ist dazu ausgebildet, einen Laststrom in einer Vorwärtsrichtung und in einer Rückwärtsrichtung durch den Laststrompfad zu leiten und durch ein entsprechendes Signal an der Gateelektrode aktiviert oder deaktiviert zu werden. Die Schaltungsanordnung umfasst weiterhin eine Gatesteuereinheit und eine Überwachungseinheit. Die Gatesteuereinheit ist mit der Gateelektrode verbunden und dazu ausgebildet, den Transistor über die Gateelektrode zu deaktivieren oder eine Aktivierung des Transistors zu verhindern, wenn sich der Transistor in einem rückwärts leitenden Zustand befindet. Die Überwachungseinheit ist dazu ausgebildet, einen plötzlichen Anstieg einer Kollektor-Emitter-Spannung des rückwärts leitenden Transistors zu detektieren, der auftritt, wenn der Laststrom Null durchquert, während der Transistor durch die Gatesteuereinheit deaktiviert ist oder wenn durch diese eine Aktivierung verhindert wird.

公开(公告)号：DE102012213407A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：DE102012213407

申请日：2012-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMES DANIEL

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/32 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Halbleiteranordnung umfasst einen Schaltungsträger, einen Bonddraht sowie wenigstens N Halbbrückenschaltkreise. N ist eine ganze Zahl größer oder gleich 1. Der Schaltungsträger umfasst eine erste Metallisierungsschicht, eine zweite Metallisierungsschicht, eine zwischen der ersten Metallisierungsschicht und der zweiten Metallisierungsschicht angeordnete innere Metallisierungsschicht, eine zwischen der inneren Metallisierungsschicht und der zweiten Metallisierungsschicht angeordnete erste Isolationsschicht sowie eine zwischen der ersten Metallisierungsschicht und der inneren Metallisierungsschicht angeordnete zweite Isolationsschicht. Jede der Halbbrückenschaltungen umfasst einen ersten Schaltungsknoten, einen zweiten Schaltungsknoten und einen dritten Schaltungsknoten, einen steuerbaren ersten Halbleiterschalter und einen steuerbaren zweiten Halbleiterschalter. Der steuerbare erste Halbleiterschalter weist einen ersten Hauptkontakt auf, der elektrisch leitend an den ersten Schaltungsknoten angeschlossen ist, einen zweiten Hauptkontakt, der elektrisch leitend an den dritten Schaltungsknoten angeschlossen ist, sowie einen Gatekontakt zur Steuerung eines elektrischen Stroms zwischen dem ersten Hauptkontakt und dem zweiten Hauptkontakt. Dementsprechend weist der zweite Halbleiterschalter einen ersten Hauptkontakt auf, der elektrisch leitend an dem zweiten Schaltungsknoten angeschlossen ist, einen zweiten Hauptkontakt, der elektrisch leitend an den dritten Schaltungsknoten angeschlossen ist, sowie einen Gatekontakt zur Steuerung eines elektrischen Stroms zwischen dem ersten Hauptkontakt und dem zweiten Hauptkontakt. Der erste Halbleiterschalter und der zweite Halbleiterschalter von jedem der Halbleiterschaltkreise sind an der von der zweiten Isolationsschicht abgewandten Seite der ersten Metallisierungsschicht angeordnet. Der Bonddraht einer ersten Bondstelle ist unmittelbar an die innere Metallisierungsschicht gebondet.

公开(公告)号：DE102009027487A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：DE102009027487

申请日：2009-07-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAGINSKI PATRICK ,  BAYERER REINHOLD ,  DOMES DANIEL ,  RUETHING HOLGER

IPC: H01L23/62

Abstract: One embodiment provides a semiconductor chip including a semiconductor body and a power semiconductor component integrated therein. The power semiconductor component includes a load electrode zone arranged on a first surface of the semiconductor body, a control electrode zone arranged on the first surface, the control electrode zone being electrically insulated from the load electrode zone, and a resistance track arranged on the load electrode zone and the control electrode zone. The resistance track ensures an electrical connection between the load electrode zone and the control electrode zone.