公开(公告)号：DE102014019866B3

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102014019866

申请日：2014-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  BASLER THOMAS ,  COTOROGEA MARIA ,  BRANDT PHILIP CHRISTOPH ,  BABURSKE ROMAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (1), umfassend:- ein Halbleitergebiet (11), wobei das Halbleitergebiet (11) Ladungsträger eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist;- eine im Halbleitergebiet (11) enthaltene Transistorzelle (1-1);- ein in der Transistorzelle (1-1) enthaltenes Halbleiterkanalgebiet (111), wobei das Halbleiterkanalgebiet (111) eine erste Dotierungskonzentration von Ladungsträgern eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp ist, und wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiterkanalgebiet (111) und dem Halbleitergebiet (11) einen ersten pn-Übergang (11-1) bildet;- ein im Halbleitergebiet (11) enthaltenes, vom Halbleiterkanalgebiet (111) verschiedenes Halbleiterhilfsgebiet (112), wobei das Halbleiterhilfsgebiet (112) eine zweite Dotierungskonzentration von Ladungsträgern des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei ein Übergang zwischen dem Halbleiterhilfsgebiet (112) und dem Halbleitergebiet (11) einen zweiten pn-Übergang (11-2) bildet, wobei der zweite pn-Übergang (11-2) tiefer im Halbleitergebiet (11) angeordnet ist als der erste pn-Übergang (11-1), und wobei das Halbleiterhilfsgebiet (112) am nächsten zum Halbleiterkanalgebiet (111) angeordnet ist, verglichen mit jedem anderen Halbleitergebiet der Halbleitervorrichtung (1), das Ladungsträger des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst und das einen weiteren pn-Übergang zum Halbleitergebiet (11) bildet; und- das Halbleiterkanalgebiet (111) von einem ersten Graben (13) und einem zweiten Graben (12) begrenzt wird, wobei der erste Graben (13) eine erste Elektrode (131) und ein erstes Dielektrikum (132) umfasst, wobei der zweite Graben eine Gateelektrode (121) zur Steuerung der Transistorzelle (1-1) und ein zweites Dielektrikum (122) umfasst, wobei das jeweilige Dielektrikum (132, 122) die jeweilige Elektrode (131,121) des jeweiligen Grabens (13, 12) vom Halbleiterkörper (11) isoliert, wobei das Halbleiterhilfsgebiet (112) in Kontakt mit dem ersten und dem zweiten Graben (12, 13) sowie mit einem weiteren ersten Graben (13) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102019111308A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE102019111308

申请日：2019-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HELL MICHAEL ,  LEENDERTZ CASPAR ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist eine sich von einer ersten Oberfläche (101) aus in einen SiC Halbleiterkörper (100) erstreckende Gatestruktur (150) auf. Ein Bodygebiet (120) in dem SiC Halbleiterkörper (100) grenzt mindestens an eine erste Seitenwand (151) der Gatestruktur (150) an. Ein erstes und ein zweites Abschirmgebiet (161, 162) vom Leitfähigkeitstyp des Bodygebiets (120) sind mindestens doppelt so hoch dotiert wie das Bodygebiet (120). Ein Diodengebiet (140) bildet zwischen dem ersten Abschirmgebiet (161) und dem zweiten Abschirmgebiet (162) einen Schottky-Kontakt (SC) mit einer Lastelektrode (310) .

公开(公告)号：DE102018123210B3

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018123210

申请日：2018-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BASLER THOMAS ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst eine Transistorzelle mit einer Vorderseiten-Dotierungsregion, einer Body-Region und einer Drift-Region. Die Body-Region umfasst einen ersten Abschnitt, der eine erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist, und einen zweiten Abschnitt, der eine zweite durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist. Der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt weisen eine Erstreckung von zumindest 50 nm in eine vertikale Richtung auf. Die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest das Zweifache der zweiten durchschnittlichen Netto-Dotierungskonzentration, und die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest 1·10cm.

公开(公告)号：DE102019115583A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102019115583

申请日：2019-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HILSENBECK JOCHEN ,  GRUBER MARTIN ,  SCHOLZ WOLFGANG ,  BASLER THOMAS ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L23/485 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst ein Siliziumkarbid-Substrat, eine Kontaktschicht, die Nickel, Silizium und Aluminium umfasst, eine Barriereschichtstruktur, die Titan und Wolfram umfasst, eine Metallisierungsschicht, die Kupfer umfasst. Die Kontaktschicht befindet sich auf dem Siliziumkarbid-Substrat. Die Kontaktschicht befindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und zumindest einem Teil der Barriereschichtstruktur. Die Barriereschichtstruktur befindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und der Metallisierungsschicht.

公开(公告)号：DE102018103973A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102018103973

申请日：2018-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist eine Feldeffekttransistorstruktur in einem SiC Halbleiterkörper (100) mit einer Gatestruktur (150) an einer ersten Oberfläche (101) des SiC Halbleiterkörpers (100) und einer Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp auf. In einer vertikalen Richtung zwischen einem Halbleitergebiet (120, 160) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp und der Driftzone (131) ist eine Zone (133) vom ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet, die von der Gatestruktur (150) beabstandet ist und von dem Halbleitergebiet (120, 160) in der vertikalen Richtung maximal 1µm entfernt ist.

公开(公告)号：DE102017105713A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102017105713

申请日：2017-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN

IPC: H01L27/07 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorbauelemente werden beschrieben, die einen ersten Transistor (10) und einen zweiten Transistor (11) umfassen. Der zweite Transistor (11) basiert auf einem Halbleitermaterial mit hoher Bandlücke. Der zweite Transistor besitzt eine niedrigere Durchbruchspannung als der erste Transistor über einen vorbestimmten Arbeitsbereich hinweg. Der vorbestimmte Arbeitsbereich umfasst mindestens einen Arbeitsbereich, für den das Transistorbauelement spezifiziert ist.

公开(公告)号：DE102016111127A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102016111127

申请日：2016-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BABURSKE ROMAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BASLER THOMAS

IPC: H03K5/15 ,  H03K17/567

Abstract: Eine elektrische Baugruppe umfasst eine bipolare Transistorvorrichtung (510) mit isoliertem Gate, eine Transistorvorrichtung (560) mit breiter Bandlücke, die mit der bipolaren Transistorvorrichtung elektrisch parallel verbunden ist, und eine Steuerschaltung (590). Die Steuerschaltung ist mit einem Gateanschluss (G1) der bipolaren Transistorvorrichtung (510) und mit einem Steueranschluss (CTR) der Transistorvorrichtung (560) mit breiter Bandlücke elektrisch gekoppelt. Die Steuerschaltung (590) ist dafür eingerichtet, die bipolare Transistorvorrichtung (510) einzuschalten und die Transistorvorrichtung (560) mit breiter Bandlücke bei einer vordefinierten Einschaltverzögerung in Bezug auf ein Einschalten der bipolaren Transistorvorrichtung (510) einzuschalten.

公开(公告)号：DE102016110035A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102016110035

申请日：2016-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN ,  DOMES DANIEL ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778

Abstract: Eine elektrische Baugruppe umfasst eine bipolare Schaltvorrichtung (510) und eine Transistorschaltung (560). Die Transistorschaltung (560) ist mit der bipolaren Schaltvorrichtung (510) elektrisch parallel verbunden und umfasst einen selbstleitenden Transistor (560a) mit breiter Bandlücke.

公开(公告)号：DE102015118165A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：DE102015118165

申请日：2015-10-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN

IPC: H03K17/16

Abstract: Eine elektrische Baugruppe (500) enthält eine Halbleiterschaltvorrichtung (510) mit einem maximalen Durchbruchspannungswert über zwei Lastanschlüsse (L1, L2) in einem Aus-Zustand. Eine Klemmdiode (560) ist mit den beiden Lastanschlüssen (L1, L2) und parallel mit der Schaltvorrichtung (510) elektrisch verbunden. Ein Halbleiterkörper (100) der Klemmdiode (560) besteht aus Siliziumcarbid. Eine Lawinendurchbruchspannung der Klemmdiode (560) ist niedriger als der maximale Durchbruchspannungswert der Schaltvorrichtung (510).

公开(公告)号：DE102018103973B4

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE102018103973

申请日：2018-02-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:eine Feldeffekttransistorstruktur in einem SiC Halbleiterkörper (100) mit einer Gatestruktur (150) an einer ersten Oberfläche (101) des SiC Halbleiterkörpers (100) und einer Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp;ein Halbleitergebiet (120, 160) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp;eine Zone (133) vom ersten Leitfähigkeitstyp, die in einer vertikalen Richtung zwischen dem Halbleitergebiet (120, 160) und der Driftzone (131) ausgebildet ist, wobeidie Zone (133) von der Gatestruktur beabstandet ist und von dem Halbleitergebiet (120, 160) in der vertikalen Richtung maximal 1 µm entfernt ist.