公开(公告)号：DE102014112774A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102014112774

申请日：2014-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNAPP HERBERT ,  TROTTA SAVERIO

IPC: H03D7/14

Abstract: Eine Mischstufe (10) umfasst eine erste Modulationsstufe (20), die ein Eingangssignal von einem ersten gemeinsamen Knoten der Mischstufe empfängt, einen ersten Lokaloszillatoreingang, der ein Lokaloszillatorsignal empfängt, und einen ersten Modulationssignalausgang, der dafür ausgelegt ist, ein erstes moduliertes Signal bereitzustellen. Eine zweite Modulationsstufe (30) der Mischstufe weist einen zweiten Eingang, der eine phaseninvertierte Darstellung des Eingangssignals von einem zweiten gemeinsamen Knoten der Mischstufe empfängt, einen zweiten Lokaloszillatoreingang, der das Lokaloszillatorsignal empfängt, und einen zweiten Modulationssignalausgang, der dafür ausgelegt ist, ein zweites moduliertes Signal bereitzustellen, auf. Eine Stromerzeugungsschaltung (60) führt dem ersten gemeinsamen Knoten und dem zweiten gemeinsamen Knoten einen Versorgungsstrom zu. Eine Stromsteuerschaltung (100) ist dafür ausgelegt, dem Strom mindestens eines Knotens des ersten gemeinsamen Knotens und des zweiten gemeinsamen Knotens einen Offsetstrom zu überlagern.

公开(公告)号：DE102010036978B4

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：DE102010036978

申请日：2010-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LACHNER RUDOLF ,  BOECK JOSEF ,  AUFINGER KLAUS ,  KNAPP HERBERT

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/433 ,  H01L23/50

Abstract: Bauelement (100), umfassend: einen Halbleiterchip (10), der ein Halbleitersubstrat (21) und eine ringförmige Metallstruktur (11) umfasst, die sich entlang einer Außenlinie (12) einer ersten Hauptoberfläche (13) des Halbleiterchips (10) erstreckt, wobei die ringförmige Metallstruktur (11) mehrere übereinander angeordnete und durch Vias miteinander gekoppelte Metallschichten umfasst, wobei die unterste Metallschicht über ein Via an das Halbleitersubstrat (21) gekoppelt ist, einen Kapselungskörper (14), der den Halbleiterchip (10) kapselt und eine zweite Hauptoberfläche (15) definiert, und ein Array von externen Kontaktpads (16), die an der zweiten Hauptoberfläche (15) des Kapselungskörpers (14) befestigt sind, wobei mindestens ein externes Kontaktpad (16) des Arrays von externen Kontaktpads (16) über eine oberhalb des Halbleiterchips (10) angeordnete Metallschicht (18) elektrisch an die oberste Metallschicht der ringförmigen Metallstruktur (11) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102006022066A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：DE102006022066

申请日：2006-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNAPP HERBERT ,  WOHLMUTH HANS-DIETER

IPC: H01L23/60 ,  H02H9/04

Abstract: The circuit has electrostatic discharge (ESD)-units (D1, D2) switching between a signal line and one of positive and negative supply voltages. A high frequency line (L1) connected with the ESD-unit in rows is dimensioned, such that a current path is transformed over the ESD unit with a pre-determined signal high frequency. The current path is transformed from a low impedance opposite to a system impedance to another impedance, which is very high in relation to the system impedance. Independent claims are also included for the following: (1) an adjusting network for an integrated circuit that is provided with an electrostatic discharge (ESD)-protective circuit (2) a semiconductor device with an integrated circuit and an ESD-protective circuit.

公开(公告)号：DE102004027809B4

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：DE102004027809

申请日：2004-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KNAPP HERBERT ,  WURZER MARTIN

IPC: H03K21/08 ,  H03K21/17

公开(公告)号：DE10104260C2

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：DE10104260

申请日：2001-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIMBUERGER WERNER ,  KNAPP HERBERT

IPC: H03H7/42

公开(公告)号：DE10104260A1

公开(公告)日：2002-08-29

申请号：DE10104260

申请日：2001-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIMBUERGER WERNER ,  KNAPP HERBERT

IPC: H03H7/42

Abstract: The circuit has a symmetrising element with at least 4 components for converting a symmetrical signal to asymmetrical or vice-versa. Two components are inductive and two capacitive. Each capacitive component is connected in series with an additional inductive component to form a series resonant circuit (118,125). Each inductive component is connected in parallel with an additional capacitive component to form a parallel resonant circuit (107,132).