中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

33 records (took 0.022 seconds)

    SILICON/GERMANIUM BIPOLAR TRANSISTOR WITH AN OPTIMIZED GERMANIUM PROFILE
    1.
    发明申请
    SILICON/GERMANIUM BIPOLAR TRANSISTOR WITH AN OPTIMIZED GERMANIUM PROFILE 审中-公开
    具有优化锗分布的硅锗双极晶体管

    公开(公告)号：WO0154167A3

    公开(公告)日：2001-12-06

    申请号：PCT/DE0100033

    申请日：2001-01-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KLEIN WOLFGANG ,  LACHNER RUDOLF ,  MOLZER WOLFGANG

    Inventor： KLEIN WOLFGANG ,  LACHNER RUDOLF ,  MOLZER WOLFGANG

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737

    CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L29/7378

    Abstract: The invention relates to a silicon/germanium bipolar transistor, wherein a first n doped emitter region (1) and a second subsequent p doped base region and a third subsequent n doped collector region are formed in a silicon substrate (7). A first space charge region (4) is formed between the emitter region (1) and the base region (2). A second space charge region (5) is formed between the base region (2) and a collector region (3). The base region (2) and the edge region of the bordering emitter region (1) is alloyed with germanium. The concentration of germanium increases in the emitter region (1) leading towards the base region (2). The concentration of germanium in a transition area in which the first space charge zone (4) is located increases to a lesser degree than in the emitter region (1) or even decreases. The concentration of germanium in the base region (2) increases to a greater degree than in the transition region.

    Abstract translation: 本发明描述了一种硅锗双极晶体管，其中在一个硅衬底（7），第一n型掺杂的发射极区（1）和随后的第二p掺杂基极区域（2），此后，第三n型掺杂的集电极区域（3 ）形成。 在发射极区域（1）和基极区域（2）之间形成第一空间电荷区域（4）并且在基极区域（2）和集电极区域（3）之间形成第二空间电荷区域（5）。 基部（2）和相邻的射极区（1）的边缘区域被合金化锗，锗浓度（6）在发射极区域（1）到基极区（2）向上升。 在其中第一空间电荷区（4）位于过渡区域中，锗浓度比在发射极区域上升少急剧（1）或减少时，在基极区域（2）上升，第一比再次更强烈在过渡区域。

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT430380T

    公开(公告)日：2009-05-15

    申请号：AT01913848

    申请日：2001-03-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LACHNER RUDOLF ,  SCHWERD MARKUS ,  SCHRENK MICHAEL

    IPC: H01G4/33 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02 ,  H01L23/522

    Abstract: The integrated component has a number of conductor paths (13) and a capacitor (12) with a dielectric layer (5) between 2 electrode layers (14,15), which together are provided using the same sequence of metallisation layers (3,4,7-11) as that for the adjacent conductor path. The capacitor electrode layers may each be coupled to an underlying or overlying metal conductor path layer via a perpendicular connection (2,16), e.g. formed in an underlying intermediate dielectric layer (1).

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50203296D1

    公开(公告)日：2005-07-07

    申请号：DE50203296

    申请日：2002-10-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LACHNER RUDOLF

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/732

    Abstract: A method for producing a bipolar transistor is described, which comprises providing a layer sequence, which comprises a substrate, a first oxide layer and a SOI layer, generating a collector region in the substrate, generating a second oxide layer on the layer sequence, generating a base region in the first oxide layer, such that the base region is in contact with the SOI layer, generating an emitter region on the base region such that the emitter region is isolated from the SOI layer, and generating a collector contact, a base contact and an emitter contact. The present invention is based on the knowledge that the production of a bipolar transistor can be made significantly less expensive when the above layer sequence is used for its production, and thereby, the base region is generated in the BOX layer while the collector region is formed in the substrate. Thereby, otherwise required production process steps and particularly layer deposition steps, such as for a polysilicon or oxide layer, are saved.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10008573A1

    公开(公告)日：2001-09-13

    申请号：DE10008573

    申请日：2000-02-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LACHNER RUDOLF

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

    Abstract: A thin lower electrode layer (2) having an optimally protected capacitor dielectric (3) is produced and structured. A conventional metallization layer for strip conductors is placed thereon as an upper electrode (11) and structured. The capacitor dielectric can be deposited on a very even, preferably metallic surface (e.g. preferably TiN), sealed by a thin, preferably metallic layer (e.g. TiN) and protected so that it does not become thinned or damaged by other process steps.

    Verfahren und Vorrichtungen für eine Geschwindigkeits- und/oder Positionserfassung
    7.
    发明专利
    Verfahren und Vorrichtungen für eine Geschwindigkeits- und/oder Positionserfassung 未知

    公开(公告)号：DE102016101595A1

    公开(公告)日：2017-08-03

    申请号：DE102016101595

    申请日：2016-01-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  KOLMHOFER ERICH ,  LACHNER RUDOLF

    IPC: G01S13/88

    Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Maschinen (200), umfassend ein bewegliches Teil (210), eine Sendeempfängerschaltungsanordnung (220), die ausgebildet ist zum Senden eines Funksignals in Richtung des beweglichen Teils und zum Empfangen einer Reflexion des Funksignals von dem beweglichen Teil, eine Bewertungsschaltungsanordnung (230), die ausgebildet ist zum Bestimmen einer Position und/oder einer Geschwindigkeit des beweglichen Teils basierend auf zumindest dem empfangenen Funksignal. Eine Distanz zwischen einer Antenne (226) der Sendeempfängerschaltungsanordnung (220) und dem beweglichen Teil ist weniger als 5 cm.

    Integrierte Antennen auf Wafer-Ebene
    9.
    发明专利
    Integrierte Antennen auf Wafer-Ebene 未知

    公开(公告)号：DE102010001407A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：DE102010001407

    申请日：2010-01-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LACHNER RUDOLF ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MAURER LINUS

    IPC: H01Q1/22 ,  G01S7/03 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50 ,  H01L49/02 ,  H01Q1/32 ,  H01Q1/36 ,  H01Q23/00

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul zur Erzeugung und/oder zum Empfang elektromagnetischer Strahlung. Es weist eine erste Gehäusemoldmassenschicht (126) auf, sowie ein IC-Bauelement (102, 202) mit einem integrierten Schaltkreis, das in die erste Gehäusemoldmassenschicht (126, 204) eingebettet ist, eine Zwischenschicht (117, 206) mit einer Umverdrahtungsschicht (121, 208), die an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist und die dazu dient, das IC-Bauelement (102, 202) extern anzuschließen. Außerdem ist wenigstens eine integrierte Antennenstruktur (106, 108, 210) vorgesehen, die innerhalb der Zwischenschicht (117, 206) angeordnet und an dem IC-Bauelement (102, 202) angeschlossen ist. Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleitermoduls vorgesehen.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50114869D1

    公开(公告)日：2009-06-10

    申请号：DE50114869

    申请日：2001-03-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LACHNER RUDOLF ,  SCHWERD MARKUS ,  SCHRENK MICHAEL

    IPC: H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522

    Abstract: The integrated component has a number of conductor paths (13) and a capacitor (12) with a dielectric layer (5) between 2 electrode layers (14,15), which together are provided using the same sequence of metallisation layers (3,4,7-11) as that for the adjacent conductor path. The capacitor electrode layers may each be coupled to an underlying or overlying metal conductor path layer via a perpendicular connection (2,16), e.g. formed in an underlying intermediate dielectric layer (1).

Patent Agency Ranking