公开(公告)号：WO2022069296A1

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：PCT/EP2021/075943

申请日：2021-09-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER, Christoph ,  NÄHLE, Lars ,  GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/20 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/04253 ,  H01S5/04254 ,  H01S5/04256 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/50

Abstract: Es wird ein Bauteil (10) mit einem Hauptkörper (2) und einer Kontaktstruktur (4) angegeben, wobei der Hauptkörper (2) eine aktive Zone (23) aufweist, die im Betrieb des Bauteils (10) zumindest bereichsweise zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Die Kontaktstruktur (4) weist eine Mehrzahl von individuell ansteuerbaren Segmenten (40) auf. Das Bauteil (10) weist eine Anschlussfläche (11) und eine quer zu der Anschlussfläche (11) verlaufende Seitenfläche (13) auf, wobei die Seitenfläche (13) als Strahlungsdurchtrittsfläche des Bauteils (10) ausgeführt ist. Die Anschlussfläche (11) ist strukturiert ausgeführt, wobei die Anschlussfläche (11) durch innere gemeinsame Grenzflächen zwischen dem Hauptkörper (2) und der Kontaktstruktur (4) definiert ist, und wobei die Segmente (40) jeweils eine lokale gemeinsame Grenzfläche mit dem Hauptkörper (2) aufweisen und zur pixelierten Stromeinprägung in den Hauptkörper (2) eingerichtet sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zum Betreiben eines solchen Bauteils (10) angegeben.

公开(公告)号：WO2020094803A2

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/EP2019/080575

申请日：2019-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042

Abstract: Der Diodenlaser (1000) umfasst einen Laserbarren mit einem Halbleiterkörper (1) und einer aktiven Schicht (11), wobei der Laserbarren mehrere Einzelemitter (2) aufweist. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsström I 0 vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall U H auftritt und zumindest ein Teil dieses BetriebsStroms l 0 durch das zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen elektrischen Widerstand R S erfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer Betriebstemperatur T 0 einen positiven Temperaturkoeffizienten dR S /dT| T0 aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der Widerstand R S größer als |ΔU H /I 0 , wobei ΔU H die Änderung des Spannungsabfalls U H am zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T 0 um 1 K ist.

公开(公告)号：WO2019238538A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：PCT/EP2019/064865

申请日：2019-06-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Primärlichtquelle (11) und eine Sekundärlichtquelle (12). Die Primärlichtquelle (11) und die Sekundärlichtquelle (12) sind in dem Halbleiterbauteil (1) monolithisch integriert, sodass sich zwischen diesen ausschließlich kondensierte Materie befindet. Die Primärlichtquelle (11) umfasst einen ersten Resonator (11), der eine Halbleiterschichtenfolge (3) beinhaltet, die im Betrieb elektrisch gepumpt wird. Eine erste Resonatorachse (51) des ersten Resonators (21) ist parallel zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (3) orientiert. Die Primärlichtquelle (11) ist zur Erzeugung einer Pumplaserstrahlung (P) eingerichtet. Die Sekundärlichtquelle (12) umfasst ein Pumpmedium (4) zur Erzeugung einer Sekundärstrahlung (S) und das Pumpmedium (4) wird von der Pumplaserstrahlung (P) optisch gepumpt. Die erste Resonatorachse (51) weist an dem Pumpmedium (4) vorbei.

公开(公告)号：WO2019053053A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/EP2018/074586

申请日：2018-09-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad ,  STOJETZ, Bernhard ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/00 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/02476 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4031

Abstract: Lichtemittierendes Halbleiterbauteil (99) mit einem Laserbarren (100), welcher zumindest zwei Einzelemitter (2) umfasst, und einem Konversionselement (300), welches dem Laserbarren (100) im Strahlengang nachgeordnet ist, bei dem zumindest manche der Einzelemitter (2) in einer lateralen Querrichtung (X) nebeneinander angeordnet sind, der Laserbarren (100) mit einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialgebildet ist, die Einzelemitter (2) dazu eingerichtet sind im bestimmungsgemäßen Betrieb Primärstrahlung (L1) zu emittieren und das Konversionselement (300) dazu eingerichtet ist zumindest einen Teil der Primärstrahlung (L1) in Sekundärstrahlung (L2) umzuwandeln, wobei die Sekundärstrahlung (L2) eine längere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung (L1).

公开(公告)号：WO2017220325A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：PCT/EP2017/063846

申请日：2017-06-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER, Christoph ,  GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred ,  STOJETZ, Bernhard

IPC: H01S5/22

Abstract: Es umfasst die Halbleiterlichtquelle (1) einen Laser (2) und einen Leuchtstoff (3). Der Laser (2) umfasst einen Halbleiterkörper (21) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). In dem Laser (2) ist ein Resonator (23) mit Resonatorspiegeln (25) und mit einer Längsachse (24) ausgebildet. Die Laserstrahlung (L) wird im Betrieb längs der Längsachse (24) geführt und verstärkt. Die aktive Zone (22) befindet sich wenigstens zum Teil in dem Resonator (23). Der Leuchtstoff (3) ist spaltfrei optisch an den Resonator (23) gekoppelt, sodass in Richtung quer zur Längsachse (24) die Laserstrahlung (L) in den Leuchtstoff (3) gelangt und in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer größeren Wellenlänge umgewandelt wird.

Abstract translation:

所述的半导体光源（1）包括一个激光（2）和磷光体（3）。 的激光器（2）包括Halbleiterk＆OUML;主体（21）具有用于产生激光辐射（L）的有源区（22）。 在激光（2）中，具有谐振腔反射镜（25）的谐振器（23），并与L＆AUML是，纵向轴线（24）形成。 激光辐射（L）是在操作L＆AUML; l BEAR纵向轴线（24）找到的导航使用HRT NGS和钢筋BEAR RKT。 有源区（22）位于所述腔（23）至少部分。 荧光体（3）的谐振器（23）耦接的自由光学耦合到间隙的表示，以使得横向于L＆在方向AUML;（3），并在到达纵向轴线（24），在所述发光材料的激光辐射（L）的二次BEAR rstrahlung（S）与 更大的波长被转换。

公开(公告)号：WO2017157638A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：PCT/EP2017/054222

申请日：2017-02-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  LÖFFLER, Andreas

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01S5/02292 ,  G02B26/00 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0071 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/026 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S5/4087

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterlichtquelle (1) einen Halbleiterlaser (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P) und ein Auskoppelelement (3). Das Auskoppelelement (3) beinhaltet einen durchgehenden Basisbereich (33) und sich von dem Basisbereich (33) weg erstreckende, starre Lichtleitersäulen (34). Die Lichtleitersäulen (34) wirken als Wellenleiter für die Primärstrahlung (P). Die Primärstrahlung (P) wird im Betrieb von dem Halbleiterlaser (2) in den Basisbereich (33) eingestrahlt, gelangt durch den Basisbereich (33) hindurch zu den Lichtleitersäulen (34) und wird von den Lichtleitersäulen (34) gerichtet abgestrahlt. Dabei beträgt ein Intensitätshalbwertswinkel des abgestrahlten Lichts und/oder der abgestrahlten Primärstrahlung (P) höchstens 90°.

Abstract translation: 在一个实施例中，半导体光源（1）包括用于产生初级辐射（P）的半导体激光器（2）和解耦元件（3）。 分离元件（3）包括连续的基部区域（33）和从基部区域（33）延伸出的刚性的光导柱（34）。 光导柱（34）充当初级辐射（P）的波导。 在操作中，初级辐射（P）被半导体激光器（2）照射到基极区域（33）中，穿过基极区域（33）到达导光柱（34）并且由导光柱（34）发射。 直接辐射。 在这种情况下，发射光的强度半角和/或辐射的初级辐射（P）不大于90°，

公开(公告)号：WO2017076903A1

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：PCT/EP2016/076424

申请日：2016-11-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  LÖFFLER, Andreas ,  SOMERS, André

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/4093 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/426 ,  H01S2304/12

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterlaseranordnung (1) elektrisch gepumpte aktive Zonen (31, 32, 33). Die aktiven Zonen (31, 32, 33) sind dazu eingerichtet, im Betrieb Laserstrahlung (R) mit voneinander verschiedenen Emissionswellenlängen (L1, L2, L3) zu erzeugen. Die Erzeugung der Laserstrahlung (R) erfolgt durch Rekombination von Ladungsträgern in einem Halbleitermaterial, auf dem die aktiven Zonen (31, 32, 33) basieren. Ferner beinhaltet die Halbleiterlaseranordnung (1) eine Wellenleiterstruktur (4). Die aktiven Zonen (31, 32, 33) sind elektrisch unabhängig voneinander betreibbar und entlang einer Strahlrichtung (x) hinsichtlich ihrer Emissionswellenlängen (L1, L2, L3) absteigend angeordnet. Die Wellenleiterstruktur (4)wird im Bereich der entlang der Strahlrichtung (x) letzten aktiven Zone (33) von der Laserstrahlung (R) aller aktiven Zonen (31, 32, 33) gemeinsam durchlaufen.

Abstract translation: 在一个实施例中，半导体激光器装置（1）包括电泵浦有源区（31,32,33）。 有源区（31,32,33）被设计成在操作期间产生具有彼此不同的发射波长（L1，L2，L3）的激光辐射（R）。 激光辐射（R）通过载流子在有源区（31,32,33）所基于的半导体材料中的复合而产生。 此外，半导体激光器装置（1）包括波导结构（4）。 有源区（31,32,33）彼此电独立并且相对于其发射波长（L1，L2，L3）沿光束方向（x）下降排列。 波导结构（4）沿着所有有源区（31,32,33）的激光辐射（R）的光束方向（x）在最后一个有源区（33）的区域内共同通过。

公开(公告)号：WO2016150838A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/EP2016/055928

申请日：2016-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  KOENIG, Harald ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/026 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2234 ,  H01S5/2235 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3211

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (1) mit einer Schichtanordnung mit aufeinander angeordneten Schichten, wobei die Schichtanordnung eine erste, eine zweite und eine dritte Schichtstruktur (15, 26, 27) mit wenigstens einer aktiven Zone (18) und zwei Wellenleiterschichten (16, 17) umfasst, wobei die aktive Zone (18) zwischen den zwei Wellenleiterschichten (16, 17) angeordnet ist, mit einer ersten Schichtstruktur (15), wobei sich die erste Schichtstruktur entlang einer Z-Achse in einer Längsrichtung, entlang einer X-Achse in einer Querrichtung und entlang einer Y-Achse in einer Höhenrichtung erstreckt, mit einer zweiten und einer dritten Schichtstruktur (26, 27), die entlang der Z-Achse an gegenüberliegenden Längsseiten der ersten Schichtstruktur angeordnet sind, und an die erste Schichtstruktur (15) angrenzen, wobei die aktive Zone der ersten Schichtstruktur (15) in der Höhe versetzt gegenüber den aktiven Zonen (18) der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist. Die aktive Zone (18) ist zwischen einem p-Kontakt (28) und einem n-Kontakt (56) angeordnet, wobei seitlich der ersten Schichtstruktur (15) eine Zwischenschicht (7) in der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (7) als elektrisch sperrende Schicht ausgebildet ist, die einen Stromfluss erschwert oder unterbindet, und wobei die Zwischenschicht (7) zwischen der aktiven Zone (18) und dem n-Kontakt (56) angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Laserdiode.

Abstract translation: 本发明涉及一种激光二极管（1）布置成彼此层的层结构，该层结构包括第一，第二和具有至少一个有源区（18）和两个波导层（16，17的第三层结构（15，26，27） ），其特征在于，所述两个波导层之间的有源区（18）（16，17）设置（与第一层结构15），其中，沿Z轴在纵向方向沿着X轴在第一层结构 在高度方向的横向方向和沿Y轴延伸，第二和第三层结构（26，27），其沿着在第一层结构的相对的纵向侧上的Z轴布置，并且与第一层结构（15）相邻的 其中，在高度偏移相对于所述第二和第三层结构（26，27）angeordn的有源区（18），第一层结构（15）的有源区 是等。 有源区（18）被布置在p型接触（28）和n接触（56）之间，其中第一层结构的侧（15）在所述第二和第三层结构的中间层（7）（26，27） 被布置，其中，所述中间层（7）被设计为电阻挡层，其阻碍了电流或防止流动，并且其中所述有源区（18）和n型接触（56）之间的中间层（7）布置。 此外，本发明涉及一种方法，用于制造激光二极管。

公开(公告)号：WO2016083246A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/EP2015/077142

申请日：2015-11-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/02 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/22

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Schichtstruktur (2) mit einer aktiven Zone (1) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone in einer ersten Ebene angeordnet ist, wobei in die Oberfläche der Schichtstruktur eine Ausnehmung (6, 25) eingebracht ist, wobei die Ausnehmung an eine Endfläche (13) des Bauelementes angrenzt, wobei die Endfläche in einer zweiten Ebene angeordnet ist, wobei die zweite Ebene im Wesentlichen senkrecht zur ersten Ebene angeordnet ist, wobei die Ausnehmung eine Bodenfläche (9) und eine Seitenfläche (7, 8) aufweist, wobei die Seitenfläche im Wesentlichen senkrecht zur Endfläche angeordnet ist, wobei die Seitenfläche in einem Winkel geneigt ungleich 90° zu der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist, wobei die Bodenfläche im Bereich der ersten Ebene der aktiven Zone angeordnet ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有层结构（2）具有用于产生电磁辐射，其中，所述有源区被布置在第一平面中，其中，在所述层结构的表面的凹部（6，25）的有源区（1）的光电元件被引入 是，其中，所述凹口邻近所述部件，其中所述端面配置在第二平面内的端面（13），所述基本上设置成垂直于所述第一平面，第二平面，其中，所述凹部（底表面（9）和一个侧表面 7，8），其中所述侧表面基本上垂直地配置的端面上，其中所述侧表面的角度倾斜设置等于90°到有源区，其中所述底表面被布置在所述有源区的所述第一平面的区域的所述第一平面 ，

公开(公告)号：WO2013160212A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/EP2013/058217

申请日：2013-04-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER, Christoph ,  BREIDENASSEL, Andreas ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/12 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/1003 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/166

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserlichtquelle mit einem kantenemittierenden Halbleiterkörper (10) angegeben. Der Halbleiterkörper (10) enthält einen Halbleiterschichtstapel (110) mit einer n-leitenden Schicht (111) einer aktiven Schicht (112) und einer p-leitenden Schicht (113), der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlungausgebildet ist, die einen kohärenten Anteil (21) umfasst. Die Halbleiterlaserlichtquelle ist zur Auskopplung des kohärenten Anteils (21) der elektromagnetischen Strahlung aus einer zur aktiven Schicht (112) geneigten Auskoppelfläche (101) des Halbleiterkörpers (10) ausgebildet ist. Der Halbleiterkörper (10) weist eine zur Auskoppelfläche (101) geneigte weitere Außenfläche (102A, 102B, 102C) auf und hat mindestens einen Licht streuenden Teilbereich (12, 12A, 12B, 12C, 120A, 120B), der dazu vorgesehen ist, einen Teil der von dem Halbleiterschichtstapel (110) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in Richtung zu der weiteren Außenfläche (102A, 02B, 102C) hin zu lenken.

Abstract translation: 提供了一种具有边发射半导体主体（10）的半导体激光光源。 半导体本体（10）包括一个具有n-型层（111）的有源层（112）和一个p型层（113），其能够产生电磁辐射形成的半导体层堆叠（110），即相干部分（21） 包括。 半导体激光光源是用于从半导体本体的有源层（112）倾斜的输出面（101）中提取电磁辐射的相干成分（21）（10）形成。 半导体本体（10）具有一个到输出表面（101）倾斜的多个外表面（102A，102B，102C），并具有至少一个光散射部（12，12A，12B，12C，120A，120B），其被提供给一个 引导的半导体层堆叠（110）的方向上产生的进一步外表面的电磁辐射（102A，02B，102C）下的一部分。