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    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    3.
    发明申请
    KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    边发射半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016150840A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：PCT/EP2016/055937

    申请日：2016-03-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL, Alfred ,  KOENIG, Harald ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    IPC: H01S5/16 ,  H01S5/02 ,  H01S5/32

    CPC classification number: H01S5/026 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/164 ,  H01S5/168 ,  H01S5/3211 ,  H01S2304/00

    Abstract: Ein kantenemittierender Halbleiterlaser umfasst eine Halbleiterstruktur, die eine Schichtenfolge mit entlang einer Wachstumsrichtung übereinanderliegenden Schichten aufweist. Die Halbleiterstruktur ist seitlich durch eine erste Facette (400) und eine zweite Facette (500) begrenzt. Die Halbleiterstruktur weist einen Mittenabschnitt (300) und einen an die erste Facette angrenzenden ersten Randabschnitt (410) auf. Die Schichtenfolge ist im ersten Randabschnitt gegenüber dem Mittenabschnitt in Wachstumsrichtung (201) versetzt. Die Halbleiterstruktur beinhaltet ein Substrat (100), eine untere Mantelschicht (210), eine untere Wellenleiterschicht (220), eine aktive Schicht (230), eine obere Wellenleiterschicht (240) und eine obere Mantelschicht (250). Im Bereich der Facette befindet sich eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (260) welche einen Stromfluss durch die Halbleiterstruktur in einem Randabschnitt (410) der Facette (400) verhindert.

    Abstract translation: 边缘发射半导体激光器包括具有沿生长层的方向叠加的层序列的半导体结构。 半导体结构是由第一面（400）和第二面（500）横向地限定。 该半导体结构包括一中心部分（300）和邻近所述第一边缘部分（410）的所述第一面。 所述层序列在所述第一边缘部分的偏移相反的在生长方向（201）的中心部分。 该半导体结构包括：基板（100），下包层（210），下波导层（220），有源层（230），上波导层（240）和上包覆层（250）。 在小面的电绝缘中间层（260）位于其防止在小刻面（400）的边缘部分（410）通过所述半导体结构中的电流流动的区域。

    HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS
    4.
    发明申请
    HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    半导体芯片和一种用于生产半导体芯片

    公开(公告)号：WO2008089739A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：PCT/DE2008/000123

    申请日：2008-01-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EICHLER, Christoph ,  STRAUSS, Uwe ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  STRAUSS, Uwe ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L2933/0083

    Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die einen aktiven Bereich (12) und eine p-leitende Halbleiterschicht (11) aufweist, umfasst. Der aktive Bereich (12) basiert vorzugsweise auf einem Verbindungshalbleiter und ist weiterhin bevorzugt zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen. Auf einer dem aktiven Bereich (12) abgewandten Seite der p-leitenden Halbleiterschicht (11) ist ein nichtmetallischer Anschlussbereich (2) angeordnet, der elektrisch leitend mit der p-leitenden Halbleiterschicht (11) verbunden ist. Der nichtmetallische Anschlussbereich (2) ist für Wasserstoff durchlässig ausgebildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.

    Abstract translation: 本发明公开了包含具有具有有源区（12）和p型半导体层（11）包括的半导体层序列（10）的半导体主体的半导体芯片（1）。 有源区域（12）优选地是基于一种化合物半导体，并且进一步优选地提供用于产生辐射。 上的有源区域（12）背离所述p型半导体层远离侧（11）设置一个非金属连接区域（2），其导电地连接到所述p型半导体层（11）。 非金属连接区域（2）被设计地使氢透过。 此外，被指定用于制造半导体芯片的方法。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UNTER VERWENDUNG EINER STRUKTURIERTEN DIELEKTRISCHEN MASKE UND HALBLEITERBAUELEMENT
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UNTER VERWENDUNG EINER STRUKTURIERTEN DIELEKTRISCHEN MASKE UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020165246A1

    公开(公告)日：2020-08-20

    申请号：PCT/EP2020/053593

    申请日：2020-02-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER, Jens ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    IPC: H01L21/20

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (10) umfasst das Ausbilden (S100) einer strukturierten Maske (112) über einem Substrat (100), so dass ein erster Bereich (105) einer ersten Hauptoberfläche (110) des Substrats (100) mit einer Vielzahl voneinander beabstandeter Unter-Strukturelemente (107) eines dielektrischen Materials bedeckt ist und zweite Bereiche (106) der ersten Hauptoberfläche (110) unbedeckt sind. Dabei ist die Vielzahl von Unter-Strukturelementen (107) jeweils zwischen benachbarten zweiten Bereichen (106) angeordnet. Das Verfahren umfasst ferner das Durchführen (S110) eines selektiven Wachstumsverfahrens eines Halbleitermaterials (115), so dass das Halbleitermaterial (115) über den zweiten Bereichen (106) der ersten Hauptoberfläche (110) aufwächst.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2016110433A1

    公开(公告)日：2016-07-14

    申请号：PCT/EP2015/081362

    申请日：2015-12-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Optoelektronisches Bauelement mit einer aktiven Zone zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung, wobei die aktive Zone wenigstens zwei Quantenfilme (3, 5) aufweist, wobei der erste Quantenfilm (3) zwischen einer ersten und einer zweiten Barriereschicht (2, 4) angeordnet ist, wobei der zweite Quantenfilm (5) zwischen der zweiten und einer letzten Barriereschicht (4, 6) angeordnet ist, wobei die Bandlücken der ersten und der zweiten Barriereschicht in einem anderen Verhältnis zueinander stehen als die Bandlücken der zweiten und der dritten Barriereschicht.

    Abstract translation: 本发明涉及具有用于产生电磁辐射的有源区的光电子器件，所述有源区中的至少两个量子阱（3,5），其中，所述第一量子阱（3）的第一和第二阻挡层之间（2，4）被布置 其中，所述第二量子阱（5）的第二和最后的势垒层之间的（4,6）被布置，其中，第一和在不同的相互关系可用比第二和第三势垒层的带隙的第二势垒层的带隙。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016020348A1

    公开(公告)日：2016-02-11

    申请号：PCT/EP2015/067878

    申请日：2015-08-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  WURM, Teresa ,  RISTIC, Jelena

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

    CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L27/20 ,  H01L33/025 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und ein optoelektronisches Bauelement mit einer aktiven Zone (3) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone (3) an wenigstens eine Schichtanordnung (100,200) aus einem halbleitenden Material angrenzt, wobei die Schichtanordnung (100,200) wenigstens zwei Schichten aufweist, wobei die zwei Schichten in der Weise ausgebildet sind, dass an einer Grenzfläche zwischen den zwei Schichten ein piezoelektrisches Feld erzeugt wird, das einen elektrischen Spannungsabfall an der Grenzfläche bewirkt, wobei an der Grenzfläche der zwei Schichten und in den zwei Schichten ein Spitzendotierbereich (6, 13) vorgesehen ist, um den elektrischen Spannungsabfall zu reduzieren, wobei eine Dotierung des Spitzendotierbereiches in Richtung weg von der aktiven Zone wenigstens um einen ersten Prozentwert ansteigt und wieder um wenigstens einen zweiten Prozentwert abfällt, wobei der erste und der zweite Prozentwert größer als 10 % einer maximalen Dotierung des Spitzendotierbereiches ist.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子器件和与活性区的光电子器件（3），用于产生电磁辐射，其中，所述有源区（3）相邻的半导体材料的至少一个层组件（100,200），其中，所述层布置 （100,200）包括至少两个层，形成在该压电电场在所述两个层之间的界面，这会导致通过该接口的电压降产生的，其中，在所述两层的界面并且以这样的方式将两层 所述两层的Spitzendotierbereich（6，13）被提供到降低电压降，其中Spitzendotierbereiches的在从至少由第一百分比值有源区增大远离的方向的掺杂，然后通过至少一个第二百分比值，其中，所述第一滴 和D 是他第二百分比是Spitzendotierbereiches的最大掺杂的大于10％。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    8.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2011104274A2

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：PCT/EP2011/052681

    申请日：2011-02-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EICHLER, Christoph ,  LERMER, Teresa ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    Inventor： EICHLER, Christoph ,  LERMER, Teresa ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

    CPC classification number: H01S5/2018 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser einen Träger (2) und eine auf dem Träger (2) aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) basiert auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und beinhaltet wenigstens eine aktive Zone (4) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie wenigstens eine Wellenleiterschicht (5), die mittelbar oder unmittelbar an die aktive Zone (4) grenzt, wobei ein Wellenleiter (45) gebildet ist. Außerdem umfasst die Halbleiterschichtenfolge (3) eine an die Wellenleiterschicht (4) grenzende p-Mantelschicht (6p) an einer p-dotierten Seite oder/und eine n-Mantelschicht (6n) an einer n-dotierten Seite der aktiven Zone (4). Die Wellenleiterschicht (5) grenzt mittelbar oder unmittelbar an die Mantelschicht (6n, 6p). Ein effektiver Brechungsindex (n eff ) einer im Wellenleiter geführten Mode (M) ist hierbei größer als ein Brechungsindex des Trägers (2).

    Abstract translation:

    在光电子半导体芯片的至少一个示例性导航用途货币形式（1）包括所述一个Tr的AUML; GER（2）和一个在Tr的BEAR生长GER（2）半导体层序列（3）。 半导体层序列（3）基于氮化物的化合物半导体材料，并且包括至少一个有源区（4），用于产生电磁辐射和至少一个波导层（5），其直接或间接地邻接所述有源区（4），其中一个波导（ 45）。 的Au ROAD此外，半导体层序列（3）包括一个以上的掺杂p侧和/或n覆层（6 n）输出到有源区的n型掺杂侧上的波导层（4）接壤p覆层（6P）（4 ）。 波导层（5）直接或间接邻接包层（6n，6p）。 波导模（M）的有效折射率（n eff）大于载体（2）的折射率。

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