公开(公告)号：WO2019145435A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：PCT/EP2019/051772

申请日：2019-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KATZ, Simeon ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0033

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, dass einen Halbleiterkörper (10) mit einer auf einer Hauptfläche des Halbleiterkörpers (10) aufgebrachten Kontaktmetallisierung (20) und eine Schutzschicht (30), die den Halbleiterkörper (10) und die Kontaktmetallisierung (20) teilweise bedeckt, ein an den Halbleiterkörper (10) seitens der Hauptfläche stoffschlüssig angefügtes Substrat (40), eine Aussparung (50) und eine innerhalb der Aussparung (50) angeordnete Anschlussschicht (60) aufweist. Die Aussparung (50) und die Anschlussschicht (60) erstrecken sich von einer dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite des Substrats (40) durch das Substrat (40) und die Schutzschicht (30) bis zu der Kontaktmetallisierung (20), und die Anschlussschicht (60) kontaktiert die Kontaktmetallisierung (20) elektrisch.

公开(公告)号：WO2014114524A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/EP2014/050574

申请日：2014-01-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EIBL, Johann ,  TAEGER, Sebastian ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl ,  RAMMELSBERGER, Stefanie ,  MAUTE, Markus ,  HUBER, Michael ,  HARTMANN, Rainer ,  HARTUNG, Georg

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/54 ,  G01B2210/306 ,  H01L21/0228 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, - eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, - einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und - einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei - die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, - die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und - die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.

Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片 - 一个半导体本体（40），其包括设置用于产生电磁辐射有源区（42）， - 一个第一反光镜层（21）被提供用于电磁辐射，反射 - 第一 包封层（31）与电绝缘材料形成，以及 - 其被提供给所述第一封装层（31），所述第一反光镜层（21）和半导体本体（40），以提供机械支撑的支撑体（10）， 其中， - 所述支撑件（10）和半导体本体（40）之间的第一镜面层（21）布置， - 所述支撑件（10）和所述第一反光镜层（21）之间的所述第一封装层（31）被布置，以及 - 所述第一 包封层（31）是一个ALD层。

公开(公告)号：WO2012159615A2

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/DE2012/100118

申请日：2012-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

Inventor： MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (la) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) enthält eine TCO-Schicht (2a) und eine Spiegelschicht (2b), wobei die TCO-Schicht (2a) zwischen der n-Seite (1b) des Halbleiterkörpers (1) und der Spiegelschicht (2b) angeordnet ist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。

公开(公告)号：WO2012136459A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：PCT/EP2012/054598

申请日：2012-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  JEREBIC, Simon

Inventor： MAUTE, Markus ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  JEREBIC, Simon

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/486 ,  H01L33/501 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种用于制造光电子器件（10）的方法。 提供了一种具有合适的活性层用于产生辐射和在载体上的（1）被配置在半导体芯片（2）。 在半导体芯片（2）和/或所述支撑件（1），一分散材料（3）至少部分地施加。 分散材料（3）包括一基体材料（31）和在其中嵌入的颗粒（32）。 中的分散材料（3）的应用程序之前修改一（1）从背离半导体芯片的芯片边缘（22）远离所述承载器（2），使得分散的材料（3）当施加到芯片边缘（22）至少部分地分离成它的组分 ， 此外，在此方式（10）所制造的装置被指定。

公开(公告)号：WO2012107261A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/EP2012/050713

申请日：2012-01-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EIBL, Johann ,  ENGL, Karl ,  LAMFALUSI, Tamas ,  MAUTE, Markus

Inventor： EIBL, Johann ,  ENGL, Karl ,  LAMFALUSI, Tamas ,  MAUTE, Markus

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（100）的外延层（102）包括具有第一区域（116）和第二区域（118）和受保护的结构（108，106）一个掺杂外延层（104）。 完全覆盖保护结构（108，106）掺杂的外延层（104）的所述第一部分（116）。 掺杂的外延层（104）的外表面（119）具有在具有第一表面粗糙度的第一区域（116）和在所述第二区域（118）具有第二粗糙度。

公开(公告)号：WO2012034828A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/064386

申请日：2011-08-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WEIMAR, Andreas ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin

Inventor： ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  WEIMAR, Andreas ,  HÖPPEL, Lutz ,  RODE, Patrick ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).

Abstract translation: 规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10） ）和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。 镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19） 镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。 半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

公开(公告)号：WO2011107344A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/EP2011/052233

申请日：2011-02-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH ,  MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  EIBL, Johann

Inventor： MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  BRÜNINGHOFF, Stefanie ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  EIBL, Johann

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Eine funktionelle Schicht (6) zur Verminderung der Korrosion und/oder Verbesserung der Haftung der Spiegelschicht (5) ist auf der Spiegelschicht (5) angeordnet, wobei ein Material, aus dem die funktionelle Schicht (6) gebildet ist, in der gesamten Spiegelschicht (5) verteilt ist. Das Material der funktionellen Schicht (6) weist in der Spiegelschicht (5) einen Konzentrationsgradienten auf, wobei die Konzentration des Materials der funktionellen Schicht (6) in der Spiegelschicht (5) ausgehend von der funktionellen Schicht (6) in Richtung zur Halbleiterschichtenfolge (2) hin abnimmt.

Abstract translation: 它是一种具有（2）所示的半导体层序列，其具有适合于产生电磁辐射活性层（3）发光二极管芯片，其特征在于，上辐射出射表面的前侧上的LED芯片（1）（4）。 的发光二极管芯片（1）具有在至少的区域中的辐射出射表面（4）相对的后侧中的一个，反射镜层（5）含有银。 用于减小反射镜层中的腐蚀和/或改善的（5）被布置在反射层（5）上，的粘附性的功能层（6），其特征在于其中的形成所述功能层（6）的材料（在整个镜面层 5）是分布式的。 镜中的层（5）（6）的功能层的材料具有浓度梯度，其中，所述功能层（6）的材料在反射镜层中的浓度（5），从功能层开始（6）（在所述半导体层序列2的方向 ）向下降。

公开(公告)号：WO2011012446A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：PCT/EP2010/060077

申请日：2010-07-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  ALBRECHT, Tony ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

Inventor： MAUTE, Markus ,  ALBRECHT, Tony ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (1), der einen ersten (1A) und einen zweiten Bereich (1B) aufweist; - eine aktive Zone (2) innerhalb des Halbleiterkörpers (1), die im Betrieb des Leuchtdiodenchips (100) elektromagnetische Strahlung durch eine Strahlungsauskoppelfläche (11) emittiert, die zumindest stellenweise durch eine erste Hauptfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) gebildet ist; - zumindest einen Graben (3) in dem Halbleiterkörper (1), wobei im Bereich des Grabens Teile des Halbleiterkörpers (1) entfernt sind, wobei - der zumindest eine Graben (3) zumindest bis zur aktiven Zone (2) reicht, - der zumindest eine Graben (3) den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt, und - der zweite Bereich (1B) den zumindest einen Graben (3) und den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt.

Abstract translation: 它是指定的发光二极管芯片，包括： - 一个半导体主体（1），具有第一（1A）和第二区域（1B）; - 通过辐射在电磁辐射的LED芯片（100）的操作发出所述半导体主体（1）内的活性区域（2），其通过所述半导体主体（1）的第一主表面（111）形成至少局部地（11）; - 至少一个沟槽（3）在半导体本体（1）与半导体本体的部分（1）的在沟槽的区域中除去， - 所述至少一个沟槽（3），至少直到所述有源区（2）延伸， - 至少 的沟槽（3）完全包围在横向方向上的第一区域（1A），以及 - 第二部分（1B）完全包围所述至少一个沟槽（3）和在横向方向上的第一区域（1A）。

公开(公告)号：EP2543083A1

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：EP11703686.3

申请日：2011-02-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  RAMMELSBERGER, Stefanie ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  EIBL, Johann

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A light emitting diode chip comprising a semiconductor layer sequence (2) is specified, said semiconductor layer sequence having an active layer (3) suitable for generating electromagnetic radiation, wherein the light emitting diode chip (1) has a radiation exit area (4) at a front side. At a rear side lying opposite the radiation exit area (4), the light emitting diode chip (1) has, at least in regions, a mirror layer (5) containing silver. A functional layer (6) for reducing corrosion and/or improving adhesion of the mirror layer (5) is arranged on the mirror layer (5), wherein a material from which the functional layer (6) is formed is distributed in the entire mirror layer (5). The material of the functional layer (6) has a concentration gradient in the mirror layer (5), wherein the concentration of the material of the functional layer (6) in the mirror layer (5) decreases proceeding from the functional layer (6) in the direction towards the semiconductor layer sequence (2).

Abstract translation: 指定包括半导体层序列（2）的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层（3），其中发光二极管芯片（1）具有辐射出射区域（4） 在前方。 在与辐射出射区域（4）相对的后侧处，发光二极管芯片（1）至少在区域中具有包含银的镜层（5）。 在反射镜层（5）上设置有用于减少反射镜层（5）的腐蚀和/或改善粘合性的功能层（6），其中形成功能层（6）的材料分布在整个反射镜 层（5）。 功能层（6）的材料在镜层（5）中具有浓度梯度，其中功能层（6）的材料在镜层（5）中的浓度从功能层（6） 在朝向半导体层序列（2）的方向上。

公开(公告)号：EP2612373A1

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：EP11748397.4

申请日：2011-08-24

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： ENGL, Karl ,  MAUTE, Markus ,  RAMMELSBERGER, Stefanie

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A light‑emitting diode chip (1) is specified comprising a semiconductor layer sequence (2) having an active layer (4) suitable for generating electromagnetic radiation (10), wherein the light‑emitting diode chip (1) has a radiation exit surface (11) at a front side, the light‑emitting diode chip (1) has a mirror layer (6) at least in regions at a rear side lying opposite the radiation exit surface (11), said mirror layer containing silver, wherein a protective layer (7) containing Pt is arranged on the mirror layer (6), and the protective layer (7) has a structure such that it covers the mirror layer (6) only in partial regions (8).

Abstract translation: 发光二极管芯片（1）被指定为包括具有适于产生电磁辐射（10）的有源层（4）的半导体层序列（2），其中发光二极管芯片（1）具有辐射出射表面 其特征在于，所述发光二极管芯片（1）在前侧具有位于与所述辐射出射面（11）相对的后侧的至少区域中的镜层（6），所述镜层包含银，其中， 包含Pt的保护层7设置在反射镜层6上，并且保护层7具有仅在部分区域8中覆盖反射镜层6的结构。