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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    21.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    制造光电子器件和光电子器件的方法

    公开(公告)号：WO2017194623A1

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：PCT/EP2017/061218

    申请日：2017-05-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RACZ, David ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei welchem in einem Verfahrensschritt A) ein Bereitstellen zumindest eines lichtemittierenden Halbleiterchips (10a) umfassend ein Saphirsubstrat (1) und eine epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (10b) erfolgt. In einem weiteren Verfahrensschritt B) erfolgt ein Anordnen des lichtemittierenden Halbleiterchips (10a) mit einer dem Saphirsubstrat (1) abgewandten Seite auf einen Träger (4), und in einem Verfahrensschritt C) ein Ablösen des Saphirsubstrats (1) vom Halbleiterchip (10a). In einem weiteren Verfahrensschritt D) erfolgt ein Aufbringen eines Konverterelements (5) auf einem Bereich des Halbleiterchips (10a), in welchem das Saphirsubstrat (1) abgelöst wurde, und in einem weiteren Verfahrensschritt E) ein Anordnen des Halbleiterchips (10a) auf einen Hilfsträger (4a), so dass das Konverterelement (5) dem Hilfsträger (4a) zugewandt ist. In einem weiteren Verfahrensschritt F) erfolgt ein Ablösen des Trägers (4) vom Halbleiterchip (10a).

    Abstract translation:

    本发明提供一种方法用于制造光电子器件，其中，在方法步骤a）包括提供至少一个半导体发光芯片（10A），其包括蓝宝石衬底（1）和一个外延生长的层序列（10B）被执行 ， 在进一步的方法步骤B）设置的半导体发光与芯片（10A）（在蓝宝石基板1）面朝从Tr的AUML进行亨特（4），并且在方法步骤C）的ABL＆ouml走;在蓝宝石衬底的钱（1）从半导体芯片 （10A）。 在进一步的方法步骤d）将转换器元件（5）上的半导体芯片（10A）的一部分进行，其中在蓝宝石衬底（1）abgel＆OUML;是ST，并且在进一步的处理步骤e）中的半导体芯片（10A）设置于 辅助电枢（4a），使得转换器元件（5）面对辅助电枢（4a）。 在另一个方法步骤F）中，载体（4）从半导体芯片（10a）上脱离

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    22.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    光电子器件，光电子模块和生产光电子器件的方法

    公开(公告)号：WO2017121725A1

    公开(公告)日：2017-07-20

    申请号：PCT/EP2017/050407

    申请日：2017-01-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HAIBERGER, Luca ,  RACZ, David ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/024 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/54 ,  H01L23/48

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/024 ,  H01L33/38 ,  H01L33/54 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2933/0075

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement (100) umfasst eine Strahlungsseite (2), über die im Betrieb elektromagnetische Strahlung ein- oder ausgekoppelt wird. Der Strahlungsseite gegenüber liegt eine Kontaktseite (3) mit zumindest zwei elektrisch leitenden Kontaktelementen (31, 32) zur externen elektrischen Kontaktierung des Bauelements. Zwischen der Strahlungsseite und der Kontaktseite ist eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10) angeordnet, die im bestimmungsgemäßen Betrieb die elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Die Kontaktelemente sind an der Kontaktseite voneinander beabstandet und liegen im unmontierten Zustand des Bauelements an der Kontaktseite ganz oder teilweise frei. Der Bereich der Kontaktseite zwischen den Kontaktelementen ist teilweise oder vollständig mit einem elektrisch isolierenden Kühlelement (33) bedeckt, wobei das Kühlelement in Draufsicht auf die Kontaktseite eines oder beide Kontaktelemente (31, 32) teilweise überdeckt. Das Kühlelement (33) ist in direktem Kontakt mit der Kontaktseite und weist eine thermische Leitfähigkeit von zumindest 30 W/(m.K) auf.

    Abstract translation: 光电子部件（100）包括辐射侧（2），在操作期间电磁辐射通过该辐射侧耦合进入或者退出。 辐射侧相对的是具有至少两个用于装置的外部电接触的导电接触元件（31,32）的接触侧（3）。 在辐射侧和接触侧之间布置具有有源层（10）的半导体层序列（1），该有源层在正常操作期间发射或吸收电磁辐射。 接触元件在接触侧上间隔开并且在接触侧处于未装配状态下完全或部分自由。 接触元件之间的接触侧的区域部分地或完全地覆盖有电绝缘的冷却元件（33），其中冷却元件在俯视一个或两个接触元件（31,32）的接触侧时部分地重叠。 冷却元件（33）与接触侧直接接触并具有至少30W /（m.K）的导热率，

    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG
    23.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
    光电照明装置和方法用于制造光电子发光装置

    公开(公告)号：WO2016150837A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：PCT/EP2016/055926

    申请日：2016-03-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER, Christian ,  LINKOV, Alexander ,  SPERL, Matthias ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

    CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/005 ,  H01L33/507

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: - einen Träger (403), - auf welchem eine lichtemittierende Diode (405) angeordnet ist, - wobei auf einer lichtemittierenden Oberfläche (407) der Diode eine mehrere Mikrolinsen (105) aufweisende Mikrolinsenstruktur (101, 801) angeordnet ist, - wobei auf der Mikrolinsenstruktur eine Konversionsschicht (501) angeordnet ist, - so dass von der lichtemittierenden Oberfläche (407) emittiertes Licht zumindest teilweise durch die Mikrolinsenstruktur (101, 801) abgebildet und dann konvertiert werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电子发光装置，包括： - 支承件（403）， - 在其上的发光二极管（405）设置， - 其中，具有多个微透镜（105）的微透镜结构的二极管的发光表面（407）（101上 位于801）， - 其中，转换层（501）被设置在微透镜结构， - 使得（来自发光面407），通过微透镜结构（101至少部分地发出的光，准备801），然后可以被转换。 本发明还涉及一种用于制造光电发光装置。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    24.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016071308A1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：PCT/EP2015/075518

    申请日：2015-11-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  HOXHOLD, Björn ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/005 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (30) weist einen Verbundkörper (100) auf, der einen Formkörper (200) und einen in den Formkörper (200) eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip (300) umfasst. Ein elektrisch leitender Durchkontakt (400) erstreckt sich von einer Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) zu einer Unterseite (102) des Verbundkörpers (100) durch den Formkörper (200). Eine Oberseite (301) des optoelektronischen Halbleiterchips (300) ist zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (200) bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip (300) weist an seiner Oberseite (301) einen ersten elektrischen Kontakt (310) auf. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist eine erste Oberseitenmetallisierung (110) angeordnet, die den ersten elektrischen Kontakt (310) elektrisch leitend mit dem Durchkontakt (400) verbindet. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist außerdem eine zweite Oberseitenmetallisierung (120) angeordnet, die elektrisch gegen die erste Oberseitenmetallisierung (110) isoliert ist.

    Abstract translation: 光电子器件（30）包括复合体（100）包括成型体（200）和一个嵌入到形主体（200）的光电子半导体芯片（300）。 一个通过由模制体（200）从所述复合体（100）的顶表面（101）延伸到所述复合材料主体（100）的下侧（102）（400）导电。 光电子半导体芯片（300）的上表面（301）由所述模体（200）至少部分覆盖。 光电子半导体芯片（300）具有在其上侧（301）的第一电接触（310）。 在复合体（100）的顶部（101）是第一顶部金属化（110）被布置成，它连接所述第一电接触（310）电连接到所述通孔（400）。 第二顶部金属化（120）进一步设置在复合体（100），其是从所述第一顶部金属化（110）电绝缘的顶部（101）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    25.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    用于生产光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2016050903A1

    公开(公告)日：2016-04-07

    申请号：PCT/EP2015/072674

    申请日：2015-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER, Frank ,  GÖÖTZ, Britta ,  RACZ, David ,  SPERL, Matthias

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen einer Vielzahl von zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Halbleiterchips (4), b) Anordnen der Vielzahl von Halbleiterchips (4) in einer Ebene; c) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips (4) angeordnet ist; d) Ausbilden einer Vielzahl von Konversionselementen (12), wobei jedes Konversionselement ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst und auf einem der Halbleiterchips (4) angeordnet wird; e) Verkapseln der Vielzahl von Konversionselementen (12) zumindest an deren seitlichen Rändern (20) mit einem Verkapselungsmaterial; und f) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (8) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100). Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种制造多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供多个用于设置用于将半导体芯片（4）中，b）布置在所述多个半导体芯片（4）的电磁辐射的产生 水平; c）形成的复合壳体主体（8），其至少部分地（4）被布置在半导体芯片之间; d）形成多个转换元件（12），每个转换元件包括波长转换材料和半导体芯片（4）被放置; E）封装至少在它们的横向边缘（20）用密封材料中的多个转换元件（12）; 和f）切割所述复合外壳体（8）分割为多个光电子半导体器件（100）的。 此外，半导体器件（100）被指定。

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