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    BAUTEIL MIT HOMOGENISIERTER LEUCHTFLÄCHE
    1.
    发明申请
    BAUTEIL MIT HOMOGENISIERTER LEUCHTFLÄCHE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020173684A1

    公开(公告)日：2020-09-03

    申请号：PCT/EP2020/053165

    申请日：2020-02-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： NAGEL, Peter ,  WIESMANN, Christopher ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird ein Bauteil (10) mit einem gemeinsamen Träger (9), einer Mehrzahl von Bauelementen (1), Konverterschichten (1K) und inneren Streuregionen (5) angegeben, wobei die Bauelemente in lateraler Richtung nebeneinander und in vertikaler Richtung zwischen dem gemeinsamen Träger und den Konverterschichten angeordnet sind. Das Bauteil weist einen Durchtrittsbereich (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche (10S) auf, die in vertikaler Richtung durch den Durchtrittsbereich von den Konverterschichten beabstandet ist. Die benachbarten Konverterschichten sind durch einen Zwischenbereich (3) voneinander lateral beabstandet, der in Draufsicht auf den Träger von dem Durchtrittsbereich vollständig bedeckt ist, wobei die inneren Streuregionen sowohl an den Durchtrittsbereich als auch an die Konverterschichten angrenzen und zumindest teilweise in dem Zwischenbereich angeordnet sind oder unmittelbar an den Zwischenbereich angrenzen.

    ELEKTRONISCHES BAUTEIL SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUTEILS
    2.
    发明申请
    ELEKTRONISCHES BAUTEIL SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN BAUTEILS 审中-公开
    电子元件和方法生产电子部件

    公开(公告)号：WO2016184659A1

    公开(公告)日：2016-11-24

    申请号：PCT/EP2016/059497

    申请日：2016-04-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KIESSLING, Matthias ,  RACZ, David

    IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60

    CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/486 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058

    Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil (1) angegeben, das sich entlang einer Haupterstreckungsebene in einer ersten lateralen Richtung (x) und in einer zweiten lateralen Richtung (y) erstreckt, umfassend - zumindest einen elektronischen Halbleiterchip (10), - einen Formkörper (3), der den Halbleiterchip (10) lateral vollständig umschließt, und - eine Vielzahl von mechanischen Verstärkungsstrukturen (2, 2'), wobei - die Verstärkungsstrukturen (2, 2') in den Formkörper (3) eingebettet sind, - jede Verstärkungsstruktur (2, 2') länglich ausgebildet ist und jeweils eine Länge (L, L') aufweist, die einen Großteil einer maximalen Erstreckung des elektronischen Bauteils (1) in der ersten lateralen Richtung (x) und/oder in der zweiten lateralen Richtung (y) beträgt und - jede Verstärkungsstruktur (2, 2') in der ersten und/oder zweiten lateralen Richtung (x, y) beabstandet zu dem Halbleiterchip (10) angeordnet ist.

    Abstract translation: 提供了一种电子部件（1），其在第一横向方向（x）和沿第二横向方向（y）沿主延伸平面延伸延伸，其包括： - 至少一个电子半导体芯片（10）， - 成形体（3） 使半导体芯片（10）是横向完全包围，以及 - 多个机械加强结构（2,2“），其中， - 所述加强结构（2，2”的）插入成形体（3）被嵌入， - 每个加强结构（2， 2“）是细长的，并且每个具有一个长度（L，L”（在第一横向方向x）），其是电子部件（1）的最大延伸部的大部分和/或在第二横向方向（y） 以及 - 在从所述半导体芯片（10）的距离，第一和/或第二横向方向（x，y）的各加强结构（2,2“）布置。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016150841A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：PCT/EP2016/055938

    申请日：2016-03-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RICHTER, Daniel ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62 ,  H01L23/538

    CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/042 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen oberen Gehäuseteil und einen unteren Gehäuseteil. Der obere Gehäuseteil ist über dem unteren Gehäuseteil angeordnet. Der obere Gehäuseteil weist einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Zwischen dem oberen Gehäuseteil und dem unteren Gehäuseteil ist eine mittlere Metallisierungsebene angeordnet. An einer von dem oberen Gehäuseteil abgewandten Unterseite des unteren Gehäuseteils ist eine untere Metallisierungsebene angeordnet. Der untere Gehäuseteil weist einen unteren Durchkontakt auf, der sich von dermittleren Metallisierungsebene durch den unteren Gehäuseteil zu der unteren Metallisierungsebene erstreckt.

    Abstract translation: 一种光电子器件，包括上壳体部分和下壳体部分。 上壳体部分布置在所述下壳体部件的上方。 上部壳体部件具有的光电子半导体芯片。 上部壳体部件和下部壳体部件之间的平均金属化布置。 在从下壳体部的上壳体件底部背向的侧面，一个下金属化布置。 下部壳体部件具有较低的导通孔，通过该下壳体部与底部金属化从dermittleren金属化延伸。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL, DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL, DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020083692A1

    公开(公告)日：2020-04-30

    申请号：PCT/EP2019/077762

    申请日：2019-10-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPATH, Günter ,  LEISEN, Daniel ,  JEREBIC, Simon ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/46

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (1) angegeben, mit: - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung (P) von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) aussendet, - einem Konversionselement (6), das Primärstrahlung (P) in elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert, - einem ersten Verguss (8), der zumindest eine Seitenfläche des Halbleiterchips (5) bedeckt, und - einem Haftvermittler (10), mit dem das Konversionselement (6) auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (2) befestigt ist, wobei - der Haftvermittler (10) auf einer Deckfläche des ersten Vergusses (9) angeordnet ist. Des Weiteren werden ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
    光电照明装置和方法用于制造光电子发光装置

    公开(公告)号：WO2016150837A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：PCT/EP2016/055926

    申请日：2016-03-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER, Christian ,  LINKOV, Alexander ,  SPERL, Matthias ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

    CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/005 ,  H01L33/507

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: - einen Träger (403), - auf welchem eine lichtemittierende Diode (405) angeordnet ist, - wobei auf einer lichtemittierenden Oberfläche (407) der Diode eine mehrere Mikrolinsen (105) aufweisende Mikrolinsenstruktur (101, 801) angeordnet ist, - wobei auf der Mikrolinsenstruktur eine Konversionsschicht (501) angeordnet ist, - so dass von der lichtemittierenden Oberfläche (407) emittiertes Licht zumindest teilweise durch die Mikrolinsenstruktur (101, 801) abgebildet und dann konvertiert werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电子发光装置，包括： - 支承件（403）， - 在其上的发光二极管（405）设置， - 其中，具有多个微透镜（105）的微透镜结构的二极管的发光表面（407）（101上 位于801）， - 其中，转换层（501）被设置在微透镜结构， - 使得（来自发光面407），通过微透镜结构（101至少部分地发出的光，准备801），然后可以被转换。 本发明还涉及一种用于制造光电发光装置。

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