公开(公告)号：FR2904143A1

公开(公告)日：2008-01-25

申请号：FR0653082

申请日：2006-07-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CAZAUX YVON ,  CORONEL PHILIPPE ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N3/15

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M7, M8). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.

公开(公告)号：FR2971887A1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR1151318

申请日：2011-02-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MICHELOT JULIEN ,  ROY FRANCOIS ,  LALANNE FREDERIC

IPC: H01L27/146

Abstract: Photosite comprenant dans un substrat (10) semi-conducteur une photodiode (20) pincée dans la direction de la profondeur du substrat (10) comportant une zone de stockage de charges (30), et un transistor de transfert de charges (TG) apte à transférer les charges stockées. La zone de stockage de charge (30) comprend au moins un pincement selon une première direction passant par le transistor de transfert de charges (TG) définissant au moins une zone d'étranglement (90) adjacente au transistor de transfert de charges (TG).

公开(公告)号：FR2955701A1

公开(公告)日：2011-07-29

申请号：FR1050572

申请日：2010-01-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  BARBIER FREDERIC

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant : une pluralité de zones de pixel délimitées par des tranchées d'isolement (412), chaque zone de pixel comprenant une photodiode (414, 416) ; une grille de transfert (406) associée à chacune des zones de pixel et agencée pour transférer une charge à partir de la photodiode vers un noeud de lecture (420) ; et un circuit de lecture pour lire la tension sur au moins un des noeuds de lecture, le circuit de lecture comprenant une pluralité de transistors dont au moins un est disposé au moins partiellement au dessus d'une zone de pixel de la pluralité de zones de pixel.

公开(公告)号：FR3108784B1

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：FR2003147

申请日：2020-03-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/148

Abstract: Dispositif à couplage de charges La présente description concerne un dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales (123) et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacentes de ladite rangée ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes (123) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3094571A1

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：FR1903194

申请日：2019-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique à photodiode La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une photodiode (102), la photodiode comprenant une région (208) reliée à un noeud d'application d'une première tension, la région étant partiellement entourée par au moins un mur semiconducteur (210a, 210b) s'étendant sur au moins la hauteur de la photodiode (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3074962A1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：FR1761836

申请日：2017-12-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  CHHUN SONARITH

IPC: H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique, capteur d'images, et procédé de fabrication, dans lesquels : une plaquette de substrat semiconducteur (2), en silicium, comprend des portions (5) distantes les unes des autres en formant des passages traversants (6), des circuits électroniques (18) et une couche diélectrique (19) incluant un réseau de connexions électriques (20), sont situés au-dessus de la face arrière de ladite plaquette de substrat, des remplissages (12) conducteurs de l'électricité sont contenus dans lesdits passages traversants, ces remplissages comprenant des couches d'un métal (12b) et étant reliés au réseau de connexions électriques (20), des couches diélectriques (9, 10) d'anti-diffusion du tungstène des remplissages dans le silicium desdites portions de la plaquette de substrat, comprenant des couches intérieures (9) situées dans les passages traversants entre les flancs (7) desdites portions (5) et les remplissages (12), et des couches arrière (10) joignant les couches intérieures (9).

公开(公告)号：FR3046494B1

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：FR1662341

申请日：2016-12-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS ,  CAZAUX YVON ,  GUILLON MARIE ,  RODRIGUES BORIS ,  GIFFARD BENOIT

IPC: H01L27/00 ,  G01S17/89 ,  H01L21/02

公开(公告)号：FR3065320A1

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：FR1753344

申请日：2017-04-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: L'invention concerne un capteur de détection de temps de vol comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant une zone photosensible (PD) et au moins deux ensembles (Qi) comprenant chacun : une zone de stockage de charges (memi) ; un transistor de transfert (Tmem-j) adapté à contrôler des transferts de charges de la zone photosensible (PD) vers la zone de stockage de charges ; et un moyen de lecture (Vri, 23, 25, LECT) apte à mesurer de manière non-destructive la quantité de charges stockée dans la zone de stockage.

公开(公告)号：FR3019937A1

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：FR1453230

申请日：2014-04-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： AHMED NAYERA ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L21/763 ,  H01L21/308

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d une tranchée d'isolement comprenant les étapes successives suivantes : a) former, sur un substrat semiconducteur (3), une première structure de masquage (25, 21) comprenant une couche (21) d'un premier matériau gravable sélectivement, et graver une tranchée (27) dans le substrat ; b) former un revêtement isolant (29) sur les parois de la tranchée et remplir la tranchée de silicium polycristallin dopé (31) ; c) former un bouchon d'oxyde de silicium (33) pénétrant dans la tranchée sensiblement jusqu'au niveau de la surface supérieure du substrat et dépassant au-dessus de la surface supérieure du substrat ; et d) éliminer la couche du premier matériau.

公开(公告)号：FR2947383B1

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：FR0954296

申请日：2009-06-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146