Détection et correction d'erreurs
    21.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3101449B1

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:FR1910707

    申请日:2019-09-27

    Abstract: Détection et correction d'erreurs La présente description concerne un procédé de détection et de correction d'erreurs comprenant la comparaison d'au moins trois dispositifs (100A, 100B, 100C) identiques comprenant chacun au moins une chaîne (103A, 103B, 103C) de données de test, comprenant les étapes suivantes : (a) les données de test en dernière position dans ladite chaîne (103A, 103B, 103C) desdits au moins trois dispositifs (100A, 100B, 100C) sont comparées ; (b) les autres données de test sont avancées d'une position dans leur chaîne (103A, 103B, 103C) ; et (c) le résultat de la comparaison de l'étape (a) est écrit en première position dans ladite chaîne (103A, 103B, 103C), les étapes (a), (b), et (c) sont répétées jusqu'à ce que toutes les données de test desdites chaînes (103A, 103B, 103C) sont comparées. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    CIRCUIT D'AIDE A LA LECTURE POUR UN DISPOSITIF MEMOIRE

    公开(公告)号:FR2965662A1

    公开(公告)日:2012-04-06

    申请号:FR1057945

    申请日:2010-09-30

    Abstract: L'invention concerne un circuit d'aide à la lecture disposé pour renforcer la différence de tension entre une paire de lignes de bit complémentaires (BL, ) d'un dispositif mémoire pendant une opération de lecture. Ce circuit d'aide à la lecture comprend un premier transistor (302A, 302B) commandé par le niveau de tension de la première ligne de bit de la paire pour coupler la seconde ligne de bit de la paire à une première tension d'alimentation (VDD) ; et un deuxième transistor (312A, 312B) commandé par le niveau de tension sur la seconde ligne de bit pour coupler la première ligne de bit à une seconde tension d'alimentation (GND).

    CELLULE DE MEMOIRE VIVE SRAM A DIX TRANSISTORS

    公开(公告)号:FR2956516A1

    公开(公告)日:2011-08-19

    申请号:FR1051043

    申请日:2010-02-15

    Abstract: L'invention concerne un dispositif et un procédé de commande d'un dispositif mémoire de type SRAM, comprenant : un circuit bistable et deux circuits de commutation reliant respectivement deux bornes d'accès du circuit bistable à deux lignes de bits complémentaires, chaque circuit de commutation comportant : un premier interrupteur (40G, 40D), un deuxième interrupteur (44G, 44D) en série entre une des lignes de bits et une desdites bornes d'accès, et un troisième interrupteur (46G, 46D) entre le point milieu de ladite association en série et une borne d'application d'un potentiel de référence, une borne de commande du troisième interrupteur étant reliée à l'autre desdites bornes d'accès.

    GENERATEUR D'IMPULSIONS.
    26.
    发明专利

    公开(公告)号:FR2922386A1

    公开(公告)日:2009-04-17

    申请号:FR0758346

    申请日:2007-10-16

    Abstract: L'invention concerne un générateur d'impulsions de synchronisation destinées à au moins deux registres, comprenant une première entrée (CK) destinée à recevoir un signal d'horloge et au moins une sortie (CP) destinée à fournir les impulsions sur l'entrée d'horloge desdits registres, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une deuxième entrée (SETH) destinée à recevoir un signal de forçage de la sortie, indépendamment du signal d'horloge, pour rendre transparents lesdits registres.

    DISPOSITIF DE BASCULE EN PARTICULIER DU TYPE A RETENTION D'ETAT DECLENCHEE SUR FRONTS

    公开(公告)号:FR2877164A1

    公开(公告)日:2006-04-28

    申请号:FR0411388

    申请日:2004-10-26

    Inventor: CLERC SYLVAIN

    Abstract: Un dispositif (DIS) de bascule déclenchée sur les fronts d'un signal d'horloge possédant un mode actif dans lequel elle est électriquement alimentée et un mode inactif, comprend une chaîne d'inverseurs (CH) commandée par ledit signal d'horloge (HL), des moyens de stockage aptes à stocker l'état de la bascule dans son mode actif et des moyens de rétention aptes à stocker l'état de la bascule dans son mode inactif. Ladite bascule comprend une structure bistable (BIS) alimentée en continu intégrant les moyens de rétention ainsi qu'une partie des moyens de stockage, ladite structure bistable (BIS) comprenant un unique commutateur d'isolation (INT4) connecté sur ladite chaîne d'inverseurs (CH) et commandé par un signal logique de veille (VE) représentatif du mode actif ou inactif.

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