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    TRANSISTOR A CANAL A BASE DE GERMANIUM ENROBE PAR UNE ELECTRODE DE GRILLE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL TRANSISTOR
    22.
    发明专利
    TRANSISTOR A CANAL A BASE DE GERMANIUM ENROBE PAR UNE ELECTRODE DE GRILLE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL TRANSISTOR 未知

    公开(公告)号：FR2886761A1

    公开(公告)日：2006-12-08

    申请号：FR0505700

    申请日：2005-06-06

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MORAND YVES ,  POIROUX THIERRY ,  VINET MAUD

    IPC: H01L21/8238

    Abstract: Des électrodes de source (3) et de drain (4) sont constituées chacune par une alternance de premières (5) et secondes (6) couches en composé de germanium et silicium. Les premières couches (5) ont une concentration de germanium comprise entre 0% et 10% et les secondes couches (6) ont une concentration de germanium comprise entre 10% et 50%. Au moins un canal (1) relie deux secondes couches (6a, 6b) respectivement des électrodes de source (3) et de drain (4). Le procédé comporte la gravure de zones de source et de drain, reliées par une zone étroite, dans un empilement de couches (5, 6). Puis une oxydation thermique superficielle dudit empilement est effectuée de manière à oxyder le silicium du composé de germanium et silicium ayant une concentration de germanium comprise entre 10% et 50% et de manière à condenser le germanium Ge. Le silicium oxydé de la zone étroite est éliminé et un diélectrique (7) de grille et une grille (2) sont déposés sur le germanium condensé de la zone étroite.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR
    26.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR 未知

    公开(公告)号：FR3002079A1

    公开(公告)日：2014-08-15

    申请号：FR1351140

    申请日：2013-02-11

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： NIEBOJEWSKI HEIMANU ,  MORAND YVES ,  VINET MAUD

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/772

    Abstract: La présente invention a notamment pour objet un procédé de fabrication d'un transistor comprenant la formation d'un empilement de couches de type semi-conducteur-sur-isolant comportant au moins un substrat (112), surmonté d'une première couche isolante (114) et d'une couche active destinée à former un canal (180) pour le transistor, le procédé comprenant en outre la formation d'un empilement de grille sur la couche active et la réalisation d'une source et d'un drain, caractérisé en ce que la réalisation de la source et du drain comprend au moins les étapes suivantes: la formation de part et d'autre de l'empilement de grille de cavités (440) par au moins une étape de gravure de la couche active, de la première couche isolante (114) et d'une partie du substrat (112) sélectivement à l'empilement de grille de manière à retirer la couche active, la première couche isolante (114) et une portion du substrat (112) en dehors de zones situées en dessous de l'empilement de grille, la formation d'une deuxième couche isolante (118) comprenant la formation d'un film isolant sur les surfaces mises à nu du substrat (112), de manière à former avec la première couche isolante (114) une couche isolante (118) ; la mise à nu des extrémités latérales du canal (180); le remplissage des cavités (440) par épitaxie pour former la source et le drain.

    27.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602007000579D1

    公开(公告)日：2009-04-09

    申请号：DE602007000579

    申请日：2007-06-08

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： DAMLENCOURT JEAN-FRANCOIS ,  MORAND YVES ,  CLAVELIER LAURENT

    IPC: H01L21/321 ,  H01L21/308 ,  H01L21/84

    Abstract: Silicon-germanium based semi-conductor layer is formed on several silicon based semi-conductor zones (431a,431b,433a,433b,434) with different thicknesses resting on substrate (100). The silicon-germanium based semi-conductor layer is oxidized, to obtain microelectronic device. The microelectronic device contains several silicon-germanium based semi-conductor zones having different respective germanium contents. Silicon-germanium (Si 1-xGe x, where x is greater than 0 and less than 1, and y is greater than x) based semi-conductor layer is formed on silicon based semi-conductor zones with different thicknesses resting on substrate. The silicon-germanium based semi-conductor layer is oxidized, to obtain microelectronic device. The microelectronic device contains silicon-germanium based semi-conductor zones having different respective germanium contents. A mask (408) containing insulating material such as silica is formed in the form of bevel on the silicon-based layer.

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