公开(公告)号：FR2855681A1

公开(公告)日：2004-12-03

申请号：FR0306341

申请日：2003-05-26

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： KAISER ANDREAS ,  COLLARD DOMINIQUE ,  GALAYKO DIMITRI

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/46

公开(公告)号：FR2839964A1

公开(公告)日：2003-11-28

申请号：FR0206388

申请日：2002-05-24

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： COLLARD DOMINIQUE JULES VICTOR ,  KAISER ANDREAS ,  QUEVY EMMANUEL PHILIPPE ,  BUCHAILLOT LIONEL

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24 ,  B81B5/00

Abstract: Production of microsystem structure with lateral gaps comprises: (a) depositing first sacrificial layer on substrate; (b) forming structural element on sacrificial layer, to form mobile add-on structure with 2 degrees of freedom; (c) covering free surface of structural element with second sacrificial layer of thickness (e=dg) equal to linear dimension of gap; and (d) covering first sacrificial layer with layer of material to form another add-on structure. The production of a microsystem structure with lateral gaps consists of: (a) depositing a first sacrificial layer (CS1) on a substrate (S); (b) forming a structural element (SE) on this sacrificial layer, to form a mobile add-on structure with two degrees of freedom (YY, XX); (c) covering the free surface of the structural element with a second sacrificial layer (CS2) of a thickness (e=dg) equal to the linear dimension of the gap; (d) covering the first sacrificial layer with a layer of material (SM) to form another add-on structure; (e) etching the second sacrificial layer and subsequently the first sacrificial layer to prevent, at least partially, any contact between the structural element in the direction of the first and second degrees of freedom and any other add-on structure and the substrate to produce lateral gaps having a width essentially equal to the thickness of the second sacrificial layer. Independent claims are also included for: (a) a microsystem structure incorporating add-on structures, one of which is mobile with two degrees of freedom, on a substrate by this method; (b) a vibrating beam microresonator incorporating such a microsystem structure; (c) a Lame mode microresonator incorporating such a microsystem structure.

公开(公告)号：FR2995475A1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：FR1258572

申请日：2012-09-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SHERRY ANI ,  KAISER ANDREAS ,  PFEIFFER ULLRICH ,  CATHELIN ANDREIA ,  GRZYB JANUSZ ,  ZHAO YAN

IPC: H03B1/04

Abstract: L'invention concerne un oscillateur comprenant : un oscillateur en anneau (500) comportant N inverseurs (502-506) couplés en série, N étant un entier impair égal à trois ou plus ; un premier filtre (520, 524, 526) couplé entre un noeud de sortie d'un premier des inverseurs et une ligne de sortie de l'oscillateur ; et un deuxième filtre (520, 524, 526) couplé entre un noeud de sortie d'un deuxième des inverseurs et la ligne de sortie de l'oscillateur.

公开(公告)号：FR2995449A1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：FR1258573

申请日：2012-09-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： SHERRY HANI ,  CATHELIN ANDREIA ,  KAISER ANDREAS ,  PFEIFFER ULLRICH ,  GRZYB JANUSZ ,  ZHAO YAN

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: La présente invention concerne un imageur térahertz, comprenant : un réseau de circuits de pixels, chaque circuit de pixel comportant une antenne (202) et un détecteur (204), le détecteur étant couplé à des bornes de sortie différentielles (209, 211) de l'antenne ; et un oscillateur (232) agencé pour générer un signal de fréquence (f ) sur une ligne de sortie (116), la ligne de sortie étant couplée à une borne d'entrée (234) de l'antenne d'au moins l'un des circuits de pixels.