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公开(公告)号:WO2015068400A1
公开(公告)日:2015-05-14
申请号:PCT/JP2014/005610
申请日:2014-11-07
Applicant: 住友精密工業株式会社
CPC classification number: B81C1/00492 , B81B3/0086 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/00404 , B81C1/00603 , B81C2201/0102 , B81C2201/0132 , B81C2201/0198 , G02B26/0841
Abstract: ミラーデバイス100は、枠体3と、枠体3に対して所定のY軸回りに傾動するミラー2と、Y軸に沿った配列方向に配列された複数の電極指63を有し、枠体3に設けられた内側固定櫛歯電極61と、前記配列方向に配列され、内側固定櫛歯電極61の電極指63と交互に配置される複数の電極指64を有し、ミラー2に設けられた内側可動櫛歯電極62とを備えている。ミラー2は、ミラー本体21と、ミラー本体21から延びる延長部65とを有している。内側可動櫛歯電極62の電極指64の一部は、ミラー本体21に設けられ、内側可動櫛歯電極62の電極指64の別の一部は、延長部65に設けられている。
Abstract translation: 一种镜装置(100),包括:框架(3); 围绕规定的轴线(Y)相对于框架(3)倾斜的反射镜(2); 设置在所述框架(3)中并具有沿着所述Y轴布置的方向布置的多个电极指(63)的内部固定叉指电极(61) 以及设置在所述反射镜(2)中并且具有沿着所述布置方向布置并且与所述电极指(63)交替布置在所述内部固定叉指式电极(61)中的多个电极指(64)的内部可动指状电极(62) )。 镜子(2)具有镜主体(21)和从镜主体(21)延伸的延伸部分(65)。 内侧可移动叉指式电极(62)中的一些电极指(64)设置在镜主体(21)上,内部可移动叉指式电极(62)中的一些其它电极指(64)设置在延伸部 (65)。
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公开(公告)号:WO2015068399A1
公开(公告)日:2015-05-14
申请号:PCT/JP2014/005609
申请日:2014-11-07
Applicant: 住友精密工業株式会社
IPC: G02B26/08 , B81C1/00 , H01L21/3065
CPC classification number: B81C1/00492 , B81B3/0086 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/00404 , B81C1/00603 , B81C2201/0102 , B81C2201/0132 , B81C2201/0198 , G02B26/0841
Abstract: SOI基板200を第1シリコン層210側からエッチングする第1エッチング工程では、第1構造体のうち第1シリコン層210で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のプレ構造として形成する。SOI基板200の第2シリコン層230側に最終マスク390を形成するマスク形成工程では、第1構造体の最終形状に対応した第1マスク391をプレ構造内に形成する。SOI基板200を第2シリコン層230側からエッチングする第2エッチング工程では、第1マスク391を利用して、第2シリコン層230及びプレ構造をエッチングすることによって第1構造体の最終形状を形成する。
Abstract translation: 公开了一种电子部件制造方法,其中,在从第一硅层(210)侧蚀刻SOI衬底(200)的第一蚀刻步骤中,形成由第一硅层(210)构成的第一结构体部分 预制结构具有比最终形状更大的形状。 在用于在SOI衬底(200)的第二硅层(230)侧上形成最终掩模(390)的掩模形成步骤中,形成与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391) 预结构。 在用于从第二硅层(230)侧蚀刻SOI衬底(200)的第二蚀刻步骤中,通过用第一硅层(230)蚀刻第二硅层(230)和预构造来形成第一结构体的最终形状 面具(391)。
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23.PROCEDE DE FABRICATION D'UN MOTIF METALLIQUE NANOSTRUCTURE ET MOTIF METALLIQUE 审中-公开
Title translation: 用于生产纳米结构金属图案和金属图案的方法公开(公告)号:WO2016087551A1
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:PCT/EP2015/078427
申请日:2015-12-02
Inventor: BARDEAU, Jean-François , DELORME, Nicolas , EDELY, Mathieu
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0085 , B81C2201/0101 , B81C2201/0102
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un motif métallique nanostructuré sur un support, le procédé comportant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche de polymère (2) à la surface d'un substrat (101); - formation par indentation (5) d'un motif initial dans la couche de polymère (2) de façon à former une couche de polymère nanostructurée; - dépôt d'une couche métallique (6) sur la couche de polymère nanostructurée; - dépôt d'une couche de colle (8) sur la couche métallique; - application d'un support (9) sur la couche de colle; - séparation du support solidarisé à la couche métallique et de la couche de polymère.
Abstract translation: 本发明涉及一种在载体上制备纳米结构金属图案的方法,该方法包括以下步骤:在基底(101)的表面上沉积聚合物层(2); 通过压痕(5)形成聚合物层(2)中的初始图案,以形成纳米结构聚合物层; 在纳米结构聚合物层上沉积金属层(6); 在金属层上沉积一层粘合剂(8); 将载体(9)放置在粘合剂层上; 并分离固定在金属层上的聚合物层和载体。
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公开(公告)号:WO2015152244A1
公开(公告)日:2015-10-08
申请号:PCT/JP2015/060135
申请日:2015-03-31
Applicant: 三菱電機株式会社
CPC classification number: B81C1/00674 , B81B3/0075 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81B2207/99 , B81C1/00666 , B81C2201/0102 , B81C2201/0111 , B81C2201/0143 , B81C2201/0161 , B81C2201/053 , G01F1/6845 , G01F1/692
Abstract: 第1の主面(2A)と、第1の主面(2A)と反対側に位置する第2の主面(2B)とを有し、第2の主面(2B)側にキャビティ構造(9,10)が形成されている半導体基材(2)と、キャビティ構造(9,10)が形成されている領域において、第1の主面(2A)側に形成されている検出素子とを備え、半導体基材(2)の第2の主面(2B)は凹凸形状部(12)を含み、凹凸形状部(12)の凸部先端は曲面形状を有している。
Abstract translation: 该传感器元件设置有:具有第一主表面(2A)和位于第一主表面(2A)的相反侧的第二主表面(2B)的半导体基体材料(2),并且具有 形成在第二主表面(2B)侧的腔结构(9,10) 以及形成在形成有所述空腔结构(9,10)的区域中的所述第一主表面(2A)侧的检测元件。 半导体基材(2)的第二主表面(2B)包括粗糙部分(12),并且凹凸部分(12)的突出部分的前端具有曲面形状。
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公开(公告)号:JP6412878B2
公开(公告)日:2018-10-24
申请号:JP2015546302
申请日:2014-11-07
Applicant: 住友精密工業株式会社
CPC classification number: B81C1/00492 , B81B3/0086 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/00404 , B81C1/00603 , B81C2201/0102 , B81C2201/0132 , B81C2201/0198 , G02B26/0841
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公开(公告)号:JPWO2015068400A1
公开(公告)日:2017-03-09
申请号:JP2015546303
申请日:2014-11-07
Applicant: 住友精密工業株式会社
CPC classification number: B81C1/00492 , B81B3/0086 , B81B2201/042 , B81B2203/0136 , B81C1/00404 , B81C1/00603 , B81C2201/0102 , B81C2201/0132 , B81C2201/0198 , G02B26/08 , G02B26/0841
Abstract: ミラーデバイス100は、枠体3と、枠体3に対して所定のY軸回りに傾動するミラー2と、Y軸に沿った配列方向に配列された複数の電極指63を有し、枠体3に設けられた内側固定櫛歯電極61と、前記配列方向に配列され、内側固定櫛歯電極61の電極指63と交互に配置される複数の電極指64を有し、ミラー2に設けられた内側可動櫛歯電極62とを備えている。ミラー2は、ミラー本体21と、ミラー本体21から延びる延長部65とを有している。内側可動櫛歯電極62の電極指64の一部は、ミラー本体21に設けられ、内側可動櫛歯電極62の電極指64の別の一部は、延長部65に設けられている。
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