半導体装置
    21.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号:WO2015068400A1

    公开(公告)日:2015-05-14

    申请号:PCT/JP2014/005610

    申请日:2014-11-07

    Abstract:  ミラーデバイス100は、枠体3と、枠体3に対して所定のY軸回りに傾動するミラー2と、Y軸に沿った配列方向に配列された複数の電極指63を有し、枠体3に設けられた内側固定櫛歯電極61と、前記配列方向に配列され、内側固定櫛歯電極61の電極指63と交互に配置される複数の電極指64を有し、ミラー2に設けられた内側可動櫛歯電極62とを備えている。ミラー2は、ミラー本体21と、ミラー本体21から延びる延長部65とを有している。内側可動櫛歯電極62の電極指64の一部は、ミラー本体21に設けられ、内側可動櫛歯電極62の電極指64の別の一部は、延長部65に設けられている。

    Abstract translation: 一种镜装置(100),包括:框架(3); 围绕规定的轴线(Y)相对于框架(3)倾斜的反射镜(2); 设置在所述框架(3)中并具有沿着所述Y轴布置的方向布置的多个电极指(63)的内部固定叉指电极(61) 以及设置在所述反射镜(2)中并且具有沿着所述布置方向布置并且与所述电极指(63)交替布置在所述内部固定叉指式电极(61)中的多个电极指(64)的内部可动指状电极(62) )。 镜子(2)具有镜主体(21)和从镜主体(21)延伸的延伸部分(65)。 内侧可移动叉指式电极(62)中的一些电极指(64)设置在镜主体(21)上,内部可移动叉指式电极(62)中的一些其它电极指(64)设置在延伸部 (65)。

    電子部品の製造方法
    22.
    发明申请
    電子部品の製造方法 审中-公开
    电子元件制造方法

    公开(公告)号:WO2015068399A1

    公开(公告)日:2015-05-14

    申请号:PCT/JP2014/005609

    申请日:2014-11-07

    Abstract:  SOI基板200を第1シリコン層210側からエッチングする第1エッチング工程では、第1構造体のうち第1シリコン層210で構成される部分を最終形状よりも大きな形状のプレ構造として形成する。SOI基板200の第2シリコン層230側に最終マスク390を形成するマスク形成工程では、第1構造体の最終形状に対応した第1マスク391をプレ構造内に形成する。SOI基板200を第2シリコン層230側からエッチングする第2エッチング工程では、第1マスク391を利用して、第2シリコン層230及びプレ構造をエッチングすることによって第1構造体の最終形状を形成する。

    Abstract translation: 公开了一种电子部件制造方法,其中,在从第一硅层(210)侧蚀刻SOI衬底(200)的第一蚀刻步骤中,形成由第一硅层(210)构成的第一结构体部分 预制结构具有比最终形状更大的形状。 在用于在SOI衬底(200)的第二硅层(230)侧上形成最终掩模(390)的掩模形成步骤中,形成与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391) 预结构。 在用于从第二硅层(230)侧蚀刻SOI衬底(200)的第二蚀刻步骤中,通过用第一硅层(230)蚀刻第二硅层(230)和预构造来形成第一结构体的最终形状 面具(391)。

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN MOTIF METALLIQUE NANOSTRUCTURE ET MOTIF METALLIQUE
    23.
    发明申请
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN MOTIF METALLIQUE NANOSTRUCTURE ET MOTIF METALLIQUE 审中-公开
    用于生产纳米结构金属图案和金属图案的方法

    公开(公告)号:WO2016087551A1

    公开(公告)日:2016-06-09

    申请号:PCT/EP2015/078427

    申请日:2015-12-02

    CPC classification number: B81C99/0085 B81C2201/0101 B81C2201/0102

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un motif métallique nanostructuré sur un support, le procédé comportant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche de polymère (2) à la surface d'un substrat (101); - formation par indentation (5) d'un motif initial dans la couche de polymère (2) de façon à former une couche de polymère nanostructurée; - dépôt d'une couche métallique (6) sur la couche de polymère nanostructurée; - dépôt d'une couche de colle (8) sur la couche métallique; - application d'un support (9) sur la couche de colle; - séparation du support solidarisé à la couche métallique et de la couche de polymère.

    Abstract translation: 本发明涉及一种在载体上制备纳米结构金属图案的方法,该方法包括以下步骤:在基底(101)的表面上沉积聚合物层(2); 通过压痕(5)形成聚合物层(2)中的初始图案,以形成纳米结构聚合物层; 在纳米结构聚合物层上沉积金属层(6); 在金属层上沉积一层粘合剂(8); 将载体(9)放置在粘合剂层上; 并分离固定在金属层上的聚合物层和载体。

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