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公开(公告)号：CN104798154B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380060719.8
申请日：2013-09-20
Applicant: 维斯普瑞公司
IPC: H01G5/16
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0008 , B81B3/0016 , B81B3/0051 , B81B2201/0221 , B81C1/00166 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , H01G5/18 , H01G7/00
Abstract: 用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括：定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。
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公开(公告)号：CN106276776A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510244071.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , B81C2201/0108 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , G01J5/20
Abstract: 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一膜体和第二膜体的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二膜体不需要制作悬臂梁，所以第二膜体可以制作得比第一膜体大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。
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公开(公告)号：CN102906871B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180025549.0
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。
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公开(公告)号：CN103096235B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310020998.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 思睿逻辑国际半导体有限公司
IPC: H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种制备微机电系统麦克风的方法，该方法包括下列步骤：沉积第一和第二电极；沉积膜，该膜机械耦合到所述第一电极；以及沉积背板，所述背板机械耦合到所述第二电极；其中所述沉积第二电极的步骤包括在所述第二电极中形成预定图案的步骤，并且其中所述预定图案包括一个或多个开口，所述开口对应于在所述背板中形成的一个或多个开口，并且在所述第二电极中的至少一个所述开口大于所述背板中的对应开口。
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公开(公告)号：CN102295265B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110174587.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。
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公开(公告)号：CN102295264B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110174027.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迪恩.当 , 泰.多恩 , 杰弗里.C.马林 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。
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公开(公告)号：CN102906008A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025545.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。
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公开(公告)号：CN102556936A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110443674.5
申请日：2011-12-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R23/00 , B81B2201/0257 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81C1/00047 , B81C1/00936 , B81C2201/0109 , G01L9/0042 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 实施例示出了用于制造腔结构、半导体结构、用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器。在一些实施例中，用于制造腔结构的方法包括：提供第一层；在第一层上沉积碳层；使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔；借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。
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公开(公告)号：CN101583559B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200780049406.7
申请日：2007-11-09
Applicant: 新加坡科技研究局
Inventor： 苏迪兰赞·特里帕斯 , 维克纳什·s/o·莎姆伽纳赞
CPC classification number: B81C1/00484 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2201/017
Abstract: 本发明提供了一种微机械结构和制造微机械结构的方法。该微机械结构包括硅(Si)基衬底；直接在该衬底上形成的微机械元件；和在该微机械元件的释放部下方形成的底切部；其中该底切部的形式为在硅基衬底中形成的凹口。
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公开(公告)号：CN102046516A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120517.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 詹姆斯·兰道夫·韦伯斯特 , 坦·义·涂 , 颜小明 , 张万宿
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0008 , B81B2201/042 , B81C2201/0107 , B81C2201/0109 , B81C2201/115 , G02B26/001 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供制造机电系统装置的方法，其减轻所述装置的可移动组件的永久粘合或静摩擦。所述方法提供具有改进的且可再生的表面粗糙度的非晶硅牺牲层。所述非晶硅牺牲层进一步展现对机电系统装置中使用的常见材料的极好粘合。
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