公开(公告)号：CN1642855B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN03806359.X

申请日：2003-03-06

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 霍尔格·斯兹拉特 ,  弗里茨·施韦特费格 ,  贝恩德·哈克 ,  马库斯·舍费尔

IPC: C01B33/18 ,  C03C3/04 ,  C03C3/06 ,  C03B37/014 ,  C03B37/018 ,  B01J19/26 ,  B01J19/08

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01B33/183 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/32 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C03B19/1025 ,  C03B2201/03 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/08 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/42 ,  C03B2207/46 ,  C03C3/06 ,  C03C12/00 ,  C03C2201/02 ,  C03C2203/44

Abstract: 本发明涉及一种杂质的总量低于500ppb的硅石粉末。

公开(公告)号：CN100429539C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN03156322.8

申请日：2003-09-01

Applicant: OFS飞泰尔公司

Inventor： 罗伯特M·阿特肯丝 ,  阿里丝W·刘 ,  保罗克里斯滕森 ,  莫滕O·皮德森 ,  斯蒂戈N·那森 ,  简L·尼尔森 ,  加科布让梅志 ,  凯H·张

IPC: G02B6/02 ,  H04B10/12 ,  C03B37/014

CPC classification number: C03C13/045 ,  C03B37/014 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/07 ,  G02B6/02

Abstract: 本发明涉及光纤，尤其是涉及制造具有低E-波段和L-波段损耗波峰的光纤的方法，以及用该方法制造的纤维。申请人已经发现在使用E-波段和L-波段波长的光纤传输系统中损耗波峰的存在。特别是，它们已经发现了1440nm，1583nm，和1614nm的狭窄损耗波峰的存在。由于波峰相对来说比较狭窄，所以在长途传输系统中很难由普通的增益均衡器除去，并且，即使波峰相对来说比较小，但是它们能引起在放大的DWDM传输系统中传输信道信号失落。申请人进一步发现这些损耗波峰都是由于传输纤维的碳污染引起的。因此，光纤的制造应该从根本上防止碳污染。这意味着在雏形杆和管的制造过程中要消除含碳试剂。

公开(公告)号：CN1835894A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023525.1

申请日：2004-08-19

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： 弗里茨·施韦特费格

IPC: C03B20/00 ,  C03B19/06 ,  B28B1/26 ,  C04B35/14

CPC classification number: B01J21/08 ,  B28B1/26 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03C3/06 ,  C04B35/14 ,  C04B2235/6022 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明涉及非晶多孔的开孔SiO2成型体，其特征在于，该SiO2成型体由两层组成，这些层具有相同结构和组成。

公开(公告)号：CN1269749C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200410038459.7

申请日：2004-04-28

Applicant: 瓦克化学有限公司

Inventor： 弗里茨·施韦特费格 ,  霍尔格·西拉特 ,  扬·塔贝利翁 ,  罗尔夫-克劳斯·克拉森

IPC: C03B19/12 ,  C03B19/06 ,  C03C3/04

CPC classification number: C25D1/14 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C30B35/002

Abstract: 一种制造具有接近正确的最终尺寸及轮廓的均匀成型SiO2坯体的方法，其中无定形SiO2粒子从水性分散液中电泳沉积在不导电的膜上，该无定形SiO2粒子包括相对大的无定形SiO2粒子与相对小的无定形SiO2粒子，该膜的形状与构型对应于待制造的SiO2成型坯体，其中所述膜的平均孔隙大小大于较小的无定形SiO2粒子的平均粒度。

公开(公告)号：CN1541194A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN02813049.9

申请日：2002-06-27

Applicant: 株式会社渡边商行 ,  旭电化工业株式会社

Inventor： 楠原昌树 ,  渡部弘行 ,  上原启史 ,  三瓶桂子 ,  栗田有康 ,  多田修一 ,  尾见仁一 ,  高桥真木雄 ,  森田博

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00 ,  C01B33/158

CPC classification number: C03B19/1065 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/23 ,  C03C1/026 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02

Abstract: 本发明是以碱金属硅酸盐为来源、总金属杂质量为1μg/g或以下的高纯度合成石英玻璃粒子，是特别具有氧缺乏缺陷的高纯度合成石英玻璃粒子。它象天然石英那样具有高粘性，且象现有的合成石英那样为高纯度，而且成本低。

公开(公告)号：CN1387499A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN00815425.2

申请日：2000-09-08

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： L·H·科塔斯卡 ,  R·S·小帕夫利克

IPC: C03B37/018 ,  C03B37/01

CPC classification number: C04B35/10 ,  C03B19/1407 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/50 ,  F27B9/26 ,  F27B17/00 ,  F27D1/0006 ,  F27D1/0043 ,  F27D3/0033

Abstract: 提供较纯的二氧化硅制品,制造这种制品的窑炉(50)和方法。通过在耐火材料窑炉(50)中收集熔融二氧化硅颗粒来制造这种制品,在窑炉中,至少有一部分耐火材料(32)曾受过含卤素气体的处理,该含卤素气体与耐火材料(32)中的污染金属离子进行了反应。

公开(公告)号：CN104271519B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201380018310.X

申请日：2013-03-20

Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司

Inventor： W.莱曼 ,  T.凯泽尔

IPC: C03B19/10 ,  C03B20/00 ,  C03B19/09

CPC classification number: C03B20/00 ,  C03B19/095 ,  C03B19/1005 ,  C03B19/107 ,  C03B19/1095 ,  C03B2201/02 ,  C03B2201/03 ,  C03C23/0075

Abstract: 石英玻璃晶粒的制造包括：使热解制造的硅酸粒化以及形成SiO2颗粒（9）、通过在含卤素的气氛中加热来干燥并且净化SiO2‑颗粒（9）以及在处理气体中使SiO2‑颗粒玻化，该处理气体包含至少30%体积百分比的氦气和/或氢气。该过程是耗时和高成本的。为了说明从多孔的SiO2颗粒（9）出发使得能够廉价地制造适于熔化由石英玻璃制成的无气泡的部件的、紧密的合成石英玻璃晶粒的方法，按本发明提出，分别在转筒烘箱（1）的围绕中轴线（7）旋转的转筒（6）中进行SiO2颗粒（9）的净化和玻化以及玻化的石英玻璃晶粒的后处理，其中转筒（6）在玻化时具有由陶瓷材料制成的内壁，并且其中玻化的石英玻璃晶粒在包含少于20%的氦气或氢气的气氛中在300℃或更高的操作温度中并且在至少10分钟的操作持续时间中经历后处理。

公开(公告)号：CN102985378B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180033912.3

申请日：2011-07-08

Applicant: 贺利氏石英英国有限公司

Inventor： R·B·寇派斯 ,  A·芒迪 ,  I·G·塞斯

IPC: C03B19/14

CPC classification number: C03B19/1492 ,  C03B19/1438 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1484 ,  C03B2201/03 ,  C03B2201/04 ,  C03B2201/20 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03B2207/34 ,  C03B2207/52 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/23 ,  Y02P40/57 ,  Y10T428/131

Abstract: 本文揭示了透明的合成玻璃质二氧化硅玻璃的空心锭，该空心锭的外径大于400毫米且内径大于300毫米。所述锭基本不含直径大于100微米的气泡和内含物，其任何单独的金属杂质的含量不超过100ppB，并且其含有的氯浓度小于5ppM。本文还揭示了制造此类锭的方法，在该方法中将密度大于0.4克/厘米3的多孔烟炱体沉积在耐氧化的心轴上。在真空条件下或在存在还原性气体的条件下在包含以下物质的心轴上使所述烟炱体脱水，所述物质包括石墨、碳纤维增强的碳、碳化硅、硅浸渍的碳化硅、碳化硅涂覆的石墨或玻璃质二氧化硅，然后在真空条件下或在氦气的气氛中烧结成透明的无孔玻璃。

公开(公告)号：CN106029586A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009038.8

申请日：2015-02-16

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 平井聪里 ,  山田修辅 ,  新井一喜

IPC: C03B20/00 ,  C03C11/00

CPC classification number: C03C11/00 ,  C03B19/066 ,  C03B19/08 ,  C03B2201/03 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/80 ,  C03C2204/06

Abstract: 提供没有吸水性、且红外光的遮光性优异的不透明石英玻璃和其制造方法。本发明的不透明石英玻璃中，将微细的非晶态二氧化硅粉末和造孔剂混合后进行成型，在规定的温度下进行加热，从而所含气孔为闭孔，并且气孔的平均直径为5～20μm，气孔的含有密度高，由此变为热阻断性优异的不透明石英玻璃。

公开(公告)号：CN103649383B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380001605.6

申请日：2013-01-22

Applicant: 信越石英株式会社

Inventor： 山形茂

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C03B2201/03 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其特征在于，前述二氧化硅容器的外侧是由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成，前述二氧化硅容器的内侧是由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成；于前述底部的内表面，形成厚度20μm以上且1000μm以下的二氧化硅玻璃层，所述二氧化硅玻璃层以超过300质量ppm且3000质量ppm以下的浓度含有OH基。由此，本发明提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减低所提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。