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公开(公告)号:CN104969103A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201280072086.8
申请日:2012-04-30
Inventor: 梁迪
CPC classification number: G02F1/2257 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12142 , G02B2006/12145 , G02B2006/12159 , G02F1/025 , G02F2001/0153 , G02F2001/212 , G02F2001/213 , G02F2201/063 , G02F2202/102 , G02F2202/105 , G02B6/12
Abstract: 混杂MOS光调制器。该光调制器包括光波导、包含第一材料并且在该光波导中形成的阴极、以及包含不同于第一材料的第二材料并且在该光波导中形成的阳极,该阳极邻接于阴极,在该阳极和该阴极之间限定电容器。
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公开(公告)号:CN102741720B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201080057343.1
申请日:2010-11-12
Applicant: 科途嘉光电公司
IPC: G02B6/10
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2001/0157 , G02F2201/063 , G02F2201/122
Abstract: 光学器件包括在基底上的波导。器件还包括在基底上的调制器。调制器包括配置成从波导接收光信号的电吸收介质。调制器还包括用于在电吸收介质中生成电场的场源。电吸收介质是其中响应于电场在电吸收介质中形成而出现弗朗兹-凯尔迪什效应的介质。场源被配置为使得电场基本上平行于基底。
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公开(公告)号:CN104321849A
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201380027000.4
申请日:2013-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括:形成n型层,所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部;在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层;在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区;去除所述第一掩蔽层;在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层;以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
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公开(公告)号:CN101952755B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN200980106226.7
申请日:2009-02-27
Applicant: 株式会社藤仓
CPC classification number: G02B6/12007 , G02B6/02085 , G02B6/122 , G02B6/124 , G02B6/29394 , G02B2006/02166 , G02F2001/0151 , G02F2201/063 , G02F2201/307
Abstract: 设定一种基板型光波导元件,其中,光波导的芯具备:内侧芯,具有形成肋结构的凸部;和外侧芯,设置于该内侧芯之上并覆盖上述凸部的周面,外侧芯的折射率低于内侧芯的平均折射率。对于该基板型光波导元件的构造,芯也可以使用硅(Si)和氮化硅(SixNy)等的具有比硅玻璃系材料高的折射率的材料。
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公开(公告)号:CN103513331A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310258082.5
申请日:2013-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/066 , G02F2202/105
Abstract: 本发明提供一种光学集成电路,该光学集成电路可包括包含单晶半导体材料的基板、在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的无源元件、以及在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的有源元件。
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公开(公告)号:CN103091774A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201210452593.6
申请日:2012-11-13
Applicant: 东北大学秦皇岛分校
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/1225 , G02B6/136 , G02B2006/121 , G02F2201/063
Abstract: 本发明涉及一种悬空式铌酸锂光波导,选取铌酸锂样品作为基材按以下面步骤操作,首先,使用能量为1兆电子伏(MeV)的氦离子(He+)束轰击铌酸锂样品,在样品表面下方一定区域内形成晶格损伤,形成晶格损伤的部分具有小于没有损伤的部分的折射率,将光束限制在波导区域中传播。第二步使用聚焦离子束刻蚀的方法在样品表面刻蚀出圆形或矩形的孔洞,混合的酸溶液可以通过这些孔洞接触到具有晶格损伤的部分并进一步把这些部分腐蚀掉,从而形成空气隔层,悬空的波导结构便在铌酸锂样品的表面形成了。本发明铌酸锂光波导对在其中传播的光信号有非常好的限制作用,具有极低的传输损耗,可以被广泛应用于电子、光学、和调制类器件。
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公开(公告)号:CN101384932A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200780005708.4
申请日:2007-02-16
Applicant: 三美电机株式会社
CPC classification number: G02F1/0955 , G02F2001/212 , G02F2201/063
Abstract: 一种波导型光隔离器,具有基板、波导层、磁性石榴石、磁场施加机构、封装基板,并在上述波导层上形成有波导,其中,磁场施加机构具有第1磁铁以及第2磁铁,该第1磁铁以及上述第2磁铁被收容并固定在磁铁架上。
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公开(公告)号:CN104321849B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201380027000.4
申请日:2013-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G02B6/1347 , G02B6/12 , G02B2006/12061 , G02F1/025 , G02F2201/063 , G02F2201/15 , G02F2202/06 , G02F2202/105
Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括:形成n型层,所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部;在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层;在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区;去除所述第一掩蔽层;在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层;以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
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公开(公告)号:CN104849803A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201510084731.3
申请日:2015-02-16
Applicant: 株式会社藤仓
Inventor: 冈彻
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/0048 , G02B6/2773 , G02B2006/12147 , G02F1/3133 , G02F2201/063 , G02F2202/105 , G02F2203/06
Abstract: 本发明提供一种基板型波导元件以及光调制器。通过使第一芯的至少一部分的区间中的剖面为由四边形的主要部分、和从该主要部分突出的四边形的突出部构成的阶梯形状,使第一芯和第二芯中的TE偏振波的有效折射率不同。
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公开(公告)号:CN104685408A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201380036800.2
申请日:2013-02-28
Applicant: 科途嘉光电公司
IPC: G02F1/035
CPC classification number: H01L31/105 , G02F1/0147 , G02F1/025 , G02F1/0305 , G02F1/225 , G02F2201/063 , G02F2201/501
Abstract: 该学装置包括在基底上的有源部件。有源部件为光传感器和/或光调制器。有源部件包括有源介质,有源介质包括脊和平板区域。脊从基底向上延伸并且定位于平板区域之间。脊限定在基底上的波导的一部分。一个或多个隔离沟槽各自延伸到有源介质的平板区域并且至少部分地与有源介质的脊间隔开。
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