双层交叉式P-N二极管调制器

    公开(公告)号:CN104321849A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201380027000.4

    申请日:2013-04-16

    Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括:形成n型层,所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部;在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层;在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区;去除所述第一掩蔽层;在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层;以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。

    悬空式铌酸锂光波导
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103091774A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201210452593.6

    申请日:2012-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种悬空式铌酸锂光波导,选取铌酸锂样品作为基材按以下面步骤操作,首先,使用能量为1兆电子伏(MeV)的氦离子(He+)束轰击铌酸锂样品,在样品表面下方一定区域内形成晶格损伤,形成晶格损伤的部分具有小于没有损伤的部分的折射率,将光束限制在波导区域中传播。第二步使用聚焦离子束刻蚀的方法在样品表面刻蚀出圆形或矩形的孔洞,混合的酸溶液可以通过这些孔洞接触到具有晶格损伤的部分并进一步把这些部分腐蚀掉,从而形成空气隔层,悬空的波导结构便在铌酸锂样品的表面形成了。本发明铌酸锂光波导对在其中传播的光信号有非常好的限制作用,具有极低的传输损耗,可以被广泛应用于电子、光学、和调制类器件。

    双层交叉式P-N二极管调制器

    公开(公告)号:CN104321849B

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201380027000.4

    申请日:2013-04-16

    Abstract: 一种用于制造光调制器的方法包括:形成n型层,所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部;在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层;在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区;去除所述第一掩蔽层;在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层;以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。

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