公开(公告)号：CN1639821A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02829338.X

申请日：2002-07-18

Applicant: (由空军部长代表的)美利坚合众国

Inventor： D·A·小施弗勒

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J23/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446

Abstract: 一种在真空管中使用的场发射冷阴极(11)。碳丝绒材料(25)由垂直于基体材料嵌入的高纵横比的碳纤维组成。碳丝绒材料(25)的尖端和/或杆部上涂覆有低功函铯盐。碳丝绒材料(25)的基体材料被结合到阴极表面(27)。冷阴极(11)当施加电场时发射电子，即使在小于900℃的操作温度下。

公开(公告)号：CN1095182C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN96191006.2

申请日：1996-07-19

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 中村修 ,  铃木滋生

IPC: H01J1/30 ,  H01J61/78 ,  H01J61/067 ,  H01J17/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G02F1/1336 ,  H01J1/30 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/305 ,  H01J61/32 ,  H01J61/70 ,  H01J61/72 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2217/49271 ,  H01J2329/00

Abstract: 用气相淀积(由电阻加热或用电子束实现)或溅射方法在由Ni-Cr合金(INCONEL 601)制成的基板33上制作一个厚度范围为1000-约3000的钇膜34。将得到的由基板33和钇膜34组成的结构置于安装在带有入气口38和出气口39的反应炉31中的平台32上。通过入气口38将氢引入炉子31，使炉子1充满氢。氧和/或含氧物质按体积的浓度为1%或更低。含氧物质是以气相形式存在的水。将氢气氛从正常温度加热到约600℃，这样在约600℃下对结构加热10-60分钟，从而形成一个覆盖着钇膜体35的氧化钇膜36。

公开(公告)号：CN102629538A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210107766.0

申请日：2012-04-13

Applicant: 吴江炀晟阴极材料有限公司

Inventor： 严建新

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  C23C16/40 ,  H01J1/14 ,  H01J9/025 ,  H01J37/06 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2237/06316 ,  Y10T428/2916

Abstract: 本发明公开了一种电极材料。此电极材料易于电子注射且不会和接触物质反应。此电极材料的结构包括一个导电的化合物基材，以及覆设在这个化合物基材表面的氧化物电子发射层。本发明的氧化物电子发射层能够与作为发射基体的化合物基材牢固结合，且具有低逸出功和高化学稳定性。

公开(公告)号：CN101752157B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910252315.4

申请日：2009-12-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木直文 ,  西田彰志

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3046 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。

公开(公告)号：CN101752160A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252313.5

申请日：2009-12-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青木直文 ,  西田彰志

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J1/3044 ,  H01J1/3046 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30423 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0423 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。

公开(公告)号：CN100583349C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200510036029.6

申请日：2005-07-15

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杜秉初 ,  唐洁 ,  刘亮 ,  郭彩林 ,  陈丕瑾 ,  胡昭复 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J63/02

CPC classification number: H01J63/06 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极、一种采用该场发射阴极的平板型光源。该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射层，所述电子发射层含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒，所述碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒混合形成电子发射层。该平板型光源包括：所述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在所述阳极导电层上的荧光层，该荧光层和所述电子发射层相对。该平板型光源的使用寿命长及电子发射层的场发射特性强。本发明还提供一种场发射阴极的制造方法，该方法简单及成本低。

公开(公告)号：CN100521036C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510071639.X

申请日：2005-02-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 赵晟希 ,  朴钟换 ,  李常贤

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明涉及电子发射源和电子发射装置及其制造方法。形成电子发射源的方法包括：沉积至少一种带电的粒子到带有相反电荷的衬底上，该带电粒子选自由碳基材料、金属粒子、无机粒子、有机材料构成的组。方法给出在用于电子发射装置的电子发射源上选择性地以预定图案沉积碳纳米管，没有残留剩余的有机碳。得到的电子发射装置展现了良好的寿命和电子发射特性。该方法不需要另外的表面处理。

公开(公告)号：CN101231927A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710187400.8

申请日：2007-11-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 赵晟希

IPC: H01J1/30 ,  C01B31/00 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明提供了一种用于电子发射源的碳基材料、包含该碳基材料的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射装置和制备该电子发射源的方法。该电子发射源具有的碳基材料具有从由h2与h1之比(h2/h1)＜1.3和FWHM2与FWHM1之比(FWHM2/FWHM1)＞1.2组成的组中选择的至少一种特性，其中，在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中，h2表示第二峰的相对强度，第二峰是在1350±20cm－1的拉曼位移范围内的峰，h1表示第一峰的相对强度，第一峰是在1580±20cm－1的拉曼位移范围内的峰，FWHM2表示第二峰的半峰全宽，FWHM1表示第一峰的半峰全宽。包含该碳基材料的电子发射源具有长寿命和高电流密度。

公开(公告)号：CN1897204A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200510036029.6

申请日：2005-07-15

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杜秉初 ,  唐洁 ,  刘亮 ,  郭彩林 ,  陈丕瑾 ,  胡昭复 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J63/02

CPC classification number: H01J63/06 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极、一种采用该场发射阴极的平板型光源。该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射层，所述电子发射层含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。该平板型光源包括：所述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在所述阳极导电层上的荧光层，该荧光层和所述电子发射层相对。该平板型光源的使用寿命长及电子发射层的场发射特性强。本发明还提供一种场发射阴极的制造方法，该方法简单及成本低。

公开(公告)号：CN1882204A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610093763.0

申请日：2006-06-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑得锡 ,  陈勇完 ,  韩仁泽 ,  崔濬熙

IPC: H05B33/02

CPC classification number: H01J31/123 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本发明提供了铁电冷阴极和包括其的铁电场致发射装置。该铁电冷阴极包括：基板；下电极层，其由该基板的上表面上的导电材料形成；铁电层，其由该下基板的上表面上的铁电材料形成；和超细线性材料网，其形成该铁电层上的上电极，并且通过分布在网结构中的超细线性导电材料粒子形成的多个网孔外露该铁电层上表面的一部分。