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    射極以及其製造方法 EMITTER AND METHOD OF MAKING
    304.
    发明专利
    射極以及其製造方法 EMITTER AND METHOD OF MAKING 失效
    射极以及其制造方法 EMITTER AND METHOD OF MAKING

    公开(公告)号：TW200302501A

    公开(公告)日：2003-08-01

    申请号：TW091133977

    申请日：2002-11-21

    Applicant: 惠普公司 HEWLETT-PACKARD COMPANY

    Inventor： 亞歷山大 高維亞迪諾 ALEXANDER GOVYADINOV ,  麥克J 瑞岡 MICHAEL J. REGAN

    IPC: H01J ,  G09G

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J29/467 ,  H01J2201/304 ,  H01J2201/3125

    Abstract: 一種射極(50，100)包含一電子源(60)及一陰極(14)。該陰極具有一發射表面(26)。該射極(50，100)更包含一連續的非等向性導電層(56)設在該電子源(60)與該陰極(14)的發射表面(26)之間。該非等向性導電層(56)具有非等向性的片電阻率廓線，而能於該射極(50，100)的整個發射表面(26)上提供幾乎一致的電子發射。

    Abstract in simplified Chinese: 一种射极(50，100)包含一电子源(60)及一阴极(14)。该阴极具有一发射表面(26)。该射极(50，100)更包含一连续的非等向性导电层(56)设在该电子源(60)与该阴极(14)的发射表面(26)之间。该非等向性导电层(56)具有非等向性的片电阻率廓线，而能于该射极(50，100)的整个发射表面(26)上提供几乎一致的电子发射。

    冷陰極型平板型顯示器 COLD CATHODE FLUORESCENT DISPLAY PANELS
    306.
    发明专利
    冷陰極型平板型顯示器 COLD CATHODE FLUORESCENT DISPLAY PANELS 失效
    冷阴极型平板型显示器 COLD CATHODE FLUORESCENT DISPLAY PANELS

    公开(公告)号：TW200406609A

    公开(公告)日：2004-05-01

    申请号：TW092109373

    申请日：2003-04-22

    Applicant: 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.

    Inventor： 佐川雅一 MASAKAZU SAGAWA ,  楠敏明 TOSHIAKI KUSUNOKI ,  鈴木睦三 MUTSUMI SUZUKI

    IPC: G02F

    CPC classification number: H01J29/481 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

    Abstract: 本發明係提供一種冷陰極型平板型顯示器之相關技術，其係在構成對於薄膜型電子源陣列的上部電極之供電線之上部電極供電配線的下方，形成第二層間絕緣層而能防止短路不良之情形。進而藉由以第二層間絕緣膜而限制電子放出部，即能將偏於電子加速層和第一層間絕緣層的邊界之缺陷予以覆蓋，並能抑止因時間而產生之絕緣破壞之不良現象。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种冷阴极型平板型显示器之相关技术，其系在构成对于薄膜型电子源数组的上部电极之供电线之上部电极供电配线的下方，形成第二层间绝缘层而能防止短路不良之情形。进而借由以第二层间绝缘膜而限制电子放出部，即能将偏于电子加速层和第一层间绝缘层的边界之缺陷予以覆盖，并能抑止因时间而产生之绝缘破坏之不良现象。

    顯示裝置
    308.
    发明专利
    顯示裝置 失效
    显示设备

    公开(公告)号：TW460855B

    公开(公告)日：2001-10-21

    申请号：TW089109170

    申请日：2000-05-12

    Applicant: 日立製作所股份有限公司 ,  三菱化學股份有限公司

    Inventor： 佐川 雅一 ,  岡井誠 ,  水谷文一 ,  鷹羽寬 ,  宇惠誠

    IPC: G09F ,  H01J

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J31/123 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/00

    Abstract: 本發明有關於特別是使用ＭＩＮ型隧道二極體構造之電子線源之顯示裝置。主要乃，具有：在表面形成螢光體層之第２基板，及與上述第２基板互相面對，而形成電子線源之第１基板，而上述電子線源係在於第１基板上形成了疊層之第１導電膜－絕緣膜－第２導電膜構造之顯示裝置中，上述絕緣膜係使用具有醇性羥基之化合物等之有機溶媒，及含有由無機羰酸之酸及有機羧酸之鹽所選用之至少一種溶質之非水系化成液，而將上述第１導電膜予以陽極氧化所形成之絕緣膜，此種顯示裝置係可改善構成ＭＩＭ型二極體構造之電子線源元件之隧道絕緣層之絕緣膜之膜質而提高動作壽命也。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明有关于特别是使用ＭＩＮ型隧道二极管构造之电子线源之显示设备。主要乃，具有：在表面形成萤光体层之第２基板，及与上述第２基板互相面对，而形成电子线源之第１基板，而上述电子线源系在于第１基板上形成了叠层之第１导电膜－绝缘膜－第２导电膜构造之显示设备中，上述绝缘膜系使用具有醇性羟基之化合物等之有机溶媒，及含有由无机羰酸之酸及有机羧酸之盐所选用之至少一种溶质之非水系化成液，而将上述第１导电膜予以阳极氧化所形成之绝缘膜，此种显示设备系可改善构成ＭＩＭ型二极管构造之电子线源组件之隧道绝缘层之绝缘膜之膜质而提高动作寿命也。

    電場放射型電子源陣列及該製造方法以及其用途
    309.
    发明专利
    電場放射型電子源陣列及該製造方法以及其用途 失效
    电场放射型电子源数组及该制造方法以及其用途

    公开(公告)号：TW442813B

    公开(公告)日：2001-06-23

    申请号：TW088114664

    申请日：1999-08-26

    Applicant: 松下電工股份有限公司

    Inventor： 幡井崇 ,  菰田卓哉 ,  本多由明 ,  相澤浩一 ,  渡部祥文 ,  櫟原勉 ,  近藤行廣

    IPC: H01J

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

    Abstract: The present invention relates to a field emission electron source that emits electron beam through strong electric field emission using a semiconductor material, and its production and use, and is an improvement of the U.S. patent application No. 09/140,647 (field emission electron source array, and its production and use) of which contents are incorporated herein. The present invention provides an array of field emission electron sources and a method of preparing the array which discharges electrons from desired regions of a surface electrode of field emission electron sources. The field emission electron source 10 comprises an electrically conductive substrate of p-type silicon substrate 1; n-type regions 8 of stripes of diffusion layers on one of principal surfaces of the p-type silicon substrate, strong electric field drift layers 6 formed on the n-type regions 8 which is made of oxidized porous poly-silicon for drifting electrons injected from the n-type region 8; poly-silicon layers 3 between the strong field drift layers 6; surface electrodes 7 of the stripes of thin conductive film formed in a manner to cross over the stripes of the strong field drift layer 6 and the poly-silicon layers 3. By selecting a pair of the n-type regions 8 and the surface electrodes 7 and thereby making electron emitted from the crossing points due to combination of the surface electrode 7 to be electrically applied and the n-type region 8 to be electrically applied, electrons can be discharged from desired regions of the surface electrodes 7.

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