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公开(公告)号：CN106098503A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610564355.2
申请日：2016-07-18
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J35/065 , H01J2201/30461 , H01J2209/0223 , H01J2235/062
Abstract: 该发明属于石墨烯带状电子注场发射冷阴极及其生产方法。冷阴极包括基片及其上的金属膜电极，各石墨烯场发射体及设于其间及顶层的绝缘介质加强层；生产方法为：基片的处理、石墨烯薄膜的制备、金属膜电极的设置、石墨烯的转移、单层及多层石墨烯带状电子注场发射冷阴极的制作。该发明设置金属膜电极、采用石墨烯作冷阴极的发射体，发射端通过切割而成，在外加电场下会产生极强的尖端效应，既有利于提高发射电流、又可有效地降低场发射阴极的工作电压；因而具有可有效降低带状电子注冷阴极的开启场和阈值场，发射电流大、功率高，电子注发射稳定性好、体积小，以及生产工艺简单、生产效率高并可确保器件性能的一致性，易于工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN104795297B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410024483.9
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元，每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层，所述条行第一电极为一碳纳米管层，所述半导体层包括多个孔洞，所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞，对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795291B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410024347.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层，所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN105448621A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510836321.X
申请日：2015-11-26
Applicant: 国家纳米科学中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J2201/30461
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜电子源及其制作方法、真空电子器件。石墨烯薄膜电子源包括：依次形成于基板上的第一电极、绝缘层及第二电极；其中，所述第二电极为石墨烯薄膜制成的电极。真空电子器件包括上述石墨烯薄膜电子源。该制作方法包括：采用溅射法在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第二电极；其中，所述第二电极为石墨烯薄膜制成的电极。本发明利用石墨烯薄膜导电性好、厚度薄、机械强度高等特点，采用石墨烯作为电子源的顶层电极材料，能够有效地提高电子源的发射效率、电子透过率及导电性。
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公开(公告)号：CN104795295A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024419.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939 , H01J29/04 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104795295B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410024419.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。
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公开(公告)号：CN104795297A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024483.9
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元，每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层，所述条行第一电极为一碳纳米管层，所述半导体层包括多个孔洞，所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞，对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795291A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024347.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , H01J9/02 , H01J9/022 , H01J31/12
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层，所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：EP2281779A3
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：EP10170302.3
申请日：2010-07-21
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Inventor： Shin, Hyeon-jin , Choi, Won-mook , Choi, Jae-young , Yoon, Seon-mi
CPC classification number: C01B31/0446 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/182 , C01B32/184 , C01B32/194 , C01B2204/22 , H01J1/304 , H01J2201/30461 , H01J2329/0449 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , Y10T428/31678 , Y10T428/31786
Abstract: Disclosed is a graphene base, including: graphene; and a substrate, wherein the graphene is formed directly on at least one surface of the substrate, and at least about 90 percent of an area of the surface of the substrate does not have a graphene wrinkle. A method of forming such a graphene base is also disclosed.
Abstract translation: 公开了一种石墨烯基体，包括：石墨烯; 和衬底，其中所述石墨烯直接形成在所述衬底的至少一个表面上，并且所述衬底的所述表面的至少约90％的面积不具有石墨烯皱纹。 还公开了形成这种石墨烯基底的方法。
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公开(公告)号：US20190190015A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：US16283267
申请日：2019-02-22
Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.
Inventor： Inhyuk SON , Jonghwan PARK , Jaejun CHANG , Junhwan KU , Xiangshu LI , Jaeman CHOI
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01L35/22 , H01L35/20 , H01L35/18 , H01M4/62 , H01M4/13 , H01J1/304 , F21K2/08 , H01L35/32
CPC classification number: H01M4/364 , F21K2/08 , H01J1/304 , H01J2201/30461 , H01J2201/30496 , H01L35/18 , H01L35/20 , H01L35/22 , H01L35/32 , H01M4/13 , H01M4/483 , H01M4/625
Abstract: A composite including: at least one selected from a silicon oxide of the formula SiO2 and a silicon oxide of the formula SiOx wherein 0
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