公开(公告)号：KR1020070069214A

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020077011665

申请日：2005-11-28

Applicant: 고에키자이단호진 고치켄산교신코센타 ,  가시오게산키 가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈히토 ,  사사오카히데키

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J1/3048 ,  H01J2201/30457 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/025

Abstract: An electron emission film having a pattern of diamond in X-ray diffraction and formed of a plurality of diamond fine grains having a grain diameter of 5nm to 10nm is formed on a substrate. The electron emission film can restrict the field intensity to a low level when it causes an emission current to flow, and has a uniform electron emission characteristic.

Abstract translation: 在基板上形成具有X射线衍射中的金刚石图案并由多个粒径为5nm〜10nm的金刚石细晶粒形成的电子发射膜。 当电子发射膜导致发射电流流动时，电子发射膜可以将场强限制在低水平，并且具有均匀的电子发射特性。

公开(公告)号：KR100454321B1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：KR1019970009024

申请日：1997-03-12

Applicant: 모토로라 솔루션즈, 인크.

Inventor： 메뉴에릭피. ,  송존 ,  콜버나드에프.

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/548 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

Abstract: An amorphous multi-layered structure (100, 200) is formed by a method including the steps of: i) positioning a deposition substrate (101) in a physical vapor deposition apparatus (300, 400, 500) ii) ionizing a precursor of a multi-phase material within the physical vapor deposition apparatus (300, 400, 500) iv) modulating the total ion impinging energy of the ions to deposit layers having predetermined properties corresponding to the total ion impinging energy values.

Abstract translation: 通过包括以下步骤的方法形成非晶多层结构（100,200）：i）将沉积基底（101）定位在物理气相沉积设备（300,400,500）中，ii）将沉积基底 iv）调节离子的总离子撞击能量以沉积具有对应于总离子撞击能量值的预定性质的层。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100401281B1

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1019950702599

申请日：1993-12-06

Applicant: 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크.

Inventor： 쿠마르,날린 ,  씨에,첸장

IPC: H01J1/62

CPC classification number: H01J1/304 ,  G09G3/22 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/027 ,  H01J29/085 ,  H01J31/127 ,  H01J61/0677 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/304 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/8625 ,  H01J2329/864

Abstract: A matrix-addressed diode flat panel display of field emission type is described, utilizing a diode (two terminal) pixel structure. The flat panel display comprises a cathode assembly having a plurality of cathodes, each cathode including a layer of cathode conductive material and a layer of a low effective work-function material deposited over the cathode conductive material and an anode assembly having a plurality of anodes, each anode including a layer of anode conductive material and a layer of cathodoluminescent material deposited over the anode conductive material, the anode assembly located proximate the cathode assembly to thereby receive charged particle emissions from the cathode assembly, the cathodoluminescent material emitting light in response to the charged particle emissions. The flat panel display further comprises means for selectively varying field emission between the plurality of corresponding light-emitting anodes and field-emission cathodes to thereby effect an addressable grey-scale operation of the flat panel display.

Abstract translation: 描述了利用二极管（两端）像素结构的场发射类型的矩阵寻址二极管平板显示器。 平板显示器包括具有多个阴极的阴极组件，每个阴极包括阴极导电材料层和沉积在阴极导电材料上的低效功函数材料层和具有多个阳极的阳极组件， 每个阳极包括一层阳极导电材料和一层沉积在阳极导电材料上的阴极发光材料，阳极组件位于阴极组件附近，从而接收来自阴极组件的带电粒子发射，阴极发光材料响应 带电粒子排放。 平板显示器还包括用于选择性地改变多个对应的发光阳极和场发射阴极之间的场发射的装置，从而实现平板显示器的可寻址灰阶操作。

公开(公告)号：KR100411522B1

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1020010026849

申请日：2001-05-16

Applicant: 일본국(동경대학장소관)

Inventor： 후지시마아끼라 ,  마스다히데끼

IPC: H01J1/30

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/27 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457

Abstract: A cylinder array of diamond having a dent in its cylinder top face is manufactured by subjecting a cylinder array of diamond to a plasma etching.

Abstract translation: 通过对金刚石圆柱体阵列进行等离子体蚀刻来制造在其圆柱体顶面具有凹陷的金刚石圆柱体阵列。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020030090619A

公开(公告)日：2003-11-28

申请号：KR1020037009155

申请日：2002-01-17

Applicant: 셰브런 유.에스.에이.인크.

Inventor： 달,제레미,이. ,  칼슨,로버트,엠. ,  리우,센가오

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J1/3048 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C07C4/00 ,  C07C7/04 ,  C07C7/12 ,  C07C7/135 ,  C07C13/64 ,  C07C17/10 ,  C07C17/16 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C23/20 ,  C07C47/347 ,  C07C49/423 ,  C07C205/05 ,  C07C2603/90 ,  C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G83/00 ,  C08L65/00 ,  H01J2201/30457 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본 발명은 마이크로전자공학 분야에서 저급 및 고급 다이아몬드형 함유 물질의 신규한 용도에 관한 것이다. 상기 용도의 구체적인 예는 집적회로 패키징 내의 열전도성 필름, 집적회로 다단계 연결선 내의 저 유전상수층, 열전도성 점착성 필름, 집적 회로 장치용 보호막 필름 및 전계 방출 음극을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 사용되는 다이아몬드형은 저급 다이아몬드형 뿐만 아니라 신규하게 제공되는 고급 다이아몬드형으로부터 선택될 수 있으며, 치환 및 비치환 다이아몬드형을 포함한다. 상기 고급 다이아몬드형은 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄 및 운데카만탄을 포함한다. 다이아몬드형 함유 물질은 다이아몬드형 함유 중합체, 다이아몬드형 함유 소결 세라믹, 다이아몬드형 세라믹 복합체, CVD 다이아몬드형 필름, 자가 집합 다이아몬드형 필름 및 다이아몬드형-풀러렌 복합체로 제조될 수 있다.

公开(公告)号：KR100307310B1

公开(公告)日：2001-10-29

申请号：KR1019990018825

申请日：1999-05-25

Applicant: 학교법인 명지학원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  백은송 ,  전동렬

IPC: B82B3/00 ,  C01B21/06 ,  C30B29/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  C01B33/06 ,  C30B25/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01J2201/30457

Abstract: 본발명은직경이나노크기인다이아몬드나노휘스커제조방법에관한것으로, 종래에는직경이나노크기인다이아몬드휘스커를제조할수 없었으며, 이에본 발명은기판의상부에다이아몬드막을형성하고, 이종물질간에박막을형성함에있어서초기핵형성단계에서나타나는다양한박막표면구조를이용하여상기다이아몬드막에이종물질의나노크기를갖는마스크패턴을형성하고, 상기나노크기의마스크패턴을식각마스크로사용하여반응성식각에의하여상기다이아몬드막을식각하는단계로이루어지는나노크기의다이아몬드휘스커제조방법을제공한다. 상기마스크패턴은핵이비연속적으로서로분리된상태의아이랜드(island) 성장에의한박막표면구조또는표면이울퉁불퉁한스트란스키-크라스타노프(Stranski-Krastanov) 성장에의한박막표면구조인것을특징으로한다. 본발명에의하면다이아몬드를사용한다양한복합소재를제조할수 있으며, 또한, 새로운형태의전계방출냉 음극으로응용을가능케하여우수한성능의전계방출소자의실용화를앞당길수 있다.

公开(公告)号：KR1020000052285A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990018825

申请日：1999-05-25

Applicant: 학교법인 명지학원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  백은송 ,  전동렬

IPC: B82B3/00 ,  C01B21/06 ,  C30B29/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  C01B33/06 ,  C30B25/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01J2201/30457

Abstract: PURPOSE: A method for preparing diamond nano whisker is provided, which is prepared at the low temperature using mask production in real time and anisotropic etching character of diamond. CONSTITUTION: A method for preparing diamond nano whisker comprises the steps of: deposition process of diamond to form diamond film on the upper part of the board; formation process of mask to be formed as nano size on the upper part of the diamond film using nuclear formation reaction of shaping; formation process of diamond whisker of nano size by etching process using the mask pattern of the nano size as etching mask.

Abstract translation: 目的：提供一种制备金刚石纳米晶须的方法，该方法在低温下使用实时的掩模制备和金刚石的各向异性蚀刻特性制备。 构成：制备金刚石纳米晶须的方法包括以下步骤：在金刚石的上部沉积金刚石以形成金刚石膜; 使用成核反应形成金刚石膜上部的纳米尺寸的掩模的形成过程; 通过使用纳米尺寸的掩模图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，形成纳米尺寸的金刚石晶须。

公开(公告)号：WO2008115025A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：PCT/KR2008/001597

申请日：2008-03-21

Applicant: LG ELECTRONICS INC. ,  PARK, Sung Jun ,  LEE, Young Dae ,  YI, Seung June ,  CHUN, Sung Duck

Inventor： PARK, Sung Jun ,  LEE, Young Dae ,  YI, Seung June ,  CHUN, Sung Duck

IPC: H04B7/26

CPC classification number: H04W72/0413 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30457 ,  H04L65/80 ,  H04W28/06 ,  H04W80/04

Abstract: A method of transmitting a data block in a wireless communication system includes generating a data block having a variable size in an upper layer, transmitting a radio resource request message to a base station according to the size of the data block in a medium access control (MAC) layer and transmitting the data block by using a radio resource allocated by using the radio resource request message. For a packet service such as VoIP in which a delay time is important, QoS can be improved by decreasing the delay time of packet transmission and by decreasing a packet discard ratio.

Abstract translation: 在无线通信系统中发送数据块的方法包括在上层生成具有可变大小的数据块，根据介质访问控制中的数据块的大小向基站发送无线资源请求消息（ MAC）层，并且通过使用通过使用无线电资源请求消息分配的无线资源来发送数据块。 对于延迟时间重要的诸如VoIP的分组业务，可以通过减少分组传输的延迟时间和减少分组丢弃率来提高QoS。

公开(公告)号：WO2008035662A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：PCT/JP2007/068058

申请日：2007-09-18

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  植田 暁彦 ,  山本 喜之 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

Inventor： 植田 暁彦 ,  山本 喜之 ,  西林 良樹 ,  今井 貴浩

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

Abstract:   電子顕微鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、微細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。柱状ダイヤモンド単結晶（１０）片端を研磨して滑らかな平面（１１）を形成し、滑らかな平面（１１）上にセラミック層（１２）を形成する。このセラミック層（１２）上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層（１４）を堆積した後、この薄膜層（１４）をマスクとして、エッチングによりセラミック層（１２）をパターニングする。得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶（１０）の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。

Abstract translation: 本发明提供了一种金刚石电子源，其包括一个尖锐部分作为用于电子束设备如电子显微镜的电子发射点，在具有难以涂覆的尺寸的柱状金刚石单晶的一端 在微细加工过程中抗蚀剂及其制造方法。 抛光柱状金刚石单晶（10）的一端，以形成光滑的平坦表面（11），并且在光滑平坦表面（11）上形成陶瓷层（12）。 通过使用聚焦离子束装置在陶瓷层（12）上沉积具有预定形状的薄膜层（14）。 此后，使用薄膜层（14）作为掩模，通过蚀刻对陶瓷层（12）进行图案化。 通过使用形成的陶瓷掩模的干蚀刻，在柱状金刚石单晶（10）的一端形成一个尖锐部分。

公开(公告)号：WO2007037087A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：PCT/JP2006/316845

申请日：2006-08-28

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  山田 貴壽 ,  鹿田 真一

Inventor： 山田 貴壽 ,  鹿田 真一

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  C23C16/274 ,  C23C16/278 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30457

Abstract: 【課題】 本発明は、電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びこれを用いた低電圧動作可能な冷陰極表面構造に利用できる安定で優れた電子放出特性を示すダイヤモンド電子源を提供する。 【解決手段】 　電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜であって、ダイヤモンド基板上に、マイクロ波CVD法によってメタンと水素のガス及びリン雰囲気中で，ダイヤモンド膜を成長させるに際して、リン添加源として、ターシャルブチルリンを用い、リンを濃度10 15 cm -3 以上含有し、抵抗率が10 7 Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするリン添加ダイヤモンド膜の製造方法及びそれを用いたダイヤモンド電子源。

Abstract translation: [问题]为了提供具有显着降低的电子发射电压的添加磷的金刚石膜，其制造方法和使用添加磷的金刚石膜的金刚石电子源，具有稳定和优异的电子发射特性并且可用于低 电压可操作的冷阴极表面结构。 解决问题的手段具有通过生产方法产生的显着降低的电子发射电压的添加磷的金刚石膜包括通过微波CVD法在含有甲烷和氢气和磷的气氛中在金刚石基底上生长金刚石膜，其特征在于 使用叔丁基磷作为磷添加源，磷的浓度不小于10〜30cm -3，电阻率不大于10〜 7Ω，电子发射开始电压为30V以下，使用该金刚石电子源。