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公开(公告)号:TWI550676B
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:TW103106193
申请日:2014-02-25
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 柳鵬 , LIU, PENG , 李德杰 , LI, DE-JIE , 張春海 , ZHANG, CHUN-HAI , 周段亮 , ZHOU, DUAN-LIANG , 杜秉初 , DU, BING-CHU , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
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公开(公告)号:TWI534847B
公开(公告)日:2016-05-21
申请号:TW103106200
申请日:2014-02-25
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 柳鵬 , LIU, PENG , 李德杰 , LI, DE-JIE , 張春海 , ZHANG, CHUN-HAI , 周段亮 , ZHOU, DUAN-LIANG , 杜秉初 , DU, BING-CHU , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC classification number: H01J1/308 , H01J1/312 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , Y10S977/939
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公开(公告)号:TWI529769B
公开(公告)日:2016-04-11
申请号:TW103106195
申请日:2014-02-25
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 柳鵬 , LIU, PENG , 李德杰 , LI, DE-JIE , 張春海 , ZHANG, CHUN-HAI , 周段亮 , ZHOU, DUAN-LIANG , 杜秉初 , DU, BING-CHU , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
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公开(公告)号:TW201530595A
公开(公告)日:2015-08-01
申请号:TW103106193
申请日:2014-02-25
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 柳鵬 , LIU, PENG , 李德杰 , LI, DE-JIE , 張春海 , ZHANG, CHUN-HAI , 周段亮 , ZHOU, DUAN-LIANG , 杜秉初 , DU, BING-CHU , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC classification number: H01J31/12 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/02 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本發明涉及一種電子發射裝置,其包括複數間隔設置的電子發射單元,所述電子發射單元包括依次層疊設置的一第一電極,一半導體層,一絕緣層及一第二電極,其中,所述第一電極為一奈米碳管層,每一電子發射單元中的半導體層具有複數間隔設置的孔洞,對應孔洞位置處的奈米碳管層懸空設置。
Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种电子发射设备,其包括复数间隔设置的电子发射单元,所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极,一半导体层,一绝缘层及一第二电极,其中,所述第一电极为一奈米碳管层,每一电子发射单元中的半导体层具有复数间隔设置的孔洞,对应孔洞位置处的奈米碳管层悬空设置。
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公开(公告)号:TW201530593A
公开(公告)日:2015-08-01
申请号:TW103106197
申请日:2014-02-25
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 柳鵬 , LIU, PENG , 李德杰 , LI, DE-JIE , 張春海 , ZHANG, CHUN-HAI , 周段亮 , ZHOU, DUAN-LIANG , 杜秉初 , DU, BING-CHU , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
CPC classification number: H01J29/04 , H01J9/025 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本發明涉及一種電子發射源,包括:一第一電極、一絕緣層及一第二電極,所述絕緣層層疊設置在所述第一電極和第二電極之間,所述第一電極為所述電子發射源的電子發射端,其中,所述第一電極為一奈米碳管複合結構,該奈米碳管複合結構包括一奈米碳管層及一半導體層複合層疊設置,所述半導體層位於所述奈米碳管層與所述絕緣層之間。本發明還提供一種電子發射源的製備方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种电子发射源,包括:一第一电极、一绝缘层及一第二电极,所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间,所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端,其中,所述第一电极为一奈米碳管复合结构,该奈米碳管复合结构包括一奈米碳管层及一半导体层复合层叠设置,所述半导体层位于所述奈米碳管层与所述绝缘层之间。本发明还提供一种电子发射源的制备方法。
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316.發射器以及其製造方法 EMITTER AND METHOD OF MAKING 失效
Simplified title: 发射器以及其制造方法 EMITTER AND METHOD OF MAKING公开(公告)号:TWI253093B
公开(公告)日:2006-04-11
申请号:TW091133977
申请日:2002-11-21
Applicant: 惠普公司 HEWLETT-PACKARD COMPANY
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J29/467 , H01J2201/304 , H01J2201/3125
Abstract: 一種發射器(50,100)包含一電子源(60)及一陰極(14)。該陰極具有一發射表面(26)。該發射器(50,100)更包含一連續的非等向性導電層(56)設在該電子源(60)與該陰極(14)的發射表面(26)之間。該非等向性導電層(56)具有非等向性的片電阻率廓線,而能於該發射器(50,100)的整個發射表面(26)上提供幾乎一致的電子發射。
Abstract in simplified Chinese: 一种发射器(50,100)包含一电子源(60)及一阴极(14)。该阴极具有一发射表面(26)。该发射器(50,100)更包含一连续的非等向性导电层(56)设在该电子源(60)与该阴极(14)的发射表面(26)之间。该非等向性导电层(56)具有非等向性的片电阻率廓线,而能于该发射器(50,100)的整个发射表面(26)上提供几乎一致的电子发射。
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317.具有奈米孔開口之穿隧式發射器 TUNNELING EMITTER WITH NANOHOLE OPENINGS 失效
Simplified title: 具有奈米孔开口之穿隧式发射器 TUNNELING EMITTER WITH NANOHOLE OPENINGS公开(公告)号:TWI223826B
公开(公告)日:2004-11-11
申请号:TW092120970
申请日:2003-07-31
Inventor: 陳姿涵 ZHIZHANG CHEN , 史瑞倫 雷門摩西 SRIRAM RAMAMOORTHI , 廖宏 HUNG LIAO , 保羅 班寧 PAUL BENNING , 亞歷山大 賈菲雅堤納 ALEXANDER GOVYADINOV
IPC: H01J
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/3125
Abstract: 一發射器具有一電子供應器及一包含奈米孔開口之多孔陰極層。發射器亦具有一配置於電子供應器與陰極層之間的穿隧層。
Abstract in simplified Chinese: 一发射器具有一电子供应器及一包含奈米孔开口之多孔阴极层。发射器亦具有一配置于电子供应器与阴极层之间的穿隧层。
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